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公开(公告)号：CN113549452B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110218194.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于二维材料微纳光电集成领域，具体公开了一种氧吸附增强单层WS2荧光的方法，将WS2进行物理气相沉积，得到单层WS2二维材料，随后将其置于含氧气体中处理，从而提高材料的荧光强度。本发明经过深入研究发现，将PVD合成的单层WS2二维材料进行含氧气氛的处理，有助于实现二维材料的荧光增强。本发明工艺技术简单，调控手段方便，所涉及的物理化学机理清晰，对未来纳米材料的基础研究和光电器件集成应用方面具有极大的潜力和价值。
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公开(公告)号：CN113549452A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110218194.2
申请日：2021-02-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于二维材料微纳光电集成领域，具体公开了一种氧吸附增强单层WS2荧光的方法，将WS2进行物理气相沉积，得到单层WS2二维材料，随后将其置于含氧气体中处理，从而提高材料的荧光强度。本发明经过深入研究发现，将PVD合成的单层WS2二维材料进行含氧气氛的处理，有助于实现二维材料的荧光增强。本发明工艺技术简单，调控手段方便，所涉及的物理化学机理清晰，对未来纳米材料的基础研究和光电器件集成应用方面具有极大的潜力和价值。
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公开(公告)号：CN119403332B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510000199.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种鳍型三色集成Micro‑LED显示器件及其制备方法；涉及光学半导体领域，该显示器件包括驱动基板，所述驱动基板表面设有多个凹槽区，多个凹槽区呈阵列排布；每个凹槽区中均嵌设有LED bar单元，LED bar单元可被单独驱动；LED bar单元包括多个LED单元和多个电极层，LED单元与电极层穿插排列且呈鳍型固定在驱动基板凹槽区内，两电极层分别组成LED bar单元的最外侧两层；该方法是通过晶圆垂直键合并深槽刻蚀后进行旋转巨量转移；本申请将蚀刻后的LED bar单元旋转水平放置在驱动基板凹槽内，每个LED bar单元包括发光区和金属区，发光区呈鳍型水平排列，发光面积较小，进而可以实现纳米级尺寸发光，且垂直方向无光串扰现象；金属区可以阻挡反射发光区的光，避免水平方向上光串扰的同时也提高了发光区的亮度，从而提高LED像素bar单元的出光效率以及显示饱和度。
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公开(公告)号：CN119286513A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411397912.7
申请日：2024-10-09
Applicant: 湖南大学
IPC: C09K11/66 , H10K85/50 , H10K30/10 , H10K30/60 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , C09K11/68 , C09K11/88 , C09K11/02
Abstract: 本发明属于低维半导体材料微纳光电集成领域，具体涉及一种基于暗态能量转移机制增强TMDs荧光的方法，获得钙钛矿‑TMDs异质结，随后通过双光子泵浦光源进行激发，积累暗态能量并诱导宇称禁止的暗态能量转移，从而强化TMDs荧光；所述的钙钛矿‑TMDs异质结包括钙钛矿纳米片，以及复合在其表面的TMDs，其中，钙钛矿、TMDs的暗激子态能带匹配。本发明还提供了利用该方法改善器件中荧光强度的应用。本发明提供了一种全新的TMDs荧光增强思路，其创新地将TMDs和钙钛矿构建异质结系统，并通过TMDs和钙钛矿构建异质结能带匹配成分以及所述的双光子泵浦光源激发的联合控制，如此可以诱导暗态能量转移，从而基于暗态能量转移机制实现TMDs的荧光增强。
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公开(公告)号：CN119403332A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000199.6
申请日：2025-01-02
