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公开(公告)号：CN113193111B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202110361789.3
申请日：2021-04-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种锰氧化物电磁调控构建多场耦合人工突触的方法，包括以下步骤：(1)依次将金属、阻变层和钙钛矿锰氧化物沉积于衬底上，形成模拟突触功能的元器件；(2)金属作底电极，钙钛矿锰氧化物生长的圆柱型阵列作顶电极，或者在钙钛矿锰氧化物薄膜上生长一层金属作顶电极；(3)对元器件施加外场，对钙钛矿锰氧化物薄膜的氧离子的迁移和分布进行调控。该方法利用具有优异电磁特性的忆阻异质结，在电致电阻效应的基础上，对阻变单元阵列加以外场调控，获得多场诱导的多重电阻态，再通过外场调控阻变单元中氧离子的迁移，模拟突触的强度分布和可塑性，构建人工突触。
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公开(公告)号：CN111210959B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201911023357.0
申请日：2019-10-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，尤其涉及一种可通过弯曲或扭转调控磁性及相关磁效应的材料，其化学式为Ni50‑aCoaMn35‑bFebXc，其中12≤a≤17，0≤b≤10，5≤c≤20，X包括Sn、Ga、In、Si、Ge、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta。该材料的制备方法如下：电弧熔炼高纯度原料得到NiMi基合金块体，将块体在真空下进行熔体快淬后得到相变薄带材料。本发明克服了现有技术中通过施加等静压调控磁性的方法效果单一，且可控性差、施压方式复杂、应用受到限制的缺陷，得到相变合金薄带能够具有在室温附近表现出较大的磁性调控以及大的磁热效应，能够有效应用于磁制冷过程之中，且可通过弯曲或扭转实现应变的输出，从而调控相变合金薄带的磁性及相关磁效应，有效扩展了应用前景。
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公开(公告)号：CN114486845A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111665075.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米球形蜂窝结构的方法，本发明是以有序聚苯乙烯小球阵列为基础，使用等离子反应刻蚀的技术控制小球半径，用旋涂的方法将掺杂金属颗粒的PVA胶包裹在小球上，以构筑蜂窝结构从而设计热点强度位置，在利用磁控溅射的方式向样品表面共溅射银、二氧化硅膜，对样品进行化学腐蚀，使之小球内壁的金属纳米颗粒与PVA胶中金属纳米颗粒进行耦合，以提高其SERS强度。最终形成球形蜂窝纳米结构，这种结构设计了样品热点位置精确控制热点分布与强度，增强了其SERS强度。
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公开(公告)号：CN114293165A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111665057.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种周期密排纳米花盆阵列的制备方法，首先利用磁控溅射在纳米球阵列表面溅射不同时间的银膜，随着溅射时间的增加，银膜的厚度逐渐增加，纳米球外部的银纳米壳厚度及大小逐渐增加，并且纳米球被包覆面积也是逐渐增加。后利用离子束刻蚀进行银纳米球阵列上半部分的刻蚀，下半部分由于被上半部分遮挡住所以并未被离子束打到，形貌得以保存。利用离子束进行刻蚀时，首先会对最顶部的银膜进行刻蚀，随着刻蚀时间的增加，内部的胶体球阵列也逐渐被刻蚀掉，最终形成胶体半球阵列被银纳米壳包覆着的纳米花盆阵列。因此本发明主要是在离子束刻蚀纳米球阵列时，利用纳米球阵列的上部对下部遮挡来制备周期密排的纳米花盆阵列。
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公开(公告)号：CN114132920A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111665077.7
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种使用闪蒸技术制备层状石墨烯的方法，本发明设计并制备得到了一种多层次纳米石墨烯结构，使用少量电力将非晶态导电碳粉转化为高价值材料的能力使世界更接近塑料中性。大规模使用闪光焦耳加热技术来处理非晶态导电碳粉，有可能减少塑料从摇篮到上循环使用过程中的温室气体排放；我们目前使用碳粉制备石墨烯，之后可以使用各种难以自然降解的塑料，和对生物环境有害的物质进行闪光焦耳加热技术处理，使之变废为宝重新投入生产生活中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113976904A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111218146.X
