- 专利标题: 功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质
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申请号: CN202310693256.4申请日: 2023-06-13
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公开(公告)号: CN116432543A公开(公告)日: 2023-07-14
- 发明人: 杨鑫 , 张越 , 武新龙 , 欧阳晓平
- 申请人: 湖南大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号
- 专利权人: 湖南大学
- 当前专利权人: 湖南大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号
- 代理机构: 长沙正奇专利事务所有限责任公司
- 代理商 王娟
- 主分类号: G06F30/27
- IPC分类号: G06F30/27 ; G06N3/0464 ; G01R31/26 ; G06F119/04
摘要:
本发明公开了一种功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质,确定在加速老化测试过程中表征功率半导体模块老化过程的前驱参数;获取两组同类功率半导体模块在整个加速老化测试中前驱参数随时间变化的数据;对前驱参数随时间变化的数据进行相关处理,推导出所需要的训练数据和测试数据;选择用于训练的前驱参数随时间变化的数据和用于测试的前驱参数随时间变化的数据的部分数据;利用训练数据产生训练损失,利用选择的部分数据执行最大平均差异法完成迁移学习域适应,产生差异损失;设置综合损失函数对卷积神经网络进行迭代训练,得到训练完成的剩余寿命预测模型。本发明有效地解决了前驱参数数据“分布来源”不一致的问题。
公开/授权文献
- CN116432543B 功率半导体模块剩余寿命预测方法、终端设备及存储介质 公开/授权日:2023-09-05