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公开(公告)号：CN118524714B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410977267.X
申请日：2024-07-22
Applicant: 安徽大学
IPC: H10K30/10 , H10K30/60 , H10K30/81 , H10K71/10 , H10K71/60 , H10K85/50 , C01B32/921 , C30B29/54 , C30B7/14
Abstract: 本发明公开一种高稳定性的钙钛矿单晶光电探测器及制备方法与应用，属于新材料制备及光电子器件领域。本发明采用逆温结晶法合成MAPbI3钙钛矿单晶，并且以Ti3C2TX和C作为电极，形成肖特基接触型光电探测器；该光电探测器不含有衬底。本发明无需衬底支撑，方法简单、成本低廉；其次，非金属电极避免了钙钛矿中的卤素离子和金属电极反应从而影响器件性能，有利于提高钙钛矿单晶器件的稳定性；同时肖特基结形成了内建电场，可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该器件可以工作在自驱动模式，从而为发展便携式、无线、低功耗的钙钛矿基探测器具有推动作用。
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公开(公告)号：CN117729826B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311679424.0
申请日：2023-12-08
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种MXene掺杂的钙钛矿单晶及其同质结光电探测器制备方法。本发明采用全溶液法制备同质结，包括采用化学溶液刻蚀法制备MXene‑DMF悬浮液，逆温度结晶法生长未掺杂的钙钛矿单晶，溶液外延法生长MXene掺杂的钙钛矿单晶。本发明方法简单、成本低廉，适合规模化生产；其次，同质结避免了钙钛矿异质结中卤素原子的交换位移，有利于提高钙钛矿单晶器件的稳定性；同时同质结形成了内建电场，可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该同质结器件可以工作在自驱动模式，从而为发展便携式、无线、低功耗的钙钛矿基探测器具有推动作用。
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公开(公告)号：CN116867292A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310846830.5
申请日：2023-07-11
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及一种表面具有特殊形貌的MAPbBr3微米单晶薄片的的制备方法。通过改变钙钛矿单晶的表面形貌从而提升光电探测器的光响应。该探测器由玻璃衬底、Cu左右电极、钙钛矿微米单晶薄片组成。本发明的优点是：采用微结构模板辅助空间限域的方法在衬底上合成了MAPbBr3钙钛矿微米片，然后通过铜网贴片、热蒸发金属Cu电极，得到表面具有特殊形貌的MAPbBr3单晶光电探测器。本发明采用的空间限域的方法，并在玻璃衬底上采用疏水处理，抑制了前驱体溶液中离子的移动减缓了钙钛矿单晶的成核速度和生长速率，得到了高质量微米尺度的钙钛矿微米片。同时利用了Cu电极与钙钛矿形成的欧姆接触，实现了快速优良的光敏探测性能。这种探测器具有响应度高、灵敏度高、响应恢复时间快等特点，该探测器具有较好的稳定性。本发明中使用的方法有着简单方便低成本的优点。因此本发明对钙钛矿探测器的进一步发展具有促进作用。
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公开(公告)号：CN119153571B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411644823.8
申请日：2024-11-18
Applicant: 安徽大学
IPC: H10F30/223 , H10F77/12 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法，属于多晶薄膜新材料制备技术以及光电探测器技术领域。该探测器使用CsAg2I3多晶薄膜做光吸收层，在光吸收层两侧分别制备空穴传输层和电子传输层构成pin结。本发明采用了非铅基类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜作为主要光吸收层，具有本征紫外吸收和良好的稳定性；宽禁带的空穴传输层和电子传输层与CsAg2I3多晶薄膜能带匹配形成pin结，pin结形成的内建电场可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该器件可以工作在自驱动模式。本发明对非铅基钙钛矿紫外光电探测器的进一步发展具有促进作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118524714A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410977267.X
申请日：2024-07-22
Applicant: 安徽大学
IPC: H10K30/10 , H10K30/60 , H10K30/81 , H10K71/10 , H10K71/60 , H10K85/50 , C01B32/921 , C30B29/54 , C30B7/14
