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公开(公告)号：CN118879317A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410916691.3
申请日：2024-07-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种Cr3+掺杂的镓锗酸盐基近红外长余辉发光材料及制备与应用方法。所述近红外发光材料的化学通式为Mg8.9Ga14.2‑x‑uMuGe4.9O40‑y‑zF2yCl2z:xCr3+，其中，M为Sc、In中的一种或两种；0＜x≤1；0＜y≤0.05；0＜z≤0.05；0≤u≤1.2；其晶体结构属于三斜晶系，空间群为P‑1。本发明材料在蓝光和红光激发下可呈现宽带近红外发光，发射波长范围为600‑1100nm；在紫外光辐照后可呈现近红外长余辉发光，余辉时间大于55小时。本发明材料的制备工艺简单，成本低，易于大规模技术推广。本发明材料在夜视、食品检测、生物成像、标记示踪、信息存储、防伪加密领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN118496855A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410565026.4
申请日：2024-05-09
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种对光、力刺激响应的近红外发光材料及制备与应用方法。所述近红外发光材料的化学通式为Mg13.7‑aM1aGa4.6‑b‑xM2bGe1.7‑cM3cO24:xCr3+，其中，M1元素为Ca、Sr中的一种或多种的组合；M2元素为Sc、In中的一种或多种的组合；M3元素为Si、Sn、Ti中的一种或多种的组合；0＜x≤0.9；0≤a≤1；0≤b≤0.5；0≤c≤0.4。本发明材料是一种集光、力刺激响应于一体的多功能近红外发光材料，同时具备光致稳态近红外发光、近红外长余辉发光和近红外应力发光性能。本发明材料在蓝光和红光激发下，可呈现发射波长范围为600‑1200nm的宽带近红外发光；在紫外光辐照后可呈现近红外长余辉发光；在机械刺激下可呈现宽带近红外应力发光。
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公开(公告)号：CN117658202A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311610751.0
申请日：2023-11-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种铁离子Fe3+掺杂的氟镓酸盐近红外荧光粉及其制备方法和植物照明应用。所述Fe3+掺杂的氟镓酸盐近红外荧光粉的化学式为xFeMg3+(1+y)；其Ga中(2，‑y)0.O001(4‑z)≤Fz：x≤0.016，0.025≤y≤0.15，z＝y；所述Fe3+掺杂的氟镓酸盐近红外荧光粉，具有Fe3+掺杂的[Ga3+‑O2‑]＝[Mg2+‑F‑]化学单元共取代尖晶石结构。本发明所述的Fe3+掺杂近红外荧光粉通过煅烧制备得到，产物具有环境友好性和生物兼容性，可以应用于植物生长照明。
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公开(公告)号：CN113976904B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202111218146.X
申请日：2021-10-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微腔内光激发化学诱导生长贵金属纳米粒子的方法，包括以下步骤：(1)利用磁控溅射技术，在清洗后的硅片表面溅射生成Au膜，得金衬底；(2)对衬底进行退火处理；(3)利用磁控溅射技术，在退火后的衬底上表面依次溅射生成Au膜、SiO2膜，按需重复前面步骤，在衬底上表面形成多层Au/SiO2复合层；(4)将待腐蚀样品沿着某一条线解理出来以获得光滑的截面；将截面朝下放入腐蚀液中腐蚀SiO2膜，腐蚀后用清水洗涤腐蚀面，得金纳米空腔结构；(5)将金纳米空腔结构放入硝酸银溶液中，滴加柠檬酸钠溶液，在红光照射下，诱导银纳米粒子的生长。本发明工艺步骤简单，可操作性强，得到的贵金属纳米粒子分散、稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115595152B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211288553.2
申请日：2022-10-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C09K11/68
