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公开(公告)号：CN102013422A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910171849.4
申请日：2009-09-07
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块，包括：底板；设置在所述底板上的多个IGBT芯片和至少一个反向二极管；设置在所述底板上的第一导电连接板和第二导电连接板，所述第一和第二导电连接板分别对应与每个IGBT芯片和所述反向二极管的正、负极电连接，以并联所述多个IGBT芯片和所述反向二极管，其中所述第一导电连接板两端之间和第二导电连接板两端之间预定位置分别设置有电极引出部以引出所述IGBT模块的安装电极。本发明可以使得IGBT模块提供高可靠性的较大功率。
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公开(公告)号：CN108346641A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710063326.2
申请日：2017-01-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制造方法，功率模块包括：第一绝缘介质基板，其上表面具有第一导电层；功率半导体芯片，所述功率半导体芯片贴设于所述第一绝缘介质基板的上表面上；绝缘层，覆盖于所述第一绝缘介质基板上，将所述功率半导体芯片包覆在内，所述绝缘层开设有位于所述功率半导体芯片上方的通孔，且所述通孔内填充有导电物质；第二导电层，设置于所述绝缘层之上，所述第二导电层通过所述导电物质与所述功率半导体芯片电气连接。封装无需开塑封模，节省了生产成本；另外，功率半导体芯片通过在绝缘层上开设通孔并填充导电物质与上层的导电层实现电气连接，减小了模块的体积，有利于模块小型化。
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公开(公告)号：CN108346637A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710063230.6
申请日：2017-01-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制造方法，功率模块包括：绝缘介质基板，包括第一导电层和设于所述第一导电层之上的第一绝缘层，所述第一绝缘层开设有第一导电路径；第二绝缘层，所述第二绝缘层开设有第二导电路径；图形化的第二导电层；至少一个功率半导体芯片，嵌设于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间；其中，所述功率半导体芯片通过所述第一导电路径与所述第一导电层形成电气连接，且通过所述第二导电路径与所述第二导电层形成电气连接。封装无需开塑封模，节省了生产成本；另外，功率半导体芯片通过在绝缘层上开设通孔并填充导电物质与上层的导电层实现电气连接，减小了模块的体积，有利于模块小型化。
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公开(公告)号：CN108346637B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710063230.6
申请日：2017-01-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制造方法，功率模块包括：绝缘介质基板，包括第一导电层和设于所述第一导电层之上的第一绝缘层，所述第一绝缘层开设有第一导电路径；第二绝缘层，所述第二绝缘层开设有第二导电路径；图形化的第二导电层；至少一个功率半导体芯片，嵌设于所述第一绝缘层和第二绝缘层之间；其中，所述功率半导体芯片通过所述第一导电路径与所述第一导电层形成电气连接，且通过所述第二导电路径与所述第二导电层形成电气连接。封装无需开塑封模，节省了生产成本；另外，功率半导体芯片通过在绝缘层上开设通孔并填充导电物质与上层的导电层实现电气连接，减小了模块的体积，有利于模块小型化。
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公开(公告)号：CN108346649A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710063329.6
申请日：2017-01-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/18 , H01L25/072 , H01L23/481 , H01L23/485 , H01L24/82 , H01L2224/82
Abstract: 本发明提供了一种半桥功率模块及其制造方法，半桥功率模块包括：绝缘介质基板，其上表面具有第一导电层；至少一对功率半导体芯片，芯片贴设于所述绝缘介质基板的上表面上；绝缘层，覆盖于所述绝缘介质基板上，将芯片包覆在内，所述绝缘层开设有位于芯片上方的通孔，且所述通孔内填充有导电物质；第二导电层，设置于所述绝缘层之上，所述第二导电层通过所述导电物质和所述第一导电层将每对所述功率半导体芯片电路连接构成半桥驱动电路。封装无需开塑封模，节省了生产成本；另外，功率半导体芯片通过在绝缘层上开设通孔并填充导电物质与上层的导电层实现电气连接，减小了模块的体积，有利于模块小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108346645A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710063330.9
申请日：2017-01-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L23/522 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制造方法，功率模块包括：绝缘介质基板，其上表面具有第一导电层；开关管芯片和二极管芯片，芯片贴设于所述绝缘介质基板的上表面上；绝缘层，覆盖于所述绝缘介质基板上，将芯片包覆在内，所述绝缘层开设有位于芯片上方的通孔，且所述通孔内填充有导电物质；第二导电层，设置于所述绝缘层之上，所述第二导电层通过所述导电物质与芯片电气连接。封装无需开塑封模，节省了生产成本；另外，功率半导体芯片通过在绝缘层上开设通孔并填充导电物质与上层的导电层实现电气连接，减小了模块的体积，有利于模块小型化。
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公开(公告)号：CN108346628A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710063328.1
申请日：2017-01-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种功率模块及其制造方法，功率模块包括：绝缘介质基板，其上表面具有第一导电层，且开设有从下表面到达所述第一导电层的导热路径；至少一个功率半导体芯片，芯片贴设于所述绝缘介质基板的上表面上；绝缘层，覆盖于所述绝缘介质基板上，将芯片包覆在内，所述绝缘层开设有位于芯片上方的通孔，且所述通孔内填充有导电物质；第二导电层，设置于所述绝缘层之上，所述第二导电层通过所述导电物质与芯片电气连接。封装无需开塑封模，节省了生产成本；另外，功率半导体芯片通过在绝缘层上开设通孔并填充导电物质与上层的导电层实现电气连接，减小了模块的体积，有利于模块小型化。
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公开(公告)号：CN110400777A
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810378419.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/043 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种组合式电极及具有其的功率模块和封装方法，包括：正电极和负电极，所述正电极和负电极均包括装配端、引出部、水平部和连接部，所述连接部的底部与安装面连接，所述连接部的顶部弯折至水平部的一端，水平部的另一端弯折至引出部，引出部与装配端相连接，所述装配端、引出部和水平部构成缓冲结构，所述正电极和负电极叠加设置，所述引出部、水平部和连接部位置相对。本发明通过改变电极的形状，在电极的电流路径上形成弯曲的缓冲结构，使电极具有较高的抗受力变形性能，从而降低了电极受力对焊接处产生影响导致变形或脱落的可能。
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公开(公告)号：CN102013422B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910171849.4
申请日：2009-09-07
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块，包括：底板；设置在所述底板上的多个IGBT芯片和至少一个反向二极管；设置在所述底板上的第一导电连接板和第二导电连接板，所述第一和第二导电连接板分别对应与每个IGBT芯片和所述反向二极管的正、负极电连接，以并联所述多个IGBT芯片和所述反向二极管，其中所述第一导电连接板两端之间和第二导电连接板两端之间预定位置分别设置有电极引出部以引出所述IGBT模块的安装电极。本发明可以使得IGBT模块提供高可靠性的较大功率。
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公开(公告)号：CN206210776U
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201621294680.3
申请日：2016-11-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/64
Abstract: 本实用新型涉及散热技术领域，本实用新型提供一种双面散热功率模块，IGBT模块焊接在第一散热板和第二散热板之间，第二散热板上排列设置与IGBT模块连接的正极功率端子、负极功率端子以及交流功率端子，IGBT模块与正极功率端子和交流功率端子形成第一电流回路，IGBT模块与负极功率端子和交流功率端子形成第二电流回路，交流功率端子位于正极功率端子和负极功率端子之间，使第一电流回路和第二电流回路长度相对较小且相差不大，进一步使第一电流回路和第二电流回路电感相差不大，每个电流回路的电感总值较小，从而减小回路的开关损耗。
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