-
公开(公告)号：CN117198432A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311028801.4
申请日：2023-08-16
申请人： 湖南大学 , 湖南创一电子科技股份有限公司
IPC分类号： G16C60/00
摘要： 一种稀土超磁致伸缩材料磁能损耗计算模型构建方法，包括以下步骤：(1)控制预应力和环境温度不变，得到考虑磁感应强度幅值因素的损耗模型；(2)控制磁感应强度幅值和环境温度不变，得到考虑预应力因素的损耗模型；(3)控制磁感应强度幅值和预应力不变，得到考虑环境温度因素的损耗模型；(4)根据考虑磁感应强度幅值因素的损耗模型、考虑预应力因素的损耗模型及考虑环境温度因素的损耗模型，得到考虑磁感应强度幅值、预应力、环境温度因素的损耗模型。本发明可对不同磁感应强度幅值、预应力以及环境温度下的磁能损耗进行准确计算，相对误差小。
-
公开(公告)号：CN117109937A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310922983.3
申请日：2023-07-25
申请人： 招商局检测车辆技术研究院有限公司 , 湖南大学
IPC分类号： G01M17/007
摘要： 本申请涉及一种模拟AEB制动功能的汽车碰撞试验牵引装置，涉及汽车碰撞试验的技术领域，包括设置在试验轨道上的安装底板，安装底板上转动设置有移动轮，安装底板上设置有制动机构，制动机构包括上摩擦片、下摩擦片和直线驱动器。上摩擦片与下摩擦片对试验轨道进行夹紧实现制动，提高了汽车碰撞试验的制动效果，且调速范围广、精度较高，从而实现工况内不同减速度下的模拟AEB制动效果，以此提高碰撞试验数据的精确性；通过调节直线驱动器的效率可以实现控制摩擦力大小，既实现了碰撞车辆实现模拟AEB制动过程，又能够实现以可调的减速度实现模拟AEB制动的碰撞试验，因此提高了汽车碰撞试验的效率。
-
公开(公告)号：CN116579189B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310854021.9
申请日：2023-07-13
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
摘要： 本发明提供一种IGBT功率模块寿命预测方法及装置。IGBT功率模块寿命预测方法中，根据Tj(max)、Tj(min)、△Rths计算待测IGBT功率模块的寿命Nf。其中，Tj(max)、Tj(min)分别对应为一个功率循环周期内待测IGBT模块中IGBT芯片结温最大值、IGBT芯片结温最小值；热阻偏差△Rths=(Rths,v‑Rths)/Rths；Rths,v为所述待测IGBT功率模块的芯片焊料层的热阻，Rths为理想IGBT功率模块的芯片焊料层的热阻，理想IGBT功率模块的芯片焊料层为无初始空洞的芯片焊料层。
-
公开(公告)号：CN116741725A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310991795.6
申请日：2023-08-08
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/38
摘要： 一种功率模块的自冷式近结热管理结构，包括热电结构和冷却结构，热电结构与冷却结构相连，热电结构包括从上至下依次排布的上陶瓷层、上导电层、热电半导体结构、下导电层和下陶瓷层，上陶瓷层作为热电结构的热端，下陶瓷层作为热电结构的冷端，冷却结构用于对下陶瓷层进行降温，保持热电结构冷热两端的温差，热电结构将功率模块产生的热量转换成电能，产生的电能为冷却结构提供驱动力。本发明可根据功率模块损耗情况，自适应调节驱动能量的大小，在低损耗阶段，提供较小的驱动能量，在高损耗阶段，提供较大的驱动能量。
-
公开(公告)号：CN116432543B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310693256.4
申请日：2023-06-13
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/27 , G06N3/0464 , G01R31/26 , G06F119/04
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质，确定在加速老化测试过程中表征功率半导体模块老化过程的前驱参数；获取两组同类功率半导体模块在整个加速老化测试中前驱参数随时间变化的数据；对前驱参数随时间变化的数据进行相关处理，推导出所需要的训练数据和测试数据；选择用于训练的前驱参数随时间变化的数据和用于测试的前驱参数随时间变化的数据的部分数据；利用训练数据产生训练损失，利用选择的部分数据执行最大平均差异法完成迁移学习域适应，产生差异损失；设置综合损失函数对卷积神经网络进行迭代训练，得到训练完成的剩余寿命预测模型。本发明有效地解决了前驱参数数据“分布来源”不一致的问题。
-
公开(公告)号：CN116579189A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310854021.9