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种鳍型三色集成Micro‑LED显示器件及其制备方法；涉及光学半导体领域，该显示器件包括驱动基板，所述驱动基板表面设有多个凹槽区，多个凹槽区呈阵列排布；每个凹槽区中均嵌设有LED bar单元，LED bar单元可被单独驱动；LED bar单元包括多个LED单元和多个电极层，LED单元与电极层穿插排列且呈鳍型固定在驱动基板凹槽区内，两电极层分别组成LED bar单元的最外侧两层；该方法是通过晶圆垂直键合并深槽刻蚀后进行旋转巨量转移；本申请将蚀刻后的LED bar单元旋转水平放置在驱动基板凹槽内，每个LED bar单元包括发光区和金属区，发光区呈鳍型水平排列，发光面积较小，进而可以实现纳米级尺寸发光，且垂直方向无光串扰现象；金属区可以阻挡反射发光区的光，避免水平方向上光串扰的同时也提高了发光区的亮度，从而提高LED像素bar单元的出光效率以及显示饱和度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113871515B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111145683.6
申请日：2021-09-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种波导集成的发光二极管，本发明首次以N型硫化镉纳米带和P型单层硒化钨构建PN结，通过在PN结两端施加一个正向偏压，成功实现了基于硫化镉和硒化钨PN结的发光二极管，并利用硫化镉与硒化钨的波导耦合结构，进一步实现了一种波导集成的发光二极管。本发明对现代集成芯片中硅上光源集成及光源与波导结构耦合难题的解决，具有重要的参考价值和工业应用价值。
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公开(公告)号：CN119133208A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411240207.6
申请日：2024-09-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请公开了防光串扰的堆叠结构Micro‑LED显示模块及其制备方法；涉及光学半导体领域，该显示模块包括多个阵列设置的像素点单元，像素点单元包括堆叠设置的基板层和钝化层，基板层和钝化层之间设有多个发光区块，多个发光区块堆叠设置；每个发光区块上均设有N电极，多个N电极之间相互不连通，多个发光区块共同连接有P电极；N电极与P电极之间通过钝化层隔绝；该方法是通过逐层堆叠并图案化制备的该显示模块；本申请将多个发光区块的电极分隔设置，正反向电压或电流的控制下，使短波长LED对长波长LED光致发光效应产生的光生载流子反向迁移，不在发光层复合发光，实现不同波长完全依靠电控制发光，在外加偏压调控的情况下，减少多色堆叠Micro‑LED芯片中光串扰的现象，提高Micro‑LED显示的饱和度。
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公开(公告)号：CN118367448A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410467438.4
申请日：2024-04-18
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于低维半导体材料微纳光电集成领域，具体公开了一种基于CsPbBr3纳米片的上转换等离激元激光器及其制备和应用，本发明所述的上转换等离激元激光器，包括云母基底、沉积在云母基底上的CsPbBr3纳米片、包覆CsPbBr3纳米片的绝缘层，以及包覆绝缘层的Au金属膜。本发明所述的激光器，其能在双光子泵浦下CsPbBr3纳米片界面局域激子与表面等离激元耦合，大幅降低激光器的阈值，同时保持较高的品质因子。本发明工艺技术简单，调控手段方便，所涉及的物理化学机理清晰，对未来微纳半导体材料的基础研究和非线性光源在光子集成电路中的应用具有极大的指导意义和参考价值。
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公开(公告)号：CN113871515A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111145683.6
申请日：2021-09-28
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种波导集成的发光二极管，本发明首次以N型硫化镉纳米带和P型单层硒化钨构建PN结，通过在PN结两端施加一个正向偏压，成功实现了基于硫化镉和硒化钨PN结的发光二极管，并利用硫化镉与硒化钨的波导耦合结构，进一步实现了一种波导集成的发光二极管。本发明对现代集成芯片中硅上光源集成及光源与波导结构耦合难题的解决，具有重要的参考价值和工业应用价值。
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公开(公告)号：CN111525393A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010092752.0
申请日：2020-02-14
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明涉及一种电可调控波长的纳米激光器。本发明以单根的纳米单晶硫化镉纳米带为增益介质，使用具有超高瞬时功率的飞秒光泵浦，成功实现了基于硫化镉纳米结构的纳米激光器，并通过引入外加偏压，进一步实现了一种电可调控波长的纳米级激光器。对现代集成芯片中硅上光源难题的解决，具有重要的参考价值。本发明所使用的硫化镉纳米带厚度为100纳米左右，宽度为5微米左右，长度为十几微米。该纳米材料的具体合成方法是：先在洗净的硅片上沉积一层金膜，然后以硫化镉粉末为源材料，利用VLS生长机制在镀有金膜的硅片上生长硫化镉纳米带。
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