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公开(公告)号：CN219106186U
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202223459698.2
申请日：2022-12-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基外延结构、GaN基发光器件，该GaN基外延结构包括：设置在图形化蓝宝石衬底表面的堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠岛状生长区、岛状快速合并区、超晶格生长区和GaN高质量区，其中，岛状生长区为柱状结构，其形成的晶体质量更好，位错密度更低；岛状快速合并区的原子扩散长度大于岛状生长区的原子扩散长度，能在岛状快速合并区产生位错线释放应力，并结合超晶格生长区使位错线在超晶格生长区中弯曲、倾斜，最终消失，既能获得超薄的GaN基外延结构，还能提高GaN基外延结构的晶体质量。
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公开(公告)号：CN214254445U
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202120347236.8
申请日：2021-02-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过将靠近所述P型半导体层的势阱层设置为：包括沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1；进一步地，沿所述生长方向的最后一层势阱层包括P型掺杂且沿生长方向In组分逐渐减少的AlxGayInzN材料层；可在有源区的边缘储存一定的空穴，从而有利于后续空穴往有源区的迁移，从而提高电子与空穴在有源区空间内的复合效率。
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公开(公告)号：CN210052757U
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201921464381.3
申请日：2019-09-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种LED外延片和半导体器件，在第一N型半导体层和第二N型半导体层之间嵌入有N型电子阻挡层，且N型电子阻挡层为N型AlInGaN/GaN层，由于N型AlInGaN/GaN层中AlInGaN和GaN晶格失配较小，通过应力调制，减小了量子阱区域的极化电场，进而能够降低效率骤降带来的不利影响，同时还增加了LED外延片侧向电流扩展能力，使得半导体器件具有良好的电流扩展能力。以及，本实用新型通过的LED外延片移除了P型电子阻挡层，进而能够增加空穴注入，并缓解了载流子在量子阱中的不均匀分布，使多量子阱有源层发光更加均匀，提高了LED外延片的发光效率，且提高了半导体器件的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN214588766U
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202120379849.X
申请日：2021-02-19
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/673
Abstract: 本实用新型提供了一种石墨载盘装置，包括载盘架及石墨载盘，载盘架包括若干支撑杆及分别用于连接各支撑杆两端的两块固定座，各支撑杆设有若干个连接凹槽，支撑杆的连接凹槽能够分别与其他支撑杆的一个连接凹槽形成一组定位凹槽，各连接凹槽底部设有卡槽，同一组定位凹槽的卡槽形成一组定位卡槽，石墨载盘能够垂直定位于一组定位凹槽，且石墨载盘的边沿凸出部能够定位于同一组定位凹槽的一组定位卡槽，本实用新型既可避免石墨载盘磕碰缺失，提升了石墨载盘的寿命；还防止石墨载盘不稳，倾斜在载盘架上；且卡槽与连接凹槽的侧壁距离设置，烘烤时气流可正常流通，改善了化学反应物去除不充分的问题，提升后续MOCVD制程时外延片的表面良率。
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公开(公告)号：CN214226936U
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202120160090.6
申请日：2021-01-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区、第二型半导体层，所述有源区包括n个沿第一方向依次层叠的量子层，各所述量子层包括势垒层和势阱层，且至少在一相邻的两个量子层之间设有应力释放层，以解决因势阱层和势垒层之间、以及势阱层与第一型半导体层之间所同时存在的晶格失配问题，从而避免因累加的晶格失配所产生的应力对电子和空穴在空间的复合效率的影响。
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