公开(公告)号：CN110152705B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201910371338.0

申请日：2019-05-06

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 裴浪 ,  闫世成 ,  元勇军 ,  钟家松

IPC: B01J27/24 ,  B01J35/02 ,  C07C1/12 ,  C07C9/04

Abstract: 本发明公开一种TaON@Ni@石墨烯三元异质结光催化材料的制备方法。本发明将制备TaON@Ni(OH)2核壳结构材料置于CVD管式炉石英管中，通入氢氩混合气体，然后升温至900～950℃，再通入CH4气体生长石墨烯，900～950℃下生长3～10min，然后快速冷却至室温。本发明中金属Ni不仅作为等离子体激元提高TaON的可见光吸收，而且作为催化剂和生长模板为CVD法生长石墨烯提供辅助。本发明能实现石墨烯保护层在TaON颗粒表面可控致密包覆，从而有效抑制TaON的光腐蚀。

公开(公告)号：CN110152705A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910371338.0

申请日：2019-05-06

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 裴浪 ,  闫世成 ,  元勇军 ,  钟家松

IPC: B01J27/24 ,  B01J35/02 ,  C07C1/12 ,  C07C9/04

Abstract: 本发明公开一种TaON@Ni@石墨烯三元异质结光催化材料的制备方法。本发明将制备TaON@Ni(OH)2核壳结构材料置于CVD管式炉石英管中，通入氢氩混合气体，然后升温至900～950℃，再通入CH4气体生长石墨烯，900～950℃下生长3～10min，然后快速冷却至室温。本发明中金属Ni不仅作为等离子体激元提高TaON的可见光吸收，而且作为催化剂和生长模板为CVD法生长石墨烯提供辅助。本发明能实现石墨烯保护层在TaON颗粒表面可控致密包覆，从而有效抑制TaON的光腐蚀。