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公开(公告)号：CN118398745A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410784256.X
申请日：2024-06-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米柱光致发光Micro‑LED器件及其制备方法，所述光致发光Micro‑LED器由晶圆级蓝光Micro‑LED器件，以及设置于晶圆级蓝光Micro‑LED阵列器件上方的Micro‑LED颜色转化层组成，所述Micro‑LED颜色转化层，由下至上，包含刻蚀停止层，SiO2牺牲层，SiO2封装层B，所述SiO2牺牲层中，含有阵列化的纳米柱区域，任意一个纳米柱区域由纳米孔以及生长于纳米孔中的钙钛矿纳米柱组成，所述纳米孔的内壁表面有Al2O3层，本发明所提供的光致发光Micro‑LED器件，利用钙钛矿纳米柱极高的光致发光量子效率实现高效率的发光转换。
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公开(公告)号：CN118198229A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410587538.0
申请日：2024-05-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米柱光致发光Micro‑LED器件及其制备方法，所述光致发光Micro‑LED器由晶圆级蓝光Micro‑LED器件，以及设置于晶圆级蓝光Micro‑LED阵列器件上方的Micro‑LED颜色转化层组成，所述Micro‑LED颜色转化层，由下至上，包含刻蚀停止层，SiO2牺牲层，SiO2封装层B，所述SiO2牺牲层中，含有阵列化的纳米柱区域，任意一个纳米柱区域由纳米孔以及生长于纳米孔中的钙钛矿纳米柱组成，所述纳米孔的内壁表面有Al2O3层，本发明所提供的光致发光Micro‑LED器件，利用钙钛矿纳米柱极高的光致发光量子效率实现高效率的发光转换。
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公开(公告)号：CN116516490A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310543438.3
申请日：2023-05-15
Applicant: 湖南大学
IPC: C30B29/46 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种厘米级单晶单层的MoS2薄膜及其快速制备方法，将C/A‑蓝宝石衬底与Mo源置于管式炉的中心区，其中C/A‑蓝宝石衬底位于相比Mo源更靠近管式炉的上游的位置，且C/A‑蓝宝石衬底与Mo源的间距≤3cm，将S源置于管式炉的上游，然后通过化学气相沉积即得MoS2薄膜，所述Mo源由Mo箔以及夹在两片Mo箔中间的混合粉末组成，所述混合粉末由MoO3粉与NaCl粉组成。本发明只需2min左右生长保温时间，即可以获得高质量厘米级单晶单层的MoS2薄膜。相对于现有技术，生长时间大幅缩短。本发明有效解决了现有技术中厘米级单晶单层MoS2薄膜的生长速度慢，合成时间长的难题。
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公开(公告)号：CN113284889B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202110433616.8
申请日：2021-04-20
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体异质结阵列器件及其制备方法，所述二维半导体异质结阵列器件包含衬底、位于衬底上的沟道材料层陈列，间隔的位于每个沟道材料层上的两个接触层，以及分别位于两个接触层上的源极电极和漏极电极，沟道材料层与接触层为一体成型的WSe2/SnS2异质结材料，其中沟道材料层的材料为WSe2材料，接触层的材料为SnS2材料。SnS2作为金属电极和底层WSe2材料之间的接触层，起到保护与电极接触部分的材料、降低接触电阻、提升器件性能的作用。
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公开(公告)号：CN114231287B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111675864.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料及其制备方法；属于二维层状半导体异质结制备技术领域。所述异质结为垂直堆垛结构，以单层的WSe2层为底层，在所述底层上生长得到单层的VCIO层；得到所述WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料；所述纳米材料中，底层的WSe2层呈规则三角形，堆叠在底层WSe2层上的VOCl层由呈四边形的小尺寸纳米片通过晶畴连接而成。在488nm激光的照射下，顶层的VOCl单层薄膜能够显著的增强底层WSe2层的光致发光强度。本发明的WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料通过生长温度、载气流速和沉积温度三个参数控制的两次化学气相沉积法得到。本发明所公开的WSe2‑VOCl垂直异质结纳米材料展现出明显的WSe2光致发光增强，在二维材料发光器件领域具有潜在的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113284889A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110433616.8
