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公开(公告)号：CN118954418A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411049351.1
申请日：2024-08-01
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种CMOS‑MEMS集成电热微镜及制备方法，属于微机电系统领域。在硅晶圆上设置读出/控制电路，其介质层上设置光学吸收层或电容位置检测电路下电极，功能层上设置导电支撑结构与顶层金属通过金属钨塞连接，在导电支撑结构上设置电热微镜。电热微镜有同层和双层两种结构。而电热微镜的镜面结构间设置连续的缝隙或不连续的孔。该集成电热微镜通过在硅晶圆上制备读出/控制电路，其上依次沉积功能层、牺牲层、导电支撑结构和光学微镜，最后去除牺牲层得到。本发明通过结构设计和调控驱动结构的应力，可实现电热微镜释放后的初始位置控制；所设计的多种功能可以集成到同一层拓展功能层的层结构中，该拓展功能层可以提高电热微镜的功能集成度。
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公开(公告)号：CN118623912A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410664926.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种压电位置检测电磁驱动MEMS微动平台及其制备方法，所述MEMS微动平台包括外围支撑框架、支撑梁、内部质量平板，还包括能检测所述支撑梁应力的压电位置检测结构用于检测平台位移情况，另外，所述MEMS微动平台中还设有驱动线圈或磁性材料构成的结构用于实现电磁方式驱动。该电磁驱动MEMS微动平台采用压电结构进行位置检测，对比现有压阻检测方案，可有效简化电磁驱动MEMS微动平台结构和制备工艺的复杂程度，同时有效提升电磁驱动MEMS微动平台位置检测结构的温度特性，降低零位温漂、灵敏度温漂等问题的影响，提高位置检测的精度。
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公开(公告)号：CN118603070A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410812556.4
申请日：2024-06-22
Applicant: 中北大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院 , 赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司
IPC: G01C19/5656
Abstract: 本发明涉及三轴陀螺仪，具体是一种高灵敏度嵌套轮环单片三轴MEMS陀螺芯片。本发明解决了现有三轴陀螺仪灵敏度低、测量精度低的问题。高灵敏度嵌套轮环单片三轴MEMS陀螺芯片，包括谐振子部分和电极部分；所述谐振子部分包括轮结构和环结构；所述轮结构包括圆盘形质量块；圆盘形质量块的外侧面开设有两个呈左右对称分布的豁槽；所述环结构包括圆环形质量块B；圆环形质量块B同轴套设于圆环形质量块A的外侧；所述电极部分包括正方形基座；正方形基座与圆盘形质量块同轴设置。本发明适用于军事导航、深空探测等高精尖领域。
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公开(公告)号：CN117830138A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410113070.1
申请日：2024-01-26
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种用于傅里叶域光学相干层析成像的去噪增强方法，属于图像处理技术领域，包括：获取FD‑OCT图像的样本数据，并对其进行标准化操作；对标准化后的图像进行图像分组；根据图像分组的结果，对每组图像构建强反射条纹模板，用于去除FD‑OCT图像中的强反射条纹噪声；构建频域陷波滤波器模板，进一步去除图像背景中的周期性噪声；采用空间域去噪与变换域去噪相结合的方式，进一步去除图像的散斑噪声；对去噪后的图像进行图像增强操作。本发明提供的一种用于傅里叶域光学相干层析成像的去噪增强方法，能同时去除FD‑OCT中存在的强反射条纹噪声、周期性噪声与散斑噪声，并提升图像整体的视觉效果。
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公开(公告)号：CN117420081A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311549226.2
申请日：2023-11-17
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种活塞式浸没采样装置，所述活塞式浸没采样装置包括：光源、第一透镜组、第二透镜组和比色皿；所述光源设置于第一透镜组一侧，所述比色皿设置于第一透镜组和第二透镜组之间，且所述比色皿能够相对于第一透镜组和/或第二透镜组进行竖直方向活动，所述比色皿分为比色皿上半段和比色皿下半段，所述比色皿上半段内密封有参比介质，所述比色皿下半段内装有待测介质体；所述第一透镜组用于将光源发出的光调整为准直光线并射入比色皿，穿透比色皿后的光线经第二透镜组完成光耦合并经信号传输光纤导入后续光谱仪。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117214508A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311410368.0
