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公开(公告)号：CN113447497A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110677862.8
申请日：2021-06-18
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于先进光学制造与光学检测技术领域，涉及一种薄膜材料激光损伤的识别方法及装置。本发明是对薄膜施加强激光，一旦其发生损伤，导致石英晶片等效厚度发生了变化，通过测量激光辐照前后的晶片振荡周期（或频率），确定薄膜是否损伤，并采用特定的装置完成。本方法判别灵敏度高，以薄膜材料是否损失作为直接判断依据，因此不存在“误判”现象；本发明所采用的装置结构简单，集成化高，可实现在线判别，对激光损伤的判别可以在毫秒内完成。
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公开(公告)号：CN109898069B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201910322314.6
申请日：2019-04-22
Applicant: 西安工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/517 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种在金属微孔内沉积类金刚石薄膜的装置和方法。本发明的目的是要在具有金属微孔结构的产品内进行均匀、高效的类金刚石薄膜的沉积。所提供的技术方案是：一种在金属微孔内沉积类金刚石薄膜的装置，包括真空室、微波源、等离子体源和基座，基座上设置有样品台，样品台上设置有固定座，固定座一侧设置有安装板，安装板上固定有喷嘴装置。沉积方法为：将带有金属微孔的样品放入固定座内，金属微孔与喷嘴装置的金属喷头同轴设置，在金属喷头施加负偏压，样品与电源正极相连通，在给定的工艺参数条件下，采用微波激励的高密度等离子体辅助气相沉积。本发明可在金属微孔内成功沉积DLC薄膜，为提高金属微孔耐磨特性提供了新的方法。
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公开(公告)号：CN110608677A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201911003526.4
申请日：2019-10-22
Applicant: 西安工业大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明涉及一种基于圆光栅径向剪切干涉仪的三维位移测量方法。现有的基于莫尔条纹方法的三维位移测量过程中需要移动探测器，无法实现瞬时测量，并且会引入探测器位置误差。本发明采用的装置包括圆光栅径向剪切干涉仪、半圆环形的空间滤波器和二维图像探测器。首先，利用半圆环形空间滤波器在径向剪切干涉仪的频谱面上对1级频谱的一半进行滤波，二维图像探测器位于径向剪切干涉仪的成像面上，可以同时获得+1和-1衍射级次的莫尔条纹图像。然后，对莫尔条纹图像进行坐标变换、去噪、二值化、细化处理，获得亮条纹骨架图。最后，利用亮条纹的位置关系，反演出三维位移分量。该方法具有瞬时测量、精度高、适应性强等优点，较好地解决了三维位移的实时测量问题。
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公开(公告)号：CN110106470A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910348527.6
申请日：2019-04-28
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种低应力类金刚石薄膜的制备方法。本发明的目的是要在保证DLC薄膜的光学透过率及硬度的基础上，减小其应力。所提供的技术方案是：一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法，是在DLC及介质薄膜的表面形成具有闭环的磁通路，且使闭环的磁通量具有最大的梯度。所提供的装置包括导磁外框，在外框内设置有一对永磁铁，第一永磁铁和第二永磁铁，第一永磁铁和第二永磁铁的距离可调。利用本发明的方法，对于DLC薄膜可以将损伤阈值从0.57 J/cm2提高到1.23 J/cm2。对于介质薄膜，可以使激光损伤面积减少50%左右。
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公开(公告)号：CN109270028A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811137482.X
申请日：2018-09-28
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明属于微火工品参数测量技术领域，更具体的，涉及一种微火工品等离子体折射率瞬态演变测试装置。本发明通过保证测量光路模块中的四路光束和参考光路模块中的四路光束组成四对干涉光束，每对干涉光束中的两束光路等效光程相同，每对干涉光束之间的等效光程不相等，得到含有微火工品等离子体折射率参数信息的图像，在软件中编写程序解得微火工品等离子体折射率，得到微火工品等离子体折射率的瞬态演变规律。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105734523B