申请日：2023-07-13
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F119/02 , G06F119/04
摘要： 本发明提供一种IGBT功率模块寿命预测方法及装置。IGBT功率模块寿命预测方法中，根据Tj(max)、Tj(min)、△Rths计算待测IGBT功率模块的寿命Nf。其中，Tj(max)、Tj(min)分别对应为一个功率循环周期内待测IGBT模块中IGBT芯片结温最大值、IGBT芯片结温最小值；热阻偏差△Rths=(Rths,v‑Rths)/Rths；Rths,v为所述待测IGBT功率模块的芯片焊料层的热阻，Rths为理想IGBT功率模块的芯片焊料层的热阻，理想IGBT功率模块的芯片焊料层为无初始空洞的芯片焊料层。
-
公开(公告)号：CN116484777A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310721350.6
申请日：2023-06-19
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/3308 , G06F30/398 , G01R31/26 , G06F119/06 , G06F119/08
摘要： 本发明提供一种热网络模型建模及芯片温度计算方法、设备及存储介质。功率模块热网络模型包括K个传热支路；第i个功率损耗元件与热沉连接，第i个功率损耗元件、节点Y(i,1)之间设置热阻Ri,1,1；节点Y(i,na)与节点Y(i,na+1)之间设置相互串联的热阻Ri,na,2、热阻Ri,na+1,1，节点Y(i,N)与节点Y(i,N+1)之间设置有热阻Ri,N,2；节点Y(i,nb)与热沉之间设置热容Ci,nb；阻值根据热流密度、第nb层的厚度、实际功率损耗、第i条路径上第nb层的热导率确定；容值根据热流密度、第nb层的厚度、实际功率损耗、第i条路径上第nb层的比热容、第nb层的密度确定。
-
公开(公告)号：CN116455347A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310585249.2
申请日：2023-05-23
申请人： 湖南大学
摘要： 一种磁致伸缩换能器混合宽带阻抗匹配网络及方法，该网络包括无源阻抗匹配网络和有源阻抗匹配网络，无源阻抗匹配网络由无源匹配电感Lp与无源匹配电容Cp组成，无源匹配电感Lp的一端与电源的正极连接，无源匹配电感Lp的另一端则与无源匹配电容Cp的一端连接，无源匹配电容Cp的另一端则与外部电源的负极相连接；有源阻抗匹配网络由逆变电路、LC滤波电路以及直流侧电源Vdc与直流侧电容Cdc构成，逆变电路为由四个功率器件S1、S2、S3、S4构成的单相全桥逆变电路，LC滤波电路由滤波电感Ls和滤波电容Cs组成。还包括一种磁致伸缩换能器混合宽带阻抗匹配方法。本发明能够有效拓展磁致伸缩换能器的工作带宽。
-
公开(公告)号：CN116454040A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310706981.0
申请日：2023-06-15
申请人： 湖南大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/15
摘要： 本发明提供一种功率半导体器件封装结构，所述功率半导体器件封装结构具有在高度方向上由上到下依次设置的芯片、第一铜层、陶瓷层、第二铜层；其特征在于：所述陶瓷层朝向第一铜层/第二铜层的一侧开设有凹槽，所述第一铜层/第二铜层具有朝向陶瓷层设置的凸起，所述凸起与凹槽的形状相适应；平行于所述封装结构高度方向且经过所述凹槽最大槽深位置的直线与芯片轴线相重合。
-
公开(公告)号：CN116432543A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310693256.4
申请日：2023-06-13
申请人： 湖南大学
IPC分类号： G06F30/27 , G06N3/0464 , G01R31/26 , G06F119/04
摘要： 本发明公开了一种功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质，确定在加速老化测试过程中表征功率半导体模块老化过程的前驱参数；获取两组同类功率半导体模块在整个加速老化测试中前驱参数随时间变化的数据；对前驱参数随时间变化的数据进行相关处理，推导出所需要的训练数据和测试数据；选择用于训练的前驱参数随时间变化的数据和用于测试的前驱参数随时间变化的数据的部分数据；利用训练数据产生训练损失，利用选择的部分数据执行最大平均差异法完成迁移学习域适应，产生差异损失；设置综合损失函数对卷积神经网络进行迭代训练，得到训练完成的剩余寿命预测模型。本发明有效地解决了前驱参数数据“分布来源”不一致的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
108 条记录 (耗时 0.034 秒)
