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公开(公告)号：CN118684181A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410693313.3
申请日：2024-05-31
申请人： 北京理工大学重庆微电子研究院
摘要： 本发明公开了一种基于磁致伸缩的MEMS执行器及其制造方法，该执行器的驱动臂由多层薄膜复合而成，所述膜结构包括磁致伸缩薄膜和非磁致伸缩薄膜。在磁场作用下，由于磁致伸缩薄膜本身发生伸缩，非磁致伸缩薄膜在磁场作用下薄膜本身无变化。所述驱动臂在应力作用下发生形变弯曲，带动相应结构运动。因此，本发明利用多层薄膜具有不同的磁致伸缩效应，产生应变力进行驱动，其结构简单，可通过电信号控制磁场大小，进而控驱动臂产生不同的位移量，响应速度快且控制精准，可以与多种微结构进行集成，实现MEMS执行器的小型化、集成化、大规模的商业化工业应用。
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公开(公告)号：CN118702050A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410695318.X
申请日：2024-05-31
申请人： 北京理工大学重庆微电子研究院
摘要： 本发明公开了一种基于磁致伸缩的LSF型MEMS执行器及其制备方法，其基本结构包含三段Bimorph驱动臂，两段刚性直臂。Bimorph驱动臂为非磁致伸缩材料和磁致伸缩材料形成的多层结构，刚性直臂为非磁致伸缩材料。在外加磁场的驱动下，Bimorph驱动臂中磁致伸缩材料会发生膨胀，而非磁致伸缩材料不发生膨胀，因应力作用驱动臂会发生形变弯曲，带动直臂倾斜，由于三段驱动臂弯曲的方向不一样，同时弯曲角度互补抵消，保证了质量块在整个垂直平动过程中始终与初始状态保存平行。本发明结构简单，驱动位移大，无横向侧移，运用MEMS加工工艺，可以集成MEMS执行器的驱动部件，促进MEMS执行器领域的发展和应用。
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公开(公告)号：CN118954418A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411049351.1
申请日：2024-08-01
申请人： 北京理工大学重庆微电子研究院
摘要： 本发明公开了一种CMOS‑MEMS集成电热微镜及制备方法，属于微机电系统领域。在硅晶圆上设置读出/控制电路，其介质层上设置光学吸收层或电容位置检测电路下电极，功能层上设置导电支撑结构与顶层金属通过金属钨塞连接，在导电支撑结构上设置电热微镜。电热微镜有同层和双层两种结构。而电热微镜的镜面结构间设置连续的缝隙或不连续的孔。该集成电热微镜通过在硅晶圆上制备读出/控制电路，其上依次沉积功能层、牺牲层、导电支撑结构和光学微镜，最后去除牺牲层得到。本发明通过结构设计和调控驱动结构的应力，可实现电热微镜释放后的初始位置控制；所设计的多种功能可以集成到同一层拓展功能层的层结构中，该拓展功能层可以提高电热微镜的功能集成度。
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公开(公告)号：CN118623912A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410664926.4
申请日：2024-05-27
申请人： 北京理工大学重庆微电子研究院
摘要： 本发明公开了一种压电位置检测电磁驱动MEMS微动平台及其制备方法，所述MEMS微动平台包括外围支撑框架、支撑梁、内部质量平板，还包括能检测所述支撑梁应力的压电位置检测结构用于检测平台位移情况，另外，所述MEMS微动平台中还设有驱动线圈或磁性材料构成的结构用于实现电磁方式驱动。该电磁驱动MEMS微动平台采用压电结构进行位置检测，对比现有压阻检测方案，可有效简化电磁驱动MEMS微动平台结构和制备工艺的复杂程度，同时有效提升电磁驱动MEMS微动平台位置检测结构的温度特性，降低零位温漂、灵敏度温漂等问题的影响，提高位置检测的精度。
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