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201610100864.X
申请日：2016-02-24
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法及其装置。本发明的目的是要在不影响DLC薄膜和介质薄膜的任何光学常数和物理性能的基础上，有效提高DLC薄膜和介质薄膜薄膜的抗激光损伤能力。所提供的技术方案是：一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法，是在DLC及介质薄膜的表面形成具有闭环的磁通路，且使闭环的磁通量具有最大的梯度。所提供的装置包括导磁外框，在外框内设置有一对永磁铁，第一永磁铁和第二永磁铁，第一永磁铁和第二永磁铁的距离可调。利用本发明的方法，对于DLC薄膜可以将损伤阈值从0.57 J/cm2提高到1.23 J/cm2。对于介质薄膜，可以使激光损伤面积减少50%左右。
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公开(公告)号：CN104992446B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510447160.5
申请日：2015-07-27
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明公开了一种非线性光照自适应的图像拼接方法，该方法为：对摄像机进行标定，通过摄像机对圆柱轴承进行图像采集，对采集得到的圆柱轴承图像展开成平面图像；对所述展开后的平面图像进行中值滤波，对滤波后获得的轴承侧表面图像进行非线性光照自适应的图像拼接，形成一幅完整的而又没有赘余的平面图像。本发明考虑到采集对象光照不均匀的因素，在图像拼接时引入了光照不均补偿因子，这一因子的引入有利于提高图像拼接的质量，还原图像的原始面貌，操作简单，易于理解，运算速度快。
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公开(公告)号：CN105734523A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610100864.X
申请日：2016-02-24
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法及其装置。本发明的目的是要在不影响DLC薄膜和介质薄膜的任何光学常数和物理性能的基础上，有效提高DLC薄膜和介质薄膜薄膜的抗激光损伤能力。所提供的技术方案是：一种提高类金刚石薄膜抗激光损伤能力的方法，是在DLC及介质薄膜的表面形成具有闭环的磁通路，且使闭环的磁通量具有最大的梯度。所提供的装置包括导磁外框，在外框内设置有一对永磁铁，第一永磁铁和第二永磁铁，第一永磁铁和第二永磁铁的距离可调。利用本发明的方法，对于DLC薄膜可以将损伤阈值从0.57 J/cm2提高到1.23 J/cm2。对于介质薄膜，可以使激光损伤面积减少50%左右。
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公开(公告)号：CN102275906A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110153147.0
申请日：2011-06-09
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及到石墨烯的制备技术领域，特别涉及一种常温制备石墨烯的方法。本发明要克服现有技术需要在高温工艺，以及与半导体工艺不兼容和污染环境的缺点。本发明提供的技术方案是，一种室温制备石墨烯的方法，依次包括下述步骤：（一）取氧化石墨烯溶解于溶剂中获得氧化石墨烯的溶液，（二）经过旋涂或者提拉工艺，在基片表面获得氧化石墨烯薄膜；（三）在常温和真空环境中，氧化石墨烯薄膜经过荷能氢原子/离子/分子处理，还原氧化物石墨烯，获得纯净的石墨烯。本发明的优点是：在室温和真空环境下即可制备石墨烯，摒弃了以往石墨烯制备需要的高温环境，降低了能耗；本发明的制备工艺和目前半导体工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN101718712A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910219260.7
申请日：2009-12-02
Applicant: 西安工业大学
Abstract: 本发明涉及一种薄膜及光学元件激光损伤阈值组合测试装置及利用该装置的测试方法。由于现有测试装置和测试方法存在较大的误差、对各种薄膜材料适应性差。本发明的一种薄膜及光学元件激光损伤阈值组合测试装置，包括测试组件和处理组件，测试组件包括Nd:YAG激光器、开关档板，第一分束器、聚焦透镜、第二分束器和样片台，光电二极管阵列、会聚透镜、光电探测器件和CCD照相机等，处理组件包括计算机；测试方法包括将测试结果送采用CCD摄像显微判别法等离子体闪光法来判别不同类型薄膜样品是否发生损伤，判别标准是一项显示损伤即确定。本发明的此种结构和测试方法，使得测试误差极小且无误判发生，并且适应性和实用性强。
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