Abstract: 本发明公开一种高稳定性的钙钛矿单晶光电探测器及制备方法与应用，属于新材料制备及光电子器件领域。本发明采用逆温结晶法合成MAPbI3钙钛矿单晶，并且以Ti3C2TX和C作为电极，形成肖特基接触型光电探测器；该光电探测器不含有衬底。本发明无需衬底支撑，方法简单、成本低廉；其次，非金属电极避免了钙钛矿中的卤素离子和金属电极反应从而影响器件性能，有利于提高钙钛矿单晶器件的稳定性；同时肖特基结形成了内建电场，可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该器件可以工作在自驱动模式，从而为发展便携式、无线、低功耗的钙钛矿基探测器具有推动作用。
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公开(公告)号：CN117729826A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311679424.0
申请日：2023-12-08
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种MXene掺杂的钙钛矿单晶及其同质结光电探测器制备方法。本发明采用全溶液法制备同质结，包括采用化学溶液刻蚀法制备MXene‑DMF悬浮液，逆温度结晶法生长未掺杂的钙钛矿单晶，溶液外延法生长MXene掺杂的钙钛矿单晶。本发明方法简单、成本低廉，适合规模化生产；其次，同质结避免了钙钛矿异质结中卤素原子的交换位移，有利于提高钙钛矿单晶器件的稳定性；同时同质结形成了内建电场，可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该同质结器件可以工作在自驱动模式，从而为发展便携式、无线、低功耗的钙钛矿基探测器具有推动作用。
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公开(公告)号：CN119153571A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411644823.8
申请日：2024-11-18
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法，属于多晶薄膜新材料制备技术以及光电探测器技术领域。该探测器使用CsAg2I3多晶薄膜做光吸收层，在光吸收层两侧分别制备空穴传输层和电子传输层构成pin结。本发明采用了非铅基类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜作为主要光吸收层，具有本征紫外吸收和良好的稳定性；宽禁带的空穴传输层和电子传输层与CsAg2I3多晶薄膜能带匹配形成pin结，pin结形成的内建电场可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该器件可以工作在自驱动模式。本发明对非铅基钙钛矿紫外光电探测器的进一步发展具有促进作用。
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公开(公告)号：CN119173056B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411675915.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电极/传输层复合薄膜的钙钛矿单晶光电探测器及其制备方法，属于钙钛矿单晶新材料技术领域。本发明通过使Ti3C2TX表面原位氧化形成TiO2制备了传输层与电极复合的Ti3C2TX‑TiO2薄膜，同时在复合薄膜上通过蒸发结晶法制备了MAPbBrYI3‑Y钙钛矿单晶，最后在单晶上刮涂上一层高浓度的Ti3C2TX浆料作为电极，构筑了Ti3C2TX‑TiO2/钙钛矿/Ti3C2TX的探测器。由于钙钛矿层与TiO2层形成了PN结，产生内建电场，光生载流子可以在无偏压条件下分离，因此该器件具备自驱动效应；其次，由于该探测器电极与传输层之间不存在物理界面，载流子输运过程中所遇阻碍很少，因而该器件具有较好的性能；另外，该结构克服了传统钙钛矿探测器中金属电极与卤素离子迁移而发生反应的缺点，提高了器件稳定性。
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公开(公告)号：CN119173056A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411675915.2
申请日：2024-11-22
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电极/传输层复合薄膜的钙钛矿单晶光电探测器及其制备方法，属于钙钛矿单晶新材料技术领域。本发明通过使Ti3C2TX表面原位氧化形成TiO2制备了传输层与电极复合的Ti3C2TX‑TiO2薄膜，同时在复合薄膜上通过蒸发结晶法制备了MAPbBrYI3‑Y钙钛矿单晶，最后在单晶上刮涂上一层高浓度的Ti3C2TX浆料作为电极，构筑了Ti3C2TX‑TiO2/钙钛矿/Ti3C2TX的探测器。由于钙钛矿层与TiO2层形成了PN结，产生内建电场，光生载流子可以在无偏压条件下分离，因此该器件具备自驱动效应；其次，由于该探测器电极与传输层之间不存在物理界面，载流子输运过程中所遇阻碍很少，因而该器件具有较好的性能；另外，该结构克服了传统钙钛矿探测器中金属电极与卤素离子迁移而发生反应的缺点，提高了器件稳定性。
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