一种探测脉搏波和心尖搏动波形的器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN104305970A

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:CN201410565230.2

    申请日:2014-10-22

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明提供了一种探测脉搏波和心尖搏动波形的器件及其制作方法,通过化学腐蚀、真空镀膜方法处理聚四氟乙烯(PTFE)薄膜和聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(PET)薄膜,制作出一种不需要外加电源、可穿戴的探测脉搏波和心尖搏动波形的器件。该探测器具有制作简单、成本低廉、无源节能、灵敏度高等优点。测出的脉搏波和心尖搏动图重复性高、信息完整,这对于临床诊断和病理监控具有重要的意义。

    一种用智能手机监测PM2.5的系统

    公开(公告)号:CN103868835A

    公开(公告)日:2014-06-18

    申请号:CN201410117715.5

    申请日:2014-03-27

    Abstract: 本发明公开了了一种快速、联网、轻巧、价廉的用智能手机监测PM2.5的系统,此系统除通常智能手机外,增设了小巧、智能的智能空气采样头。智能空气采样头既可使用人嘴来吸气采样,也可使用采样气泵采样。智能空气采样头和智能手机之间能通讯。在手机的引导下,智能空气采样头采用激光散射法测量空气中的粉尘数量及粒径,采用毛细管传热温差量热法测量气体的流量,将测量结果发给智能手机进行处理与显示。智能手机将手机位置及PM2.5的测量结果无线上传,从而实现全国PM2.5的自动联网覆盖,由此给出污染的源头及扩散的方向。本发明还能在智能手机的引导下由用户自行维护、校正智能空气采样头。

    一种通过半透明金属键合层制备Micro-LED发光模组的方法

    公开(公告)号:CN119997703A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510157056.6

    申请日:2025-02-13

    Abstract: 本发明公开了一种通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法,包括以下步骤:在衬底上生长具有透光性的外延层;在外延层上整面沉积半透明金属键合层;在驱动基板上制备金属键合单元和光刻对版标记,金属键合单元设于驱动基板的驱动电极的表面;键合半透明金属键合层和金属键合单元;去除衬底;根据光刻对版标记进行光刻,图案化处理外延层和半透明金属键合层,保留金属键合单元对应位置的外延层和半透明金属键合层,制备出单个的Micro‑LED像素单元,完成Micro‑LED发光模组的制备。本发明通过半透明金属键合层制备Micro‑LED发光模组的方法,不仅可以实现非对准键合,而且半透明金属键合层不影响后续光刻对版,提高Micro‑LED发光模组制备的制备效率和良率。

    一种显示器老化测试装置及系统
    54.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119959733A

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202510138159.8

    申请日:2025-02-08

    Abstract: 本发明公开了一种显示器老化测试装置及系统,包括老化底板,安装在老化底板上的FPGA信号板和/或MCU控制板、视频转接板、电源板和模组转接板;模组转接板与电源板、FPGA信号板和/或MCU控制板、视频转接板电性连接;模组转接板连接待老化测试的显示器,模组转接板将接收的信号以及电源传输至待老化测试的显示器;电源板配置顶部电源接口、底部电源接口和电压可调电源;顶部电源接口与底部电源接口电性连接,底部电源接口和电压可调电源电性连接;电源板的个数为n,n个电源板能通过层叠结构产生多路电源给模组转接板提供电源,n为正整数。电源板设计为层叠结构可以根据待老化测试的显示器的需要灵活的增加或减少电源板的数量,降低装置的成本。

    一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法

    公开(公告)号:CN118782696A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410931016.8

    申请日:2024-07-12

    Abstract: 本申请提供了一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法。所述方法包括:在硅衬底GaN基外延片上获得GaN阵列,在GaN阵列上制备金属凸点点阵,像素区以外制作四周环状金属,在金属凸点点阵的间隙,及四周环状金属以外的区域制备第一特种光刻胶层,制成硅衬底GaN基Micro LED芯片;在CMOS驱动基板上制备像素区金属凸点点阵,像素区以外的区域覆盖金属,在像素区金属凸点点阵的间隙制备第二特种光刻胶层;硅衬底GaN基Micro LED芯片与CMOS驱动基板对准键合;湿法去除芯片端的硅衬底;制备CMOS驱动基板的焊盘,制成Micro LED微显示模组。本发明采用湿法去除GaN基Micro LED芯片的硅衬底,保护CMOS驱动基板不受酸腐蚀液侵蚀,成本低,腐蚀速度快,可批量操作。

    一种Micro-LED全彩显示器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118073394A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410328160.2

