公开(公告)号：CN105679766A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610041758.9

申请日：2010-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN102598283B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201080050485.5

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  野田耕生 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个目的是制造含有电特性稳定的薄膜晶体管的高度可靠的半导体器件。覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。通过使用含有硼元素或铝元素的硅靶或氧化硅靶的溅射法来形成含有硼元素或铝元素的绝缘层。可选地，含有替代硼元素的锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜晶体管的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN105449119A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201610008810.0

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/53 ,  H01L2251/56

Abstract: 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。

公开(公告)号：CN105428424A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201610044196.3

申请日：2010-08-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/32 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。

公开(公告)号：CN102498570B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201080040387.3

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

Abstract: 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。

公开(公告)号：CN102549758B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080043173.1

申请日：2010-09-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫永昭治 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 目的是提供具有良好电特性和高度可靠性的薄膜晶体管以及含有该薄膜晶体管作为开关元件的半导体器件。形成具有培育状态的In-Ga-Zn-O基膜，培育状态表现出的电子衍射图案既不同于出现晕环形状图案的传统已知的非晶状态也不同于清楚地出现点的传统已知的晶体状态。使用具有培育状态的In-Ga-Zn-O基膜用于沟道蚀刻的薄膜晶体管的沟道形成区。

公开(公告)号：CN102648524B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201080045818.5

申请日：2010-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂仓真之 ,  渡边了介 ,  坂田淳一郎 ,  秋元健吾 ,  宫永昭治 ,  广桥拓也 ,  岸田英幸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/045 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78696

Abstract: 沟道保护薄膜晶体管中，其中沟道形成区使用氧化物半导体来形成，通过热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层用作活性层，包括纳米晶的结晶区包含在沟道形成区的表面部分中，并且其余部分是非晶的或者由非晶质/非晶体和微晶体的混合物来形成，其中非晶区点缀有微晶体。通过使用具有这种结构的氧化物半导体层，能够防止由于水分进入表面部分或者从表面部分消除氧所引起的转变成n型以及防止寄生沟道的生成，并且能够降低与源和漏电极的接触电阻。

公开(公告)号：CN102576677B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201080043261.1

申请日：2010-09-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  宫永昭治 ,  坂仓真之 ,  肥塚纯一 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己

IPC: H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。

公开(公告)号：CN104617103A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510001758.1

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和半导体装置。在液晶显示装置的像素部中，第一晶体管包括第一栅电极、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一源和漏电极；氧化物绝缘层在第一源和漏电极上；像素电极经第一接触孔与第一源或漏电极电连接。在同一衬底上的驱动电路部中，第二晶体管包括第二栅电极、栅极绝缘层、第二氧化物半导体层、第二源和漏电极；氧化物绝缘层在第二源和漏电极上；第三导电层在氧化物绝缘层上；第二氧化物半导体层夹在第二栅电极和第三导电层间；通过加工同一导电膜形成第一及第二栅电极和第一导电层；第二导电层包括第二和第三接触孔中的区域；第三接触孔包括重叠于第二接触孔的区域；第一导电层经第二导电层与第二源或漏电极电连接。

公开(公告)号：CN103035192A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210378806.5

申请日：2012-10-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  后藤裕吾 ,  三宅博之 ,  黑崎大辅

IPC: G09G3/20 ,  H01L29/78

CPC classification number: G11C19/184 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2310/0286 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明的一个方式提供一种能够防止静电破坏所引起的成品率的降低的半导体装置，其中，对扫描线供应用来选择多个像素的信号的扫描线驱动电路包括生成上述信号的移位寄存器，并且，在上述移位寄存器中将用作多个晶体管的栅电极的一个导电膜分割为多个，由形成在与上述被分割的导电膜不同的层中的导电膜使上述被分割的导电膜彼此电连接。上述多个晶体管包括移位寄存器的输出一侧的晶体管。