申请日：2021-10-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微腔内光激发化学诱导生长贵金属纳米粒子的方法，包括以下步骤：(1)利用磁控溅射技术，在清洗后的硅片表面溅射生成Au膜，得金衬底；(2)对衬底进行退火处理；(3)利用磁控溅射技术，在退火后的衬底上表面依次溅射生成Au膜、SiO2膜，按需重复前面步骤，在衬底上表面形成多层Au/SiO2复合层；(4)将待腐蚀样品沿着某一条线解理出来以获得光滑的截面；将截面朝下放入腐蚀液中腐蚀SiO2膜，腐蚀后用清水洗涤腐蚀面，得金纳米空腔结构；(5)将金纳米空腔结构放入硝酸银溶液中，滴加柠檬酸钠溶液，在红光照射下，诱导银纳米粒子的生长。本发明工艺步骤简单，可操作性强，得到的贵金属纳米粒子分散、稳定。
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公开(公告)号：CN110044866B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910265560.2
申请日：2019-04-03
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明属于纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种横向纳米腔阵列结构SERS基底，由内部设有一个中空腔体的半开放空心微球构成，其在水平方向上设置有一个横向开孔，所述的半开放空心微球其内层为表面修饰了4‑MBA探针分子的TiO2薄膜，在TiO2薄膜外部还镀有一层贵金属薄膜。其通过结合模板法制备而成，以等离子体清洗的聚苯乙烯小球阵列为支撑，将TiO2和贵金属经倾角磁控溅射的手段获得。本发明克服了现有技术中的SERS基底无法有效构建出电场强度相同而电流密度不同电学环境的缺陷，通过本发明可构建电场强度相同但电流密度不同电学环境，以此可用于研究等离子体诱导的电荷转移机制以及SERS物理增强与化学增强的中间态理论。
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公开(公告)号：CN113235055A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110497505.3
申请日：2021-05-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/34 , C22C30/00 , C22C1/02 , B22D11/06 , B22F9/04 , B22F1/00 , B22F3/14 , B22F5/00 , C23C14/14 , H01F1/01 , H01F10/14 , H01F10/16 , H01F41/00
Abstract: 本发明涉及一种Ni‑Mn‑Ti基多元合金靶材及其制备方法和薄膜。首先电弧熔炼制备合金锭子，提高了合金的纯度，致密性，使多种元素得到充分的合金化；后续通过熔体快淬以一定轮速甩出薄带，降低了材料内部的孔隙率，简化了后续热处理工艺，并细化晶粒，使元素分布更趋于均匀；然后将薄带研磨成合金粉末，有效解决了单个元素熔点过低或过高导致的成分不均，在保证原有磁性下，拓宽了相变温跨；最后通过热压制备四元合金靶材。本发明集电弧熔炼与高温热压制备优点为一体，并结合熔体快淬，从而能够制备成分均匀，空隙率低，纯度高，晶粒尺寸小，相变温区跨度宽的靶材；本发明的靶材采用NiMnTi基合金，制备的薄膜具有良好的机械性能，方便后续应力调控，获得多功能薄膜。
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公开(公告)号：CN113046708A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110181355.5
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/02 , C23C14/20 , B22F9/24 , B22F1/00 , G01N21/65 , G01N33/574 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种磁场调控纳米阵列结构的制备方法及其应用，涉及纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）六方密排聚苯乙烯微球阵列结构制备；（3）球状包覆阵列结构制备；（4）周期性纳米孔洞阵列结构制备；（5）银纳米周期阵列制备；（6）纳米阵列结构；本发明纳米阵列结构SERS活性强，灵敏度高，对于新型纳米光子学器件、自标定测量都有积极意义。
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公开(公告)号：CN113046707A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110178544.7
申请日：2021-02-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米花阵列结构的制备方法及其应用，涉及纳米复合材料微加工技术领域，包括以下制备步骤：（1）清洗硅片；（2）通过自组装的方法制备得到六方密排聚苯乙烯微球阵列结构；（3）将六方密排聚苯乙烯微球阵列结构进行刻蚀制备得到溅射衬底；（4）在溅射衬底表面进行倾斜、旋转磁控溅射本发明制备得到的纳米花阵列结构由于具备顶端及侧缘尖锐的花瓣结构，该花瓣结构提供了丰富的热点，且花瓣之间距离较小，有利于获得极大的局域耦合场，因此纳米花阵列结构SERS活性高。
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