Abstract: 本发明公开一种近红外发射增强的Ga2O3：Cr3+发光材料及其制备方法，其化学式为Ga2‑x‑2yO3：xCr3+，yM+，yP5+，其中M为Li、Na、K中任意一种，0.01≤x≤0.1，0.1≤y≤0.5。其制备方法采用高温固相法。本发明的优点是：通过在原料中加入碱金属离子(Li、Na、K中任意一种)和磷离子(P5+)，能明显提高Ga2O3：Cr3+的发光强度。该发光材料是一种单基质荧光材料，在近紫外至蓝光激发下，发射光谱为峰值波长位于712纳米的近红外宽带光谱，可应用于宽带近红外光源光色转换材料，提高器件的光色转换效率。本发明的制备方法工艺简单、技术成熟、成本低廉，有益于实现工业化生成。
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公开(公告)号：CN115678555B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202211353515.0
申请日：2022-11-01
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种Eu3+‑Mn4+共掺杂的荧光温度探针材料及其制备方法和应用，其化学通式为：Ca2Sb2O7:xmol％Eu3+，ymol％Mn4+，其中0.005≤x≤0.05，0.0005≤y≤0.008。利用高温固相法制备所得的具有正交结构的Ca2Sb2O7:Eu3+，Mn4+荧光粉在紫外光的激发下，可以产生位于725纳米的宽峰发射和位于613纳米的窄峰发射。在310纳米紫外光激发下，Eu3+表现出罕见的反热猝灭行为。根据来自于Mn4+的宽发射峰与Eu3+的窄发射峰强度的比值可对周围环境的温度进行标定。该材料的灵敏度性能相较于已报道的其他荧光材料已有显著的提升。同时，Eu3+与Mn4+在紫外光激发下产生的位于725纳米的宽发射峰和位于613纳米的窄发射峰分别对应着植物生长所必需的叶绿素a和叶绿素f。
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公开(公告)号：CN113403075B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110591576.X
申请日：2021-05-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种Mn4+‑Sm3+共掺杂的锑酸盐荧光温度探针材料及其制备方法和应用。化学通式为：Ca2GdSbO6:xmol％Mn4+，ymol％Sm3+，其中0.001≤x≤0.3，0.001≤y≤0.3。采用波长位于404纳米的短波蓝光激发Mn4+‑Sm3+共掺杂的双钙钛矿结构锑酸盐荧光粉，荧光粉被激发出两个分别位于611纳米和677纳米的荧光发射峰，根据两个发射峰强度的比值标定出荧光粉所处环境的温度。该材料的温度绝对灵敏度最高达到了9.313％K‑1，相对灵敏度最高达到了1.628％K‑1。与之前报道的其他荧光温度探针材料相比有显著提高。
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公开(公告)号：CN110152705B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201910371338.0
申请日：2019-05-06
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种TaON@Ni@石墨烯三元异质结光催化材料的制备方法。本发明将制备TaON@Ni(OH)2核壳结构材料置于CVD管式炉石英管中，通入氢氩混合气体，然后升温至900～950℃，再通入CH4气体生长石墨烯，900～950℃下生长3～10min，然后快速冷却至室温。本发明中金属Ni不仅作为等离子体激元提高TaON的可见光吸收，而且作为催化剂和生长模板为CVD法生长石墨烯提供辅助。本发明能实现石墨烯保护层在TaON颗粒表面可控致密包覆，从而有效抑制TaON的光腐蚀。
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公开(公告)号：CN113249125A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110362465.1
申请日：2021-04-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开Ce3+掺杂的硅酸盐基绿色荧光粉及其制备方法和应用，其化学通式为：KBaScSi2O7:xmol％Ce3+，其中0.5≤x≤20。本发明以拥有单斜晶相的钪基硅酸盐KBaScSi2O7为基质，以稀土铈离子为激活剂，在还原气氛中通过调节铈离子的浓度，可以获得高亮度、高效率的宽带绿光发射；本发明制备的荧光粉在紫外区域拥有宽带激发光谱，与紫外芯片的波长相匹配；且拥有420～700nm宽带发射光谱，半高宽大于120nm。本发明制备的荧光粉拥有发光效率高、稳定性好、量子效率高等优势，且合成方法简单，能耗低，制备成本低，制备过程环保无污染。
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