图像生成装置
    51.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102947741A

    公开(公告)日:2013-02-27

    申请号:CN201180030710.3

    申请日:2011-06-17

    CPC classification number: G01B11/022 G02B5/001 G02B21/0016 G02B21/002

    Abstract: 图像生成装置(1)包含:激光光源(3),其射出激光;激光输出控制部(11),其调制激光的强度;激光扫描仪(5),其扫描激光的向被测定物(A)的照射位置;调制图案控制部(15),其以对被测定物(A)照射多个空间调制图案的照明光的方式进行控制;电信号检测器(7),其检测对应于多个空间调制图案的照明光的照射而自被测定物(A)产生的电信号;电信号图像化部(17),其生成二维特性图像,该二维特性图像包含将与照明光的照射位置相关的照射位置信息、及与所检测出的信号的特性相关的特性信息建立对应的特性分布信息;及图像数据运算部(19),其以对应于多个空间调制图案而生成的多个特性图像为基础,生成被测定物(A)的图案图像。

    观察装置和方法
    52.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101688971A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200880021192.7

    申请日:2008-06-13

    Abstract: 在进行半导体组件(11)的观察的情况下,首先,如果检测出固体浸没透镜(6)接触于半导体组件(11),则通过振动发生部使固体浸没透镜(6)振动。接着,输入来自固体浸没透镜(6)的反射光像,算出反射光像的反射光量(m),并判断该反射光量(m)对入射光量(n)的比率(m/n)是否没有超过阈值(A)。在比率(m/n)超过阈值(A)时,判断为未获得固体浸没透镜(6)和半导体组件(11)的光学紧贴,再次使固体浸没透镜(6)振动。在比率(m/n)没有超过阈值(A)时,判断为获得固体浸没透镜(6)和半导体组件(11)的光学紧贴,取得半导体组件(11)的观察图像。于是,实现了能够提高固体浸没透镜和观察对象物的紧贴性的观察装置和方法。

    固体浸没透镜保持器
    53.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101688963A

    公开(公告)日:2010-03-31

    申请号:CN200880021184.2

    申请日:2008-06-13

    Abstract: 固体浸没透镜保持器(200)具备:具有保持固体浸没透镜(6)的透镜保持部(60)的保持器主体(8)和用于将该保持器主体(8)安装于物镜(21)的前端部的物镜插座(9)。固体浸没透镜(6)相对于透镜保持部(60)不固定并在自由的状态下被保持。在物镜插座(9),安装有使保持器主体(8)振动的振动发生部(120)。振动发生部(120)具有保持于马达保持部件(130)的振动马达(140),在该振动马达(140)的输出轴(141),安装有在重量上偏向的构造的重物(142)。在振动发生部(120)发生的振动经由物镜插座(9)和保持器主体(8)而传播至固体浸没透镜(6)。于是,实现了能够提高固体浸没透镜和观察对象物之间的紧贴性的固体浸没透镜保持器。

    半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序

    公开(公告)号:CN101484818A

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:CN200680054964.8

    申请日:2006-10-23

    CPC classification number: G01R31/303

    Abstract: 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、以及对半导体器件的不良进行分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)具有分析区域设定部,该分析区域设定部通过比较不良观察图像中的亮度分布和规定的亮度临界值,从而抽出起因于不良的反应区域,并对应于反应区域而设定用于半导体器件的不良分析的分析区域。由此,实现了一种能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

    半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序

    公开(公告)号:CN101460858A

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:CN200680054968.6

    申请日:2006-10-23

    CPC classification number: G01R31/311 G01N21/95607 G01R31/2894

    Abstract: 由取得半导体器件的不良观察图像(P2)的检查信息取得部(11)、取得布图信息的布图信息取得部(12)、进行不良分析的不良分析部(13)构成不良分析装置(10)。不良分析部(13)抽出半导体器件的多个网路中通过从不良观察图像设定的多个分析区域的至少1个的候补网路、以及该候补网路通过分析区域的通过次数,选择通过次数最多的候补网路,以作为第1不良网路,并且,着眼于第1不良网路未通过的分析区域,进行第2不良网路的选择。由此,实现了能够可靠且高效地进行使用不良观察图像的半导体器件的不良的分析的半导体不良分析装置、不良分析方法、以及不良分析程序。

    固体浸没透镜保持器
    56.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100380153C

    公开(公告)日:2008-04-09

    申请号:CN200480032468.3

    申请日:2004-10-28

    CPC classification number: G02B7/14 G02B21/33

    Abstract: 本发明,形成具备在使固体浸没透镜3的底面通过开口9b向下方突出的状态下在自重方向上支撑该固体浸没透镜3的保持器9的构成。由此,固体浸没透镜3被载置于观察对象物时,形成固体浸没透镜3被该观察对象物抬起的状态,形成相对于保持器9自由的状态。而且,此时,不会在观察对象物上施加过度的压力,并且,固体浸没透镜3紧密地密合于观察对象物,同时,保持器9侧或观察对象物侧的温度漂移相对于对方侧被隔断而消除温度漂移造成的影响。由此,可获得不会对观察对象物造成损伤、并且可进行高精度的观察的固体浸没透镜。

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