公开(公告)号：CN104576762A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410822182.0

申请日：2014-12-25

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  杨勇雄 ,  史晶晶 ,  蒋华平 ,  唐龙谷 ,  赵艳黎 ,  吴佳

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种肖特基势垒二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有的肖特基势垒二极管的开启电压较高的技术问题。该肖特基势垒二极管，包括：N型碳化硅衬底；位于所述N型碳化硅衬底上的低掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层上的高掺杂N型外延层；位于所述低掺杂N型外延层和所述高掺杂N型外延层中的P型高掺杂区；位于所述高掺杂N型外延层上的肖特基接触电极；位于所述N型碳化硅衬底下方的欧姆接触电极。本发明提供的肖特基势垒二极管能够更好的应用于高频电路。

公开(公告)号：CN104319292A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410619758.3

申请日：2014-11-06

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  刘国友 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  蒋华平 ,  周正东 ,  丁荣军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在全部离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。

公开(公告)号：CN104282766A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410620019.6

申请日：2014-11-06

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  吴煜东 ,  赵艳黎 ,  蒋华平 ,  高云斌 ,  丁荣军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/34 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在P阱离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。

公开(公告)号：CN104282765A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410619955.5

申请日：2014-11-06

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  刘可安 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  蒋华平 ,  吴佳 ,  丁荣军

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种新型的碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。

公开(公告)号：CN103824879A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410044426.7

申请日：2014-01-30

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 蒋华平 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  吴佳 ,  唐龙谷

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括：场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧的冶金结面，其中所述电荷补偿区的导电类型与所述场限环的导电类型相同。这种功率器件结终端结构耐压能力好、可靠性高。

公开(公告)号：CN103579016A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310537220.3

申请日：2013-11-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  吴煜东 ,  刘可安 ,  周正东 ,  史晶晶 ,  杨勇雄 ,  吴佳 ,  蒋华平 ,  赵艳黎

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/04 ,  H01L21/52

Abstract: 一种大电流碳化硅SBD/JBS功率芯片结构及其制造方法，该结构包括好的元件和坏的元件，所述好的元件和坏的元件在铜盖和铜底之间采用压接式封装；所述铜盖与好的元件的金属接触层阳极之间通过第一钼片扣合，所述铜底与好的元件阴极之间通过第二钼片扣合完成以使所有好的元件处于并联连接状态。该制造方法用来制造上述功率芯片结构。本发明具有制造方便、无淀积绝缘层、可提高器件性能等优点。

公开(公告)号：CN103051159A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201310006151.3

申请日：2013-01-08

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  刘可安 ,  冯江华 ,  史晶晶 ,  彭勇殿

IPC: H02M1/00 ,  H02M1/08 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/13055 ,  H03K17/0406 ,  H03K17/0412 ,  Y02B70/1483 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种电力电子装置及其混合功率模块，和该混合功率模块的形成方法。其中，所述混合功率模块包括：IGBT开关器件；阴极与所述IGBT开关器件的集电极相连，阳极与所述IGBT开关器件的发射极相连的碳化硅肖特基势垒二极管；与所述IGBT开关器件栅极相连的栅极偏置电路，所述栅极偏置电路包括：相互并联的第一电阻和第一二极管，以及与所述第一电阻和第一二极管的并联结构串联的第二电阻，以解决现有技术中碳化硅肖特基势垒二极管在反向恢复过程中存在的振荡现象，并消除IGBT开关器件的开通过程中存在的振荡现象，使得具有该混合功率模块的电力电子装置在工作时，存在显著的高频振荡现象的问题，使其正常工作。

公开(公告)号：CN103000697A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210483401.8

申请日：2012-11-23

Applicant: 中国科学院微电子研究所 ,  株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 白云 ,  刘可安 ,  申华军 ,  汤益丹 ,  王弋宇 ,  韩林超 ,  刘新宇 ,  李诚瞻 ,  史晶晶

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/40 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层之上的肖特基接触；形成于该肖特基接触边缘处的P--SiC区域环，该P--SiC区域环作为该SiC肖特基二极管的结终端延伸(JTE)区域；形成于该P--SiC区域环上的n个肖特基金属环，n≥2；形成于该肖特基金属环之间的钝化层SiO2；形成于该钝化层SiO2上的场板；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时，降低了器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度，同时避免了界面电荷对器件击穿电压的影响，有利于提高器件的性能。