发明公开
- 专利标题: 一种稀土超磁致伸缩材料磁能损耗计算模型构建方法
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申请号: CN202311028801.4申请日: 2023-08-16
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公开(公告)号: CN117198432A公开(公告)日: 2023-12-08
- 发明人: 杨鑫 , 郑皓斌 , 陈钰凯 , 苏立良
- 申请人: 湖南大学 , 湖南创一电子科技股份有限公司
- 申请人地址: 湖南省长沙市麓山南路2号
- 专利权人: 湖南大学,湖南创一电子科技股份有限公司
- 当前专利权人: 湖南大学,湖南创一电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市麓山南路2号
- 代理机构: 湖南企企卫知识产权代理有限公司
- 代理商 李林凤
- 主分类号: G16C60/00
- IPC分类号: G16C60/00
摘要:
一种稀土超磁致伸缩材料磁能损耗计算模型构建方法,包括以下步骤:(1)控制预应力和环境温度不变,得到考虑磁感应强度幅值因素的损耗模型;(2)控制磁感应强度幅值和环境温度不变,得到考虑预应力因素的损耗模型;(3)控制磁感应强度幅值和预应力不变,得到考虑环境温度因素的损耗模型;(4)根据考虑磁感应强度幅值因素的损耗模型、考虑预应力因素的损耗模型及考虑环境温度因素的损耗模型,得到考虑磁感应强度幅值、预应力、环境温度因素的损耗模型。本发明可对不同磁感应强度幅值、预应力以及环境温度下的磁能损耗进行准确计算,相对误差小。