    申请日:2024-03-21

    Abstract: 本发明提供一种Micro‑LED全彩显示器及其制备方法,其中Micro‑LED全彩显示器的制备方法,通过在同一衬底上集成多个颜色控制单元,并通过多个颜色控制单元分别控制红、绿、蓝三种光,再通过单片集成的方式将芯片阵列集成于电路基板,可以避免使用巨量转移技术或者颜色转换技术来实现全彩显示,简化了集成工艺的复杂性。此外,在芯片阵列制备时通过选择性刻蚀暴露出不同颜色控制单元的阳极接触面,且每颗颜色控制单元的发光层均相互独立,互不相连,所有的颜色控制单元都通过共用外延底部不刻断的N型半导体层导电并形成共阴连接,使得芯片阴极接触面只需要通过与外延底部不刻断的N型半导体层进行连线,即可实现阴极接触面的布线,进而简化了布线工艺。

    一种可见光波段可调双通道滤波器

    公开(公告)号:CN117130084A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310589816.1

    申请日:2023-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种可见光波段可调双通道滤波器,包括可见光透明衬底和介质滤波器,介质滤波器由两组介质膜组成,记第一介质膜组A,第二介质膜组B;第一介质膜组A控制长波长通道的位置,第二介质膜组B控制短波长通道的位置;可以通过改变第一介质膜组A和第二介质膜组B中的介质材料层的厚度来任意调控双通道的位置,实现可见光波段的双通道滤波的效果。这种可见光波段可调双通道滤波器的通道窗口的透光率高,能够减少目标波长的损失,同时滤波通道的半高宽窄,可以满足彩色显示中对色纯度的滤波要求。这种可见光波段可调双通道滤波器可以直接贴合到彩色显示中,使显示的色纯度高和稳定性高。

    一种Micro-LED全彩显示模组及制备方法

    公开(公告)号:CN116895681A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310803186.3

    申请日:2023-07-03

    Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED全彩显示模组及制备方法,在一块驱动基板上集成有能自发白光的Micro‑LED阵列,每个像素均能独立地控制自发白光的Micro‑LED开关和亮度。这些自发白光的Micro‑LED被分成三组,其中第一组自发白光的Micro‑LED表面上设置有红色光子晶体滤波膜,第二组自发白光的Micro‑LED表面上设置有绿色光子晶体滤波膜,第三组自发白光的Micro‑LED表面上设置有蓝色光子晶体滤波膜。使自发白光的Micro‑LED经过滤波膜后发出的光分别为红色、绿色和蓝色,作为发光像素。红色、绿色、蓝三组像素均形成二维周期性排列,使每个周期内均包含有至少一个红色、一个绿色和一个蓝色像素,从而构成全彩像素。本发明能够降低Micro‑LED全彩显示像素转移难度,提高Micro‑LED全彩显示的色纯度和稳定性。

    一种掩模预对准控制系统及方法

    公开(公告)号:CN116666291A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310947006.9

    申请日:2023-07-31

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明提供了一种掩模预对准控制系统及方法,包括:粗调光源和精调光源,两光源分别发出不同光斑大小的准直光束通过合束光学元件形成同轴光束经过掩模预对准光机单元;掩模预对准光机单元,包括掩模预对准光路、掩模板和掩模位置调整运动单元、以及光束整形透镜组;多电极热电薄膜位置分析单元,根据不同光斑大小及位置的光束照射在多电极热电薄膜上,产生热电子扩散而形成多个电极上电压值组成的向量计算光斑位置;信号处理与控制单元,对所述光斑位置进行计算,并对光源和掩模位置调整运动单元进行控制,实现粗调和精调的控制。本发明采用粗调和精调模式,以及多电极大面积热电薄膜位置智能定位方法,大大提升了光刻机的良品率。

    一种AlN薄膜保护硅衬底Micro-LED阵列键合转移的方法

    公开(公告)号:CN116207190A

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202211619675.5

    申请日:2022-12-16

    Abstract: 本发明公开了一种AlN薄膜保护硅衬底Micro‑LED阵列键合转移的方法,所述Micro‑LED阵列表面有一层保护层AlN薄膜,在Micro‑LED阵列与驱动基板键合转移以及去除硅衬底的过程中,保护驱动基板不被破坏。本发明具有如下特点:1、AlN薄膜能起到很好的选择保护的效果;2、作为保护层的AlN薄膜能完全填充Micro‑LED阵列之间的间隙,能最大程度上实现对驱动基板表面的键合金属层及金属焊盘的保护,在干法刻蚀去除硅衬底的过程中可以很好地避免和减少刻蚀产物的附着积累,从而为后续Micro‑LED多次键合转移提供一个比较干净的键合金属表面;3、由于对驱动基板未邦定的区域具有很好的选择保护效果,如果在Micro‑LED阵列上留有足够的间隙,允许进行多次键合,从而能制备双色甚至多色全彩的器件。

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