公开(公告)号：CN119153571B

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202411644823.8

申请日：2024-11-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 桂鹏彬 ,  汪鑫 ,  魏新建 ,  宋杰军 ,  张亚鹏 ,  王思亮 ,  曾玮 ,  黄志祥

IPC: H10F30/223 ,  H10F77/12 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法，属于多晶薄膜新材料制备技术以及光电探测器技术领域。该探测器使用CsAg2I3多晶薄膜做光吸收层，在光吸收层两侧分别制备空穴传输层和电子传输层构成pin结。本发明采用了非铅基类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜作为主要光吸收层，具有本征紫外吸收和良好的稳定性；宽禁带的空穴传输层和电子传输层与CsAg2I3多晶薄膜能带匹配形成pin结，pin结形成的内建电场可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该器件可以工作在自驱动模式。本发明对非铅基钙钛矿紫外光电探测器的进一步发展具有促进作用。

公开(公告)号：CN119153571A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411644823.8

申请日：2024-11-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 桂鹏彬 ,  汪鑫 ,  魏新建 ,  宋杰军 ,  张亚鹏 ,  王思亮 ,  曾玮 ,  黄志祥

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜的pin型紫外光电探测器及其制备方法，属于多晶薄膜新材料制备技术以及光电探测器技术领域。该探测器使用CsAg2I3多晶薄膜做光吸收层，在光吸收层两侧分别制备空穴传输层和电子传输层构成pin结。本发明采用了非铅基类钙钛矿CsAg2I3多晶薄膜作为主要光吸收层，具有本征紫外吸收和良好的稳定性；宽禁带的空穴传输层和电子传输层与CsAg2I3多晶薄膜能带匹配形成pin结，pin结形成的内建电场可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该器件可以工作在自驱动模式。本发明对非铅基钙钛矿紫外光电探测器的进一步发展具有促进作用。