公开(公告)号：CN117355155A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311127203.2

申请日：2023-09-04

Applicant: 湖南大学

Inventor： 李东 ,  黄璐璐 ,  刘莹 ,  朱小莉 ,  潘安练

IPC: H10K30/80 ,  H10K85/50 ,  H10K30/60 ,  H10K30/81 ,  H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  G11C11/42

Abstract: 本发明公开了一种突触器件阵列及其制备方法，所述突触器件阵列由光电探测器以及设置于光电探测器之上的电致变色器件组成；所述光电探测器包含衬底、阵列化电极，感光层；所述阵列化电极位于衬底之上，所述阵列化电极中包含若干叉指电极以及金属电极pad；所述感光层由若干钙钛矿薄膜组成，任意一个钙钛矿薄膜设置于叉指电极之上完全覆盖叉指电极，所述电致变色器件由下至上包含Al2O3绝缘层，ITO电极、NiO电极、电致变色层、封装层；其中，所述电致变色层由若干电致变色薄膜组成，任意一个电致变色薄膜的垂直投影面完全覆盖叉指电极的垂直投影面。本发明实现了检测、存储和计算能力在单个单元中的共存。