锌离子混合超级电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111146007A

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN202010035148.4

    申请日:2020-01-14

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于TiS2嵌入式负极的新型锌离子混合型超级电容器及其制备方法。所述的锌离子混合超级电容器包括嵌入式电池型负极、吸附性电容型正极、隔膜和电解液。其中,负极活性材料为二硫化钛(TiS2)、正极活性材料为活性炭(AC),电解质为硫酸锌(ZnSO4)水系溶液。本发明的新型锌离子混合型超级电容器,有效地解决了传统锌离子混合超级电容器以锌箔为负极而产生锌枝晶的问题,具有能量密度高、比电容高、安全性好、环保的优点,同时其制备工艺简单、成本低廉。

    一种热电纤维材料塞贝克值测试装置

    公开(公告)号:CN110596185A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201911003921.2

    申请日:2019-10-22

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及一种热电纤维材料塞贝克值测试装置,与现有技术相比解决了无法针对热电纤维材料进行Seebeck测试的缺陷。本发明中测试纤维样品的左端安装在左陶瓷片上、右端安装在右陶瓷片上,所述的左陶瓷片为加热陶瓷片,左电压探针台的探针抵在测试纤维样品的左端,右电压探针台的探针抵在测试纤维样品的右端。本发明能够适用于热电纤维材料的塞贝克值测试。

    一种基于多尺度分级电子通道的电位传导式柔性压力传感器及其应用

    公开(公告)号:CN119533717A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411748852.9

    申请日:2024-12-02

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于多尺度分级电子通道的电位传导式柔性压力传感器,包括自上而下叠加的金属阳极层、PVDF‑HFP‑GO电解质层、多梯度MXene/rGO发泡膜阴极层、负载有CNF隔离层的石墨纸。本发明涉及柔性可穿戴电子学技术领域。本发明中三维梯度多孔结构的MXene/rGO发泡膜,在微观上是分层结构,孔隙大小逐层变大,但在宏观上是一体的,因此其具有轻薄、体积小和高柔性等特点,十分适合应用于开发柔性可穿戴的高性能电子器件。本发明既可以作为人工耳来检测声波,又可以监测喉部肌肉运动产生的机械刺激,从而实现对语音信号的精准收集。结合机器学习,可实现对语音文本内容和情感的识别,准确率分别达到了95.24%和97.26%。并在此基础上搭建了人机语音情感交互界面。

    基于电极/传输层复合薄膜的钙钛矿单晶光电探测器

    公开(公告)号:CN119173056B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411675915.2

    申请日:2024-11-22

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于电极/传输层复合薄膜的钙钛矿单晶光电探测器及其制备方法,属于钙钛矿单晶新材料技术领域。本发明通过使Ti3C2TX表面原位氧化形成TiO2制备了传输层与电极复合的Ti3C2TX‑TiO2薄膜,同时在复合薄膜上通过蒸发结晶法制备了MAPbBrYI3‑Y钙钛矿单晶,最后在单晶上刮涂上一层高浓度的Ti3C2TX浆料作为电极,构筑了Ti3C2TX‑TiO2/钙钛矿/Ti3C2TX的探测器。由于钙钛矿层与TiO2层形成了PN结,产生内建电场,光生载流子可以在无偏压条件下分离,因此该器件具备自驱动效应;其次,由于该探测器电极与传输层之间不存在物理界面,载流子输运过程中所遇阻碍很少,因而该器件具有较好的性能;另外,该结构克服了传统钙钛矿探测器中金属电极与卤素离子迁移而发生反应的缺点,提高了器件稳定性。

    NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用

    公开(公告)号:CN118969876B

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411433963.0

    申请日:2024-10-15

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用,属于电子新材料、新器件技术领域。本发明所述的光电探测器件依次由ITO基底、NiO衬底、NaSbS2吸光层及铝金属电极复合组成。本发明提出NaSbS2作为吸光层,开发了乙二胺与β‑巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫作为合成NaSbS2的前驱溶液,采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系NaSbS2薄膜,其带隙为1.70 eV。该薄膜的制备工艺简单、原料及制备成本低廉,并且其与磁控溅射法制备的NiO衬底形成异质结,表现出优良的自供电光电探测性能,为光电子器件领域研究提供新光电子材料、新合成方法、新应用范例。

    一种基于电极/传输层复合薄膜的钙钛矿单晶光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119173056A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411675915.2

    申请日:2024-11-22

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于电极/传输层复合薄膜的钙钛矿单晶光电探测器及其制备方法,属于钙钛矿单晶新材料技术领域。本发明通过使Ti3C2TX表面原位氧化形成TiO2制备了传输层与电极复合的Ti3C2TX‑TiO2薄膜,同时在复合薄膜上通过蒸发结晶法制备了MAPbBrYI3‑Y钙钛矿单晶,最后在单晶上刮涂上一层高浓度的Ti3C2TX浆料作为电极,构筑了Ti3C2TX‑TiO2/钙钛矿/Ti3C2TX的探测器。由于钙钛矿层与TiO2层形成了PN结,产生内建电场,光生载流子可以在无偏压条件下分离,因此该器件具备自驱动效应;其次,由于该探测器电极与传输层之间不存在物理界面,载流子输运过程中所遇阻碍很少,因而该器件具有较好的性能;另外,该结构克服了传统钙钛矿探测器中金属电极与卤素离子迁移而发生反应的缺点,提高了器件稳定性。

    NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用

    公开(公告)号:CN118969876A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411433963.0

    申请日:2024-10-15

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种NaSbS2薄膜材料、NiO/NaSbS2异质结及其光电探测应用,属于电子新材料、新器件技术领域。本发明所述的光电探测器件依次由ITO基底、NiO衬底、NaSbS2吸光层及铝金属电极复合组成。本发明提出NaSbS2作为吸光层,开发了乙二胺与β‑巯基乙醇的混合溶剂溶解氢氧化钠、氧化锑、升华硫作为合成NaSbS2的前驱溶液,采用溶液旋涂法生长纯相立方晶系NaSbS2薄膜,其带隙为1.70 eV。该薄膜的制备工艺简单、原料及制备成本低廉,并且其与磁控溅射法制备的NiO衬底形成异质结,表现出优良的自供电光电探测性能,为光电子器件领域研究提供新光电子材料、新合成方法、新应用范例。

    一种耐压的GaN HEMT结构
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118630040A

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202411104079.2

    申请日:2024-08-13

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种耐压的GaN HEMT结构,涉及半导体技术领域。本发明将势垒层设置成横向方向Al组分不同的势垒层,因每部分势垒层组分不同,导致产生不同的应力,形成不同深度的量子阱,从而诱发相应的不同的极化效应,因而在第一势垒层的一侧依次连接的第二势垒层、第三势垒层、第四势垒层在第一势垒层同侧的通道层上形成从栅极向漏电极逐渐递增的二维电子气,在第一势垒层另一侧连接的第五势垒层同侧的通道层上形成从栅极向源电极逐渐递增的二维电子气,因此在栅极与漏电极和源电极间的区域形成平滑的电场分布,提升了漂移区平均电场强度,且降低泄漏电流,使得器件的耐压能力大大提高,输出性能也得到改善。

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