申请日：2023-10-27
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的一种悬臂梁式霍尔电流传感器及其制作方法，属于传感器领域。本发明在悬臂梁式电流传感器设计的基础上，分别提供基于CMOS‑MEMS技术实现和基于MEMS技术实现的两种悬臂梁式霍尔电流传感器，并提供相应的传感器制作工艺步骤。本发明采用霍尔元件、悬臂梁、磁性物质三层结构，使具有强磁场的磁性物质通过与电流产生的弱磁场之间的相互作用而产生运动，磁性结构的被动运动在物理上导致强磁场的变化，因此，弱磁场被转化放大为强磁场。霍尔器件放置在悬臂梁下方，悬臂梁的变形导致磁性物质的移动，霍尔器件检测到磁场变化，从而反映电流变化。本发明不仅能够测量双线电缆，也能够实现连续有效信号输出。本发明具有检测灵敏度高、稳定输出和适用范围广的优点。
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公开(公告)号：CN114023579B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111167882.7
申请日：2021-09-29
Applicant: 北京理工大学 , 无锡微文半导体科技有限公司
IPC: H01H9/02
Abstract: 本公开提供了一种透射式光开关、阵列透射式光开关及电子设备；其中，透射式开关包括有框架、遮光元件、驱动装置以及静电吸合装置；框架形成有通道；遮光元件悬置于通道上，遮光元件被构造为用于开启或关闭通道；驱动装置的一端与框架连接，驱动装置的另一端与遮光元件连接，驱动装置能够发生形变和展平；静电吸合装置包括第一静电电极和第二静电电极，第一静电电极位于遮光元件上，第二静电电极位于通道的侧壁上；在驱动装置发生形变下，遮光元件朝向通道内移动，并能够通过第一静电电极静电吸合在第二静电电极上，以开启通道。本公开的方案为光开关提供了一种新的驱动方式，能明显降低驱动电压和功耗，同时可获得较高的通光率。
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公开(公告)号：CN116337143A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310106202.3
申请日：2023-01-31
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种CMOS‑MEMS单片集成流量、压力传感器，属于传感器领域。本发明的传感器包括硅衬底层及二氧化硅结构层，所述二氧化硅结构层包括设置于两端的PAD区域和设置于中央的气体流量传感器区域及气体压力传感器区域；所述PAD区域中二氧化硅材料与金属材料交叠排布，金属via贯穿第一层金属至第五层金属；所述气体流量传感器区域包括加热电阻及分布在加热电阻两侧的第一热敏电阻和第二热敏电阻；本发明采用无需掩模版(MASK)操作的Post‑CMOS工艺，有效降低了整个器件的后处理复杂程度，大大提高了整个Post‑CMOS后处理的效率。传感部分需要悬空处理，使其具有低热量耗散，快响应速度的特性。
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公开(公告)号：CN116119601A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310106055.X
申请日：2023-02-13
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于高湿度环境检测的气体传感器及其制备工艺，属于传感器技术领域。所述气体传感器包括：硅衬底层及二氧化硅结构层，所述二氧化硅结构层设置于所述硅衬底层上方；所述二氧化硅结构层包括设置于两端的PAD区域和设置于中央的气体传感器区域；所述气体传感器区域包括加热电阻、传感电极、via金属柱和气敏材料，两侧固定，整体悬浮在空腔上方；所述via金属柱密集分布在传感电极上方，从而使气体传感器具有超疏水特性。本发明通过设计金属层和金属via图案，使传感电极上方分布大量的via金属柱，从而具有超疏水特性，可以降低气体传感器在工作时对环境湿度变化敏感程度，一体化且连续的工艺极大地降低了传感器的成本。
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公开(公告)号：CN115802257A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211428123.6
申请日：2022-11-15
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开的电热式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及制造方法，属于声学器件声电转换领域。所述MEMS扬声器，采用与振膜不共面的隐藏式连接结构，振膜垂直方向的位移范围在沿基座厚度方向延伸的支撑结构所形成的空腔高度范围内。隐藏式连接结构能够增大活塞运动式扬声器在工作状态下的前后腔声阻值，提高活塞运动式扬声器的输出声压级。通过优化具有上述隐藏式连接结构的活塞式扬声器的振膜结构、支撑结构等组件，能够调节前后腔之间空气缝隙的长度、横截面积和基座的开口，进一步提高声阻和输出声压级。所述制造方法采用MEMS表面微加工技术和MEMS体微加工技术，通过利用SOI、具有空腔结构的cavity‑SOI，降低加工工艺的复杂程度，提高器件可实现性。
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