公开(公告)号：CN113284889B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202110433616.8

申请日：2021-04-20

Applicant: 湖南大学

Inventor： 李东 ,  朱晨光 ,  朱小莉 ,  潘安练

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8232

Abstract: 本发明公开了一种二维半导体异质结阵列器件及其制备方法，所述二维半导体异质结阵列器件包含衬底、位于衬底上的沟道材料层陈列，间隔的位于每个沟道材料层上的两个接触层，以及分别位于两个接触层上的源极电极和漏极电极，沟道材料层与接触层为一体成型的WSe2/SnS2异质结材料，其中沟道材料层的材料为WSe2材料，接触层的材料为SnS2材料。SnS2作为金属电极和底层WSe2材料之间的接触层，起到保护与电极接触部分的材料、降低接触电阻、提升器件性能的作用。

公开(公告)号：CN113284889A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110433616.8

申请日：2021-04-20

Applicant: 湖南大学

Inventor： 李东 ,  朱晨光 ,  朱小莉 ,  潘安练

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/778 ,  H01L21/8232

Abstract: 本发明公开了一种二维半导体异质结阵列器件及其制备方法，所述二维半导体异质结阵列器件包含衬底、位于衬底上的沟道材料层陈列，间隔的位于每个沟道材料层上的两个接触层，以及分别位于两个接触层上的源极电极和漏极电极，沟道材料层与接触层为一体成型的WSe2/SnS2异质结材料，其中沟道材料层的材料为WSe2材料，接触层的材料为SnS2材料。SnS2作为金属电极和底层WSe2材料之间的接触层，起到保护与电极接触部分的材料、降低接触电阻、提升器件性能的作用。