金属填充微细结构体的制造方法
    51.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115210410A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202180017274.X

    申请日:2021-01-12

    Inventor: 堀田吉则

    Abstract: 本发明提供一种输送性优异且抑制绝缘性能劣化的金属填充微细结构体的制造方法。金属填充微细结构体的制造方法具有:形成工序,在由配置于阀金属部件外缘的框架部包围的形成区域中形成具有多个细孔的氧化膜,由此得到具有阀金属部件和氧化膜的结构体;填充工序,对结构体在氧化膜的多个细孔中填充金属;及保持工序,将通过填充工序对结构体在氧化膜的多个细孔中填充金属而得到的金属填充部件在相对湿度10~30%的环境下暴露24小时以上。多个细孔的平均直径为1μm以下。

    各向异性导电材料、电子元件、包含半导体元件的结构体及电子元件的制造方法

    公开(公告)号:CN109155259A

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201780030573.0

    申请日:2017-04-14

    Abstract: 本发明提供一种适用于半导体芯片和半导体晶片等的接合的各向异性导电材料、具有各向异性导电性部件的电子元件、具有各向异性导电性部件的包含半导体元件的结构体及使用各向异性导电性部件的电子元件的制造方法。各向异性导电材料具有支撑体及各向异性导电性部件,所述各向异性导电性部件为如下部件,其具备:绝缘性基材,由无机材料构成;及由导电材料构成的多个导通路,该多个导通路向绝缘性基材的厚度方向贯通,并以相互电绝缘的状态设置,上述各向异性导电性部件设置在支撑体上,且使表征各向异性导电性的区域形成为规定的图案状。

    各向异性导电构件及其制备方法

    公开(公告)号:CN102318141B

    公开(公告)日:2014-08-06

    申请号:CN201080007930.X

    申请日:2010-02-17

    CPC classification number: H01R13/2435 H01B1/023 H01R12/7082

    Abstract: 本发明提供一种各向异性导电构件,所述各向异性导电构件具有显著增加的导电通路设置密度,并且即使现在已经获得了较高的集成化水平时,也可以将其用作用于电子部件如半导体器件的电连接构件或检查连接器,并且它具有优异的挠性。该各向异性导电构件包括:绝缘基材和多个导电通路,所述导电通路由导电材料制成,彼此绝缘,并且在绝缘基材的厚度方向上延伸通过所述绝缘基材,所述导电通路的每一个的一端在所述绝缘基材的一侧突出,所述导电通路的每一个的另一端在所述绝缘基材的另一侧暴露或突出。绝缘基材由树脂材料制成,并且导电通路以至少1,000,000个导电通路/mm2的密度形成。

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