一种基于Micro-LED的键合去硅转移方法

    公开(公告)号:CN117393663A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311432542.1

    申请日:2023-10-31

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开的一种基于Micro‑LED的键合去硅转移方法,通过采用特定的刻蚀方式对第一基板上的硅衬底进行刻蚀,使硅衬底形成倒T字形弱化结构,控制T形结构的尺寸比例,不仅能保证在后续键合过程中有足够的支撑力,使基板的结构在键合过程中不发生断裂,又能保证键合成功后,硅衬底和氮化镓发光外延层存在弱化的结构力,易于将硅衬底与发光外延层分离实现去硅转移。上述方法能够有效地在硅基氮化镓Micro‑LED工艺中去除硅衬底,避免其他剥离技术导致的表面缺陷严重、结构变力畸变等问题,使得去除硅衬底的过程简单易行且不会破坏驱动基板。

    发光器件的弱化结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN116314518A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310247521.6

    申请日:2023-03-14

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种发光器件的弱化结构及其制备方法,其中发光器件弱化结构的制备方法包括:先提供设置有发光器件的衬底,然后于发光器件上形成保护层,再基于保护层对非器件区域的衬底进行一次刻蚀并去除保护层,如此实现了对于衬底的第一次减薄。继而,于一次刻蚀后的衬底和发光器件上形成掩膜层,然后基于图形化的掩膜层对非器件区域的衬底进行二次刻蚀,再对器件区域且外露的衬底进行各向异性刻蚀,形成结构柱并去除掩膜层,实现了对衬底的第二次减薄,结构柱与一次刻蚀后器件区域的衬底即结构臂构成T形弱化结构,可采用普通转移头对T形弱化结构上的发光器件进行选择性拾取,提高了发光器件巨量转移的效率,降低了发光器件巨量转移的成本。

    一种防船撞装置
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219260901U

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202320067635.8

    申请日:2023-01-10

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本实用新型公开了一种防船撞装置,其防船撞装置单元为箱式结构,箱式结构包括设于箱式结构内部的耗能内箱和设于箱式结构外层的保护外面板,耗能内箱包括封闭的箱壳,箱壳由外板、内板、顶板、底板和侧板拼接而成,外板为碳素钢板或低合金钢板且与保护外面板固定连接,顶板和底板为不锈钢复合钢板,不锈钢复合钢板包括碳素钢基层和不锈钢复层,不锈钢复层位于耗能内箱的外侧。本实用新型采用不锈钢复合钢板,充分发挥不锈钢复合钢板兼具耐腐蚀性能和低成本优势,不仅保证其优良耗能性能,还提高其耐久性能;防船撞装置的耗能构件在水中或潮湿环境服役过程中,可大幅度降低锈蚀带来的脆性破坏,提高防船撞装置的使用寿命,降低了检测和维护成本。

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