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公开(公告)号：CN116093217A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310247217.1
申请日：2023-03-14
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种微米发光器件及其制备方法，包括：分别提供驱动基板和发光器件层；于所述驱动基板的第一表面依次形成第一键合层、第二键合层；于所述发光器件层的第一表面依次形成第三键合层、第四键合层；分别对所述第二键合层和所述第四键合层进行图形化处理，以在所述第二键合层上形成第一图案层，在所述第四键合层上形成第二图案层；将所述第一图案层和所述第二图案层进行预键合形成第一预键合结构；对所述第一预键合结构进行退火及加压处理。采用本方法给全彩Micro‑LED的垂直堆叠提供了方案，可以解决垂直堆叠过程中传统键合材料无法直接实现同种颜色像素在水平面上的n极互连、阵列化刻蚀难度大、键合材料寿命短的问题。
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公开(公告)号：CN118198229A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410587538.0
申请日：2024-05-13
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米柱光致发光Micro‑LED器件及其制备方法，所述光致发光Micro‑LED器由晶圆级蓝光Micro‑LED器件，以及设置于晶圆级蓝光Micro‑LED阵列器件上方的Micro‑LED颜色转化层组成，所述Micro‑LED颜色转化层，由下至上，包含刻蚀停止层，SiO2牺牲层，SiO2封装层B，所述SiO2牺牲层中，含有阵列化的纳米柱区域，任意一个纳米柱区域由纳米孔以及生长于纳米孔中的钙钛矿纳米柱组成，所述纳米孔的内壁表面有Al2O3层，本发明所提供的光致发光Micro‑LED器件，利用钙钛矿纳米柱极高的光致发光量子效率实现高效率的发光转换。
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公开(公告)号：CN118398745A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410784256.X
申请日：2024-06-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米柱光致发光Micro‑LED器件及其制备方法，所述光致发光Micro‑LED器由晶圆级蓝光Micro‑LED器件，以及设置于晶圆级蓝光Micro‑LED阵列器件上方的Micro‑LED颜色转化层组成，所述Micro‑LED颜色转化层，由下至上，包含刻蚀停止层，SiO2牺牲层，SiO2封装层B，所述SiO2牺牲层中，含有阵列化的纳米柱区域，任意一个纳米柱区域由纳米孔以及生长于纳米孔中的钙钛矿纳米柱组成，所述纳米孔的内壁表面有Al2O3层，本发明所提供的光致发光Micro‑LED器件，利用钙钛矿纳米柱极高的光致发光量子效率实现高效率的发光转换。
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