申请日：2021-04-20
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/24 , H01L29/778 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体异质结阵列器件及其制备方法，所述二维半导体异质结阵列器件包含衬底、位于衬底上的沟道材料层陈列，间隔的位于每个沟道材料层上的两个接触层，以及分别位于两个接触层上的源极电极和漏极电极，沟道材料层与接触层为一体成型的WSe2/SnS2异质结材料，其中沟道材料层的材料为WSe2材料，接触层的材料为SnS2材料。SnS2作为金属电极和底层WSe2材料之间的接触层，起到保护与电极接触部分的材料、降低接触电阻、提升器件性能的作用。
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公开(公告)号：CN116093217A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310247217.1
申请日：2023-03-14
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种微米发光器件及其制备方法，包括：分别提供驱动基板和发光器件层；于所述驱动基板的第一表面依次形成第一键合层、第二键合层；于所述发光器件层的第一表面依次形成第三键合层、第四键合层；分别对所述第二键合层和所述第四键合层进行图形化处理，以在所述第二键合层上形成第一图案层，在所述第四键合层上形成第二图案层；将所述第一图案层和所述第二图案层进行预键合形成第一预键合结构；对所述第一预键合结构进行退火及加压处理。采用本方法给全彩Micro‑LED的垂直堆叠提供了方案，可以解决垂直堆叠过程中传统键合材料无法直接实现同种颜色像素在水平面上的n极互连、阵列化刻蚀难度大、键合材料寿命短的问题。
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公开(公告)号：CN120018668A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510186511.5
申请日：2025-02-20
Applicant: 湖南大学 , 北京数字光芯集成电路设计有限公司
IPC: H10H29/14 , H10D30/67 , H10H20/857 , H10H29/01 , H10D30/01
Abstract: 本发明公开了一种基于沟道、接触两用氧化铟锡的MOS结构驱动的micro‑LED及其制备方法，本发明的制备方法，一方面，通过光刻定义互连和源漏电极区后沉积简并态厚层氧化铟锡，将MOS结构源级与micro‑LED单元高台面的P电极互联实现串联。最终，通过栅极来控制发光单元的开关，实现原位驱动，由于工艺上的兼容性因此省去了传统的键合过程，大大简化制备流程降低生产成本，另一方面，采用控制厚度的方法制备出薄层的非简并态氧化铟锡半导体沟道和厚层的简并态氧化铟锡接触电极，实现低接触电阻的高电流MOS驱动单元。
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公开(公告)号：CN117355155A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311127203.2
申请日：2023-09-04
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种突触器件阵列及其制备方法，所述突触器件阵列由光电探测器以及设置于光电探测器之上的电致变色器件组成；所述光电探测器包含衬底、阵列化电极，感光层；所述阵列化电极位于衬底之上，所述阵列化电极中包含若干叉指电极以及金属电极pad；所述感光层由若干钙钛矿薄膜组成，任意一个钙钛矿薄膜设置于叉指电极之上完全覆盖叉指电极，所述电致变色器件由下至上包含Al2O3绝缘层，ITO电极、NiO电极、电致变色层、封装层；其中，所述电致变色层由若干电致变色薄膜组成，任意一个电致变色薄膜的垂直投影面完全覆盖叉指电极的垂直投影面。本发明实现了检测、存储和计算能力在单个单元中的共存。
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公开(公告)号：CN114351112B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210012714.9
申请日：2022-01-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种WSe2/WS2垂直异质结纳米材料及其制备方法；所述制备方法，包括如下步骤：以WSe2粉末和WO3粉末为原料，通过第一次化学气相沉积于衬底表面生长WSe2/WO3纳米片，然后将含WSe2/WO3纳米片的衬底，盖于装有NaCl粉末的容器中，并使得装有NaCl粉末的容器留有敞口，在含有S蒸汽的环境下，于含WSe2/WO3纳米片的衬底表面进行第二次化学气相沉积，控制第二次化学气相沉积的温度为530～570℃，即获得WSe2/WS2垂直异质结纳米材料。本发明通过WO3纳米片辅助的化学气相沉积法在较低温度下获得WSe2/WS2垂直异质结纳米材料，解决了现有技术中高温下制备WSe2/WS2垂直异质结纳米材料时底层材料易发生热分解、原子替换的难题，为制备其他高质量二维异质结提供了新的方法思路。
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