-
公开(公告)号：CN103868595A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410079805.X
申请日：2014-03-06
Applicant: 湖南大学
IPC: G01J3/42 , G01N21/359
Abstract: 本发明公开了一种空间分离的泵浦-探测瞬态吸收光谱仪及实现方法，通过飞秒光源系统产生光源；通过分束镜实现泵浦光和探测光的分束；通过时间延迟线实现探测光不同的时间延迟；通过扫描反射镜组实现探测光在水平平面和竖直平面内的二维旋转和校准；校准是指保证经旋转过的探测光光束能够入射到物镜前段的光圈中；最后由数据采集系统获取探测光和泵浦光共同作用在样品上的二维成像。该空间分离的泵浦-探测瞬态吸收光谱仪及实现方法能实现极高的空间分辨，且能实现载流子、激子或等离激元的可视化探测。
-
公开(公告)号：CN120018668A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510186511.5
申请日：2025-02-20
Applicant: 湖南大学 , 北京数字光芯集成电路设计有限公司
IPC: H10H29/14 , H10D30/67 , H10H20/857 , H10H29/01 , H10D30/01
Abstract: 本发明公开了一种基于沟道、接触两用氧化铟锡的MOS结构驱动的micro‑LED及其制备方法，本发明的制备方法，一方面，通过光刻定义互连和源漏电极区后沉积简并态厚层氧化铟锡，将MOS结构源级与micro‑LED单元高台面的P电极互联实现串联。最终，通过栅极来控制发光单元的开关，实现原位驱动，由于工艺上的兼容性因此省去了传统的键合过程，大大简化制备流程降低生产成本，另一方面，采用控制厚度的方法制备出薄层的非简并态氧化铟锡半导体沟道和厚层的简并态氧化铟锡接触电极，实现低接触电阻的高电流MOS驱动单元。
-
公开(公告)号：CN119403332B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510000199.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种鳍型三色集成Micro‑LED显示器件及其制备方法；涉及光学半导体领域，该显示器件包括驱动基板，所述驱动基板表面设有多个凹槽区，多个凹槽区呈阵列排布；每个凹槽区中均嵌设有LED bar单元，LED bar单元可被单独驱动；LED bar单元包括多个LED单元和多个电极层，LED单元与电极层穿插排列且呈鳍型固定在驱动基板凹槽区内，两电极层分别组成LED bar单元的最外侧两层；该方法是通过晶圆垂直键合并深槽刻蚀后进行旋转巨量转移；本申请将蚀刻后的LED bar单元旋转水平放置在驱动基板凹槽内，每个LED bar单元包括发光区和金属区，发光区呈鳍型水平排列，发光面积较小，进而可以实现纳米级尺寸发光，且垂直方向无光串扰现象；金属区可以阻挡反射发光区的光，避免水平方向上光串扰的同时也提高了发光区的亮度，从而提高LED像素bar单元的出光效率以及显示饱和度。
-
公开(公告)号：CN119286513A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411397912.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 湖南大学
IPC: C09K11/66 , H10K85/50 , H10K30/10 , H10K30/60 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , C09K11/68 , C09K11/88 , C09K11/02
Abstract: 本发明属于低维半导体材料微纳光电集成领域，具体涉及一种基于暗态能量转移机制增强TMDs荧光的方法，获得钙钛矿‑TMDs异质结，随后通过双光子泵浦光源进行激发，积累暗态能量并诱导宇称禁止的暗态能量转移，从而强化TMDs荧光；所述的钙钛矿‑TMDs异质结包括钙钛矿纳米片，以及复合在其表面的TMDs，其中，钙钛矿、TMDs的暗激子态能带匹配。本发明还提供了利用该方法改善器件中荧光强度的应用。本发明提供了一种全新的TMDs荧光增强思路，其创新地将TMDs和钙钛矿构建异质结系统，并通过TMDs和钙钛矿构建异质结能带匹配成分以及所述的双光子泵浦光源激发的联合控制，如此可以诱导暗态能量转移，从而基于暗态能量转移机制实现TMDs的荧光增强。
-
公开(公告)号：CN119229796A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411732893.9
