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公开(公告)号：CN114937696B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210392797.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片及其驱动方法、存储介质。IGBT芯片包括元胞，元胞由两个第一结构拼接而成；第一结构包括N型衬底、第一栅极和第二栅极；N型衬底上表面开设凹槽，第一栅极为设置在N型衬底上的第一栅极510，第二栅极的至少部分伸入凹槽，第二栅极与第一栅极在N型衬底上表面的投影之间的间距为d，d的取值范围为100埃米~200埃米；第一栅极下方设置有第一有源区，凹槽的远离第一栅极一侧设置有第二有源区；第一有源区、第二有源区均设置于N型衬底上；各个元胞的第一有源区中的第一金属层、第二有源区中的第二金属层相互接触从而形成IGBT芯片的发射极；各个元胞的N型衬底相互接触从而形成一体结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116484777A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310721350.6
申请日：2023-06-19
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/398 , G01R31/26 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供一种热网络模型建模及芯片温度计算方法、设备及存储介质。功率模块热网络模型包括K个传热支路；第i个功率损耗元件与热沉连接，第i个功率损耗元件、节点Y(i,1)之间设置热阻Ri,1,1；节点Y(i,na)与节点Y(i,na+1)之间设置相互串联的热阻Ri,na,2、热阻Ri,na+1,1，节点Y(i,N)与节点Y(i,N+1)之间设置有热阻Ri,N,2；节点Y(i,nb)与热沉之间设置热容Ci,nb；阻值根据热流密度、第nb层的厚度、实际功率损耗、第i条路径上第nb层的热导率确定；容值根据热流密度、第nb层的厚度、实际功率损耗、第i条路径上第nb层的比热容、第nb层的密度确定。
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公开(公告)号：CN114937696A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210392797.9
申请日：2022-04-15
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片及其驱动方法、存储介质。IGBT芯片包括元胞，元胞由两个第一结构拼接而成；第一结构包括N型衬底、第一栅极和第二栅极；N型衬底上表面开设凹槽，第一栅极为设置在N型衬底上的第一栅极510，第二栅极的至少部分伸入凹槽，第二栅极与第一栅极在N型衬底上表面的投影之间的间距为d，d的取值范围为100埃米~200埃米；第一栅极下方设置有第一有源区，凹槽的远离第一栅极一侧设置有第二有源区；第一有源区、第二有源区均设置于N型衬底上；各个元胞的第一有源区中的第一金属层、第二有源区中的第二金属层相互接触从而形成IGBT芯片的发射极；各个元胞的N型衬底相互接触从而形成一体结构。
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公开(公告)号：CN116632059B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310870552.7
申请日：2023-07-17
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供一种发射极伸入衬底凹槽的IGBT芯片，包括具有N型衬底、发射极金属结构的元胞；各个元胞的N型衬底相互连接从而形成一体结构，各个元胞的发射极金属结构相互连接从而形成IGBT芯片的发射极；元胞的第一结构具有开设在N型衬底上的第一凹槽，两个第一结构连接处具有开设在N型衬底上的第二凹槽，第一凹槽、第二凹槽均沿着IGBT芯片高度方向向下伸入N型衬底；第一结构包括第一栅极、第一有源区；第一栅极的至少部分伸入第一凹槽；第一有源区设置于第一凹槽、第二凹槽之间；发射极金属结构的至少部分伸入第二凹槽；发射极金属结构的至少部分的底端所在高度位置低于第一栅极的至少部分的底端所在高度位置。
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公开(公告)号：CN116632059A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310870552.7
申请日：2023-07-17
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供一种发射极伸入衬底凹槽的IGBT芯片，包括具有N型衬底、发射极金属结构的元胞；各个元胞的N型衬底相互连接从而形成一体结构，各个元胞的发射极金属结构相互连接从而形成IGBT芯片的发射极；元胞的第一结构具有开设在N型衬底上的第一凹槽，两个第一结构连接处具有开设在N型衬底上的第二凹槽，第一凹槽、第二凹槽均沿着IGBT芯片高度方向向下伸入N型衬底；第一结构包括第一栅极、第一有源区；第一栅极的至少部分伸入第一凹槽；第一有源区设置于第一凹槽、第二凹槽之间；发射极金属结构的至少部分伸入第二凹槽；发射极金属结构的至少部分的底端所在高度位置低于第一栅极的至少部分的底端所在高度位置。
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公开(公告)号：CN116484777B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310721350.6
申请日：2023-06-19
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/3308 , G06F30/398 , G01R31/26 , G06F119/06 , G06F119/08
Abstract: 本发明提供一种热网络模型建模及芯片温度计算方法、设备及存储介质。功率模块热网络模型包括K个传热支路；第i个功率损耗元件与热沉连接，第i个功率损耗元件、节点Y(i,1)之间设置热阻Ri,1,1；节点Y(i,na)与节点Y(i,na+1)之间设置相互串联的热阻Ri,na,2、热阻Ri,na+1,1，节点Y(i,N)与节点Y(i,N+1)之间设置有热阻Ri,N,2；节点Y(i,nb)与热沉之间设置热容Ci,nb；阻值根据热流密度、第nb层的厚度、实际功率损耗、第i条路径上第nb层的热导率确定；容值根据热流密度、第nb层的厚度、实际功率损耗、第i条路径上第nb层的比热容、第nb层的密度确定。
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