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公开(公告)号：CN105702632B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201410682844.9
申请日：2014-11-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2224/49111
Abstract: 本发明公开了一种半导体组件，包括：底板；外壳，所述外壳设在所述底板上，所述外壳的底部设有安装平台，所述安装平台的下表面与所述底板的上表面相连；插针，所述外壳设有卡槽，所述插针插接在所述卡槽内且所述插针的底部与所述安装平台的上表面相连；第一粘接层，所述第一粘接层设在所述安装平台的上表面和所述插针的下端面之间以粘接所述插针和所述安装平台，所述第一粘接层为胶水且所述第一粘接层固化后的邵氏硬度大于80度。根据本发明实施例的半导体组件，通过在插针的下端面与安装平台的上表面之间涂覆固化后硬度较高的胶水，增强了插针与安装平台之间的超声键合点的结合力，大幅降低了半导体组件的失效风险，提高了半导体组件的可靠性。
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公开(公告)号：CN105702632A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410682844.9
申请日：2014-11-24
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/12
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2224/49111
Abstract: 本发明公开了一种半导体组件，包括：底板；外壳，所述外壳设在所述底板上，所述外壳的底部设有安装平台，所述安装平台的下表面与所述底板的上表面相连；插针，所述外壳设有卡槽，所述插针插接在所述卡槽内且所述插针的底部与所述安装平台的上表面相连；第一粘接层，所述第一粘接层设在所述安装平台的上表面和所述插针的下端面之间以粘接所述插针和所述安装平台，所述第一粘接层为胶水且所述第一粘接层固化后的邵氏硬度大于80。根据本发明实施例的半导体组件，通过在插针的下端面与安装平台的上表面之间涂覆固化后硬度较高的胶水，增强了插针与安装平台之间的超声键合点的结合力，大幅降低了半导体组件的失效风险，提高了半导体组件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103904899A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210572074.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种开关电源，包括：开关电源模块；检测模块与开关电源模块的输出端相连，用于检测开关电源模块的输出电流以生成检测信号；基准电压提供模块用于提供基准电压；比较模块分别与检测模块和基准电压提供模块相连，用于对检测信号和基准电压进行比较以生成比较信号；驱动模块与比较模块相连，用于根据比较信号生成驱动信号；控制模块与驱动模块和开关电源模块相连，用于根据驱动信号调整开关电源模块的工作频率。本发明的开关电源，能够改变开关频率，使开关器件工作于最佳高效状态，延长了开关器件的寿命，改善了开关电源的EMC问题。
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公开(公告)号：CN103905019B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201210589902.4
申请日：2012-12-31
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H03K17/567
CPC classification number: H03K17/567 , H03K17/14 , H03K17/168 , H03K17/785
Abstract: 本发明提出了一种IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路，包括IGBT模块、MCU、第一光耦和驱动模块，MCU与第一光耦之间连接有第一电阻，驱动模块与IGBT模块之间连接有门极驱动电阻，在第一光耦与驱动模块之间具有积分电路，积分电路包括积分电路等效电阻和第一电容，通过改变积分电路等效电阻的阻值，调节积分电路的时间常数，实现对门极驱动电阻的等效调节。本发明的IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路能够对门极驱动电阻的等效阻值进行调节，无需人工更改门极驱动电阻就能驱动不同功率的IGBT模块，优化了IGBT模块的工作状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103905019A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201210589902.4
申请日：2012-12-31
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H03K17/567
CPC classification number: H03K17/567 , H03K17/14 , H03K17/168 , H03K17/785
Abstract: 本发明提出了一种IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路，包括IGBT模块、MCU、第一光耦和驱动模块，MCU与第一光耦之间连接有第一电阻，驱动模块与IGBT模块之间连接有门极驱动电阻，在第一光耦与驱动模块之间具有积分电路，积分电路包括积分电路等效电阻和第一电容，通过改变积分电路等效电阻的阻值，调节积分电路的时间常数，实现对门极驱动电阻的等效调节。本发明的IGBT模块门极驱动电阻等效调节电路能够对门极驱动电阻的等效阻值进行调节，无需人工更改门极驱动电阻就能驱动不同功率的IGBT模块，优化了IGBT模块的工作状态。
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公开(公告)号：CN202493520U
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201220069406.1
申请日：2012-02-29
Applicant: 比亚迪股份有限公司
Abstract: 一种气缸控制装置，用于控制气缸的运动方向及速度，包括：具有内置磁环的气缸，MCU，设置在气缸端部并与MCU连接的磁性开关，与气缸和MCU均连接的电磁阀；所述MCU，用于发出第一驱动信号，还用于当磁环与磁性开关接近时，磁性开关闭合，根据磁性开关的闭合信号发出第二驱动信号，所述第二驱动信号为间断驱动信号；所述电磁阀，用于根据MCU发出的第一驱动信号和第二驱动信号，打开或闭合以驱动气缸的运动。这样当气缸中的活动杆接近端部时，利用第二驱动信号使得活动杆运动缓慢直至端部，有效抑制了气缸在到达端部进行换向时候的撞击。
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公开(公告)号：CN203617266U
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201320555680.4
申请日：2013-09-09
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/13
Abstract: 本实用新型提供了一种功率半导体模块，包括底座；DBC基板，所述DBC基板固定设置在所述底座的上方，所述DBC基板包括设置在其上的第一覆铜层、固定设置在所述第一覆铜层上方的陶瓷层以及固定设置在所述陶瓷层上方的多个间隔的第二覆铜层，所述陶瓷层上表面设有凹槽，所述凹槽位于相邻的两个所述第二覆铜层之间；芯片，所述芯片固定设置在所述第二覆铜层的上方；外壳，所述外壳覆盖所述芯片、DBC基板以及底座的上表面；电极，所述电极固定设置在所述外壳上表面；引线，所述引线一端连接所述电极，另一端连接所述芯片。本实用新型提供的功率半导体模块在受到外力作用时能够保护芯片，延长功率半导体模板的寿命。
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公开(公告)号：CN204230222U
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201420645843.2
申请日：2014-10-31
Applicant: 比亚迪股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体组件，包括：第一基板和第二基板，第一基板和第二基板沿上下方向间隔开设置，第一基板和第二基板上分别设有第一主电极和第二主电极；半导体芯片，半导体芯片设在第一基板和/或第二基板上且位于第一基板和第二基板之间；金属块，金属块的一侧与半导体芯片相连，另一侧与第一基板或第二基板相连；多个信号电极，第一主电极和第二主电极与第一基板和第二基板之间、半导体芯片与第一基板或第二基板之间、金属块与半导体芯片和第一基板或第二基板之间、信号电极与第一基板和/或第二基板之间分别通过金属连接层相连。根据本实用新型的半导体组件，半导体芯片产生的热量可以通过第一基板和第二基板散热，提高了散热效率。
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