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京数字光芯集成电路设计有限公司 , 湖南大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明涉及微显示技术领域，公开了一种Micro‑LED显示芯片及适用于其的像素驱动方法、电子设备，包括芯片驱动电路使用数字扫描方式驱动LED发光元件进行画面显示，且所述数字扫描方式是使用PWM驱动信号控制LED发光元件开关实现显示画面的灰阶；驱动Micro‑LED显示芯片的像素灰阶数据为N位比特数据，在第Bi位比特数据时将LED发光元件的驱动电流增加为原来的2m倍，且2≦i≦N‑1，且1≦m≦i；所述像素灰阶数据的各个比特位的权重总和下降2i‑m×(2N‑i‑1)×(2m‑1)。本发明在对高比特位的数据扫描过程中增加LED的驱动电流的方式，降低驱动扫描过程中所需要的像素时钟频率，从而降低了对Micro‑LED显示芯片周边驱动电路的性能需求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118807109A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410869551.5
申请日：2024-07-01
Applicant: 湖南大学
IPC: A61N5/06
Abstract: 本发明公开了一种可控图案化发光的皮肤肿瘤光热治疗仪及其制备方法，该光热治疗仪包括集成电路驱动芯片和图案化发光像素单元，图案化发光像素单元包括凸起设置的集成Mini‑或Micro‑LED芯片以及复合材料层，集成电路驱动芯片与图案化发光像素单元连接，复合材料层覆盖于凸起设置的集成Mini‑或Micro‑LED芯片上，复合材料层用于将图案化发光像素单元发出的蓝紫光图案转换为能够深入组织直达病灶的近红外光线图案。本发明利用图案化发光像素单元能够精准发射图案化的近红外光，实现了对皮肤肿瘤特定区域进行可控高精准图案化光热治疗，提高了治疗效果，降低了治疗过程中对人体正常细胞和组织的损害。
-
-
公开(公告)号：CN117393663A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311432542.1
申请日：2023-10-31
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开的一种基于Micro‑LED的键合去硅转移方法，通过采用特定的刻蚀方式对第一基板上的硅衬底进行刻蚀，使硅衬底形成倒T字形弱化结构，控制T形结构的尺寸比例，不仅能保证在后续键合过程中有足够的支撑力，使基板的结构在键合过程中不发生断裂，又能保证键合成功后，硅衬底和氮化镓发光外延层存在弱化的结构力，易于将硅衬底与发光外延层分离实现去硅转移。上述方法能够有效地在硅基氮化镓Micro‑LED工艺中去除硅衬底，避免其他剥离技术导致的表面缺陷严重、结构变力畸变等问题，使得去除硅衬底的过程简单易行且不会破坏驱动基板。
-
公开(公告)号：CN117355155A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311127203.2
申请日：2023-09-04
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种突触器件阵列及其制备方法，所述突触器件阵列由光电探测器以及设置于光电探测器之上的电致变色器件组成；所述光电探测器包含衬底、阵列化电极，感光层；所述阵列化电极位于衬底之上，所述阵列化电极中包含若干叉指电极以及金属电极pad；所述感光层由若干钙钛矿薄膜组成，任意一个钙钛矿薄膜设置于叉指电极之上完全覆盖叉指电极，所述电致变色器件由下至上包含Al2O3绝缘层，ITO电极、NiO电极、电致变色层、封装层；其中，所述电致变色层由若干电致变色薄膜组成，任意一个电致变色薄膜的垂直投影面完全覆盖叉指电极的垂直投影面。本发明实现了检测、存储和计算能力在单个单元中的共存。
-
公开(公告)号：CN114725149B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210202459.4
申请日：2022-03-02
Applicant: 湖南大学
Inventor： 潘安练
Abstract: 本申请涉及一种micro‑LED显示矩阵制备方法，包括：获取半导体材料层；半导体材料层用于形成micro‑LED阵列，包括依次设置的第一类型半导体、第二类型半导体以及第一衬底；在半导体材料层制备与第一类型半导体接触的第一电极；将制备完第一电极的半导体材料层进行第二电极制备预处理，以使第二类型半导体无衬底覆盖；在半导体材料层制备与第二类型半导体接触的第二电极，得到micro‑LED显示矩阵；其中，第一电极用于连接micro‑LED阵列中同一行/列的micro‑LED单元，第二电极用于连接micro‑LED阵列中同一列/行的micro‑LED单元；避免了现有单片集成方案需要将金属触点对准键合的难点，改变了巨量转移方案带来的芯片间距空隙过大和TFT背板的电流耐受问题，显著提升中型显示屏的亮度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
133
records
(took 0.022 seconds)
