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公开(公告)号：CN116017988A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310003297.6
申请日：2023-01-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H10B61/00
Abstract: 本发明公开一种基于Bi2Se3‑掺杂锂原子衬底的倾斜磁隧道结存储器及数据读写方法，所述存储器的结构包括从上至下依次设置的顶电极、SOT‑MTJ和衬底，所述SOT‑MTJ包括从上至下依次设置的参考层、隧穿层、重金属层和自由层，所述衬底为Bi2Se3和掺杂锂原子的石墨烯异质结的结构。此种存储器的衬底采用Bi2Se3和掺杂锂原子的石墨烯异质结的结构，相比未掺杂的石墨烯衬底，提高了衬底的透射系数，并且锂原子掺杂在石墨烯表面和掺杂在石墨烯内部时透射系数不同，可以实现“0”和“1”两种逻辑；另外，在器件外施加磁场偏转也可以进一步改变该衬底的透射系数，能够解决现有技术中磁性随机存储器存在自旋霍尔角较小、稳定性差且不能实现读写分离的问题。
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公开(公告)号：CN112391085B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202011353496.2
申请日：2020-11-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种喷墨打印用钙钛矿纳米晶墨水及其配制方法，此墨水由第一溶剂、第二溶剂、第三溶剂和分散质混合而成；第一溶剂为低沸点钙钛矿纳米晶的非良溶剂；第二溶剂为高沸点钙钛矿纳米晶的非良溶剂；第三溶剂为钙钛矿纳米晶的良溶剂；分散质为ABX3型钙钛矿纳米晶，其可分散于包含第一溶剂、第二溶剂、第三溶剂的混合溶剂中。本发明构建的混合溶剂体系，可抑制喷墨打印膜层的咖啡环效应，改善打印钙钛矿纳米晶的成膜质量，在印刷显示屏、太阳能电池、防伪图案等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110211963A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910500369.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/1157 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种MOS存储器，其结构从下至上分别为硅衬底、隧道氧化物层、电荷存储层、栅极氧化层和栅极，所述隧道氧化物层为超薄非对称Al2O3/HfO2的双层结构，所述电荷存储层为四层石墨烯纳米薄片；本发明还公开了基于上述MOS存储器的制备方法。本发明的MOS存储器能够增强存储器的保持能力，同时又保持电荷的保留率，在非易失性存储器设备中具有很大的潜力；其制备方法简单易行，工艺成本低。
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公开(公告)号：CN110070027A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910308543.2
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于智能物联网系统的行人重识别方法，包括(1)制作行人重识别数据集；(2)利用深度残差网络训练行人重识别模型；(3)通过多个摄像头从不同角度实时采集行人连续帧图像发送至服务器，并对采集到的行人连续帧图像采用深度残差网络进行图像特征提取；(4)将图像特征与步骤2中所得到的模训练型进行匹配，识别行人身份。利用深度残差网络提取行人数据集的图像特征并训练行人重识别模型，提高了治安监控的准确性以及识别率，同时加快了运行速率。该发明可以应用于视频监控的多个场合，包括银行、商场、企业等，相比于传统监控方案，极大地提升了监控系统的智能性和安全性。
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公开(公告)号：CN106571905B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201610943789.3
申请日：2016-11-02
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H04L9/00
Abstract: 本发明涉及一种数值型数据同态保序加密方法，采用加密保序融合技术，在单个密文模型中，能够支持在密文上的同态加、乘计算，保持与明文一致的顺序，其中，使用本发明所设计方法对明文进行加密，并在密文分片上构建保序索引，随后将密文发送到不可信的服务器中存储，服务器可以对加密数据进行排序、查询、数据的加和乘的操作，如此，加密结果不仅能够进行加和乘运算，还支持范围查询；随后将加密结果返回给可信端，系统使用解密函数和密钥将密文结果恢复成明文，最终返回给用户，大大提高了数据加密后应用与解密的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108428738A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810258144.5
申请日：2018-03-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/4232 , H01L29/41725 , H01L29/772
Abstract: 本发明公开了一种欠叠栅结构的黑磷场效应管，包括：导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、栅电极未覆盖沟道区、源极、漏极、栅极；所述的导电沟道、源区、漏区和栅电极未覆盖沟道区均采用黑磷材料制作，在所述的导电沟道、源区、漏区和栅电极未覆盖沟道区外，采用原子沉积等方法生成一层栅极氧化层，在栅极氧化层外再沉淀一层金属电极，作为新型欠叠栅结构的黑磷场效应管的栅极，新型欠叠栅结构的黑磷场效应管与传统结构黑磷场效应管相比，具备了很多的优点，具有更低的边缘场电容，更小的固有延迟时间、更短的功率延迟和更高的截止频率。
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公开(公告)号：CN108428735A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810258143.0
申请日：2018-03-27
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/4916
Abstract: 本发明公开了一种双材料氧化层结构的黑磷场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；栅极氧化层位于导电沟道、源区、漏区外，栅极氧化层包括高介电常数栅极氧化层和低介电常数栅极氧化层；高介电常数栅极氧化层位于源区及导电沟道靠近源区的部分外；低介电常数栅极氧化层位于漏区及导电沟道靠近漏区的部分外。本发明与具有低介电常数的传统黑磷场效应管相比，具有更高的I on/I off比、跨导、移动电荷和平均速度；与具有高介电常数的传统黑磷场效应管相比，具有更低的量子电容，更小的固有延迟时间和更短的功率延迟。
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公开(公告)号：CN103247688B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310141991.0
申请日：2013-04-22
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schr？dinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算单一材料栅和双材料异质栅策略对石墨烯场效应管(GNRFET)电学特性的影响。通过与采用双材料栅的输出特性、转移特性、开关电流比等电学特性对比，发现这种双材料异质栅underlap线性掺杂策略结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明双材料异质栅underlap线性掺杂具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应，带带隧穿和热载流子效应。
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公开(公告)号：CN103935993B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410173082.X
申请日：2014-04-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种提高碳纳米管石墨化程度的方法，该方法利用铝热反应原理放出的大量的热处理碳纳米管，提高石墨化程度，减少缺陷，优化碳管结构的方法；该方法操作简单，具有快速加热、低能耗和周期短等优点，适用于大批量优化碳纳米管；该方法包括：将纳米级的铝粉与三氧化二铁或四氧化三铁粉末按一定的摩尔比充分混合均匀，形成铝热剂；将市售的碳纳米管装入到一石墨管中压实并将其密封，然后用铝热剂包覆在石墨管表面；以金属镁条作为引燃剂，点燃铝热剂，发生猛烈反应并放出大量的热，使得碳纳米管的C-C键发生重排；将处理后的碳纳米管从石墨管中取出，利用拉曼光谱分析其石墨化程度的改变情况。
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公开(公告)号：CN103137665A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310040694.7
申请日：2013-02-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种梯子形石墨烯纳米条带电子开关，该电子开关具有2格及2格以上的梯子型石墨烯纳米条带。中间呈梯形分布的原子为扶手型石墨烯纳米条带，该纳米条带的水平方向边界为扶手型，梯子的边、横杆均为一列正六边形晶胞、中间空白区所占空间与横杆相同，垂直方向边界为锯齿型；左右两端呈矩形分布的原子为理想梯子型石墨烯纳米条带电极，该电极的水平方向边界为扶手型，垂直方向边界为锯齿型，电极由两列无限长的正六边形晶胞构成。随着阶梯数的增加，梯子型石墨烯纳米条带电导峰以0.0eV为中心发生对称分裂，中心电导峰减小直至消失；阶梯间间隔变大，会压低电导峰。
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