一种功率模块及其制造方法

    公开(公告)号:CN108346641A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201710063326.2

    申请日:2017-01-24

    CPC classification number: H01L23/50 H01L21/56

    Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制造方法,功率模块包括:第一绝缘介质基板,其上表面具有第一导电层;功率半导体芯片,所述功率半导体芯片贴设于所述第一绝缘介质基板的上表面上;绝缘层,覆盖于所述第一绝缘介质基板上,将所述功率半导体芯片包覆在内,所述绝缘层开设有位于所述功率半导体芯片上方的通孔,且所述通孔内填充有导电物质;第二导电层,设置于所述绝缘层之上,所述第二导电层通过所述导电物质与所述功率半导体芯片电气连接。封装无需开塑封模,节省了生产成本;另外,功率半导体芯片通过在绝缘层上开设通孔并填充导电物质与上层的导电层实现电气连接,减小了模块的体积,有利于模块小型化。

    一种功率模块及其制造方法

    公开(公告)号:CN108346637A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201710063230.6

    申请日:2017-01-24

    Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制造方法,功率模块包括:绝缘介质基板,包括第一导电层和设于所述第一导电层之上的第一绝缘层,所述第一绝缘层开设有第一导电路径;第二绝缘层,所述第二绝缘层开设有第二导电路径;图形化的第二导电层;至少一个功率半导体芯片,嵌设于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间;其中,所述功率半导体芯片通过所述第一导电路径与所述第一导电层形成电气连接,且通过所述第二导电路径与所述第二导电层形成电气连接。封装无需开塑封模,节省了生产成本;另外,功率半导体芯片通过在绝缘层上开设通孔并填充导电物质与上层的导电层实现电气连接,减小了模块的体积,有利于模块小型化。

    一种IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路

    公开(公告)号:CN103905019B

    公开(公告)日:2017-12-12

    申请号:CN201210589902.4

    申请日:2012-12-31

    CPC classification number: H03K17/567 H03K17/14 H03K17/168 H03K17/785

    Abstract: 本发明提出了一种IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路,包括IGBT模块、MCU、第一光耦和驱动模块,MCU与第一光耦之间连接有第一电阻,驱动模块与IGBT模块之间连接有门极驱动电阻,在第一光耦与驱动模块之间具有积分电路,积分电路包括积分电路等效电阻和第一电容,通过改变积分电路等效电阻的阻值,调节积分电路的时间常数,实现对门极驱动电阻的等效调节。本发明的IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路能够对门极驱动电阻的等效阻值进行调节,无需人工更改门极驱动电阻就能驱动不同功率的IGBT模块,优化了IGBT模块的工作状态。

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