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公开(公告)号：CN104862781A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510302054.8
申请日：2015-06-04
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法，包括以下步骤：把C片、固体的Ga-Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中，密封反应釜，将反应釜加压升温至预定的过渡条件；Ga-Na源材料由固体变为Ga-Na溶液，C片由于密度小于Ga-Na溶液而漂浮在气液界面，同时C片开始在Ga-Na溶液上部区域缓慢溶解，使得Ga-Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下；对反应釜继续加压升温，加压升温至预定的生长条件（700～1000℃，1～50MPa），籽晶处开始GaN单晶生长；GaN单晶达到目标厚度后，对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合，阻止GaN多晶的形成，提高了GaN单晶的生长速率。
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公开(公告)号：CN103603031A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310649519.8
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种通过调控釜体内部流场制备高质量单晶体材料的方法，通过在釜体配备多段独立控温系统，利用该控温系统调控使釜体内部隔板上下区域形成多等级的温度梯度，驱动内部液体形成高质量单晶体材料生长所需的对流场，调控晶种生长速度与溶质输运速度的动态平衡，抑制多晶孪晶的产生；同时，根据原材料的溶解性及晶体的结晶度，利用多段独立控温系统，在相应的区域设置不同的温度，提高原材料溶解速度和晶体生长速度；更重要的，根据需要灵活调节隔板的位置，使生长区域空间最大化，提高单炉生长的晶体数量。
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公开(公告)号：CN103522939A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310494099.0
申请日：2013-10-21
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种多辅助功能智能雾灯及警示方法，其中，多辅助功能智能雾灯包括电路控制模块、混合光源模块、整形光学模块、温度控制模块、相对车速测量模块和混合光源模块角度调整器；混合光源模块包括相互协调配合发光的LED雾灯及激光雾灯；电路控制模块连接混合光源模块，混合光源模块的激光雾灯前方设整形光学模块；混合光源模块连接温度控制模块；电路控制模块还连接相对车速测量模块，相对车速测量模块输出端连接混合光源模块角度调整器，混合光源模块角度调整器输出端连接混合光源模块。本发明将红光半导体激光器和LED混合应用到汽车雾灯中，两者相互协调配合发光，保障在不同程度雨、雾天情况下公路的安全行驶，提高公路运输的保障能力。
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公开(公告)号：CN119061461A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411314662.6
申请日：2024-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种自动调节氮化镓晶体生长的坩埚装置、生长设备以及生长方法，其中，本发明中的坩埚装置包括第一坩埚、活塞以及驱动件；第一坩埚为中空结构，活塞滑动设置于中空结构内且活塞的外周边缘与第一坩埚的内侧壁密封配合，活塞与中空结构构成用于容置高温熔体的容置腔，驱动件与活塞连接并驱动活塞在中空结构内上下滑动以调节容置腔的容量；第一坩埚的内侧壁与第一坩埚的外侧壁之间还设置有溢流槽，溢流槽的顶部槽口与容置腔的顶部开口相连通。上述设计中，通过调节高温熔体的高度，能够将高温熔体表层的杂质流出高温熔体，从而有效增加氮气与高温熔体的接触面积以使氮气更快地在熔体表面解离成N离子，进而促进GaN单晶的生长。
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公开(公告)号：CN119041003A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411269545.2
申请日：2024-09-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种助熔剂法生长GaN单晶的搅拌装置、生长设备以及生长方法，其中搅拌装置包括固定架、转轴、旋转传动组件以及装载有熔体的反应釜；转轴连接有驱动件，驱动件用于驱动转轴绕其自身轴线旋转，转轴的外侧连接有至少一个第一传动轴，反应釜转动连接于第一传动轴上，并且反应釜上开设有用于供氮气输入的进气通道，固定架围绕转轴设置，并且反应釜通过旋转传动组件与固定架连接；驱动件驱动转轴旋转时，反应釜绕转轴的轴线进行公转，并且，反应釜通过旋转传动组件绕其自身轴线进行自转。通过上述设计，能够有效解决现有生长GaN单晶的搅拌装置的搅拌效果较差，导致N离子的解离速度较低，无法有效使N离子均匀分布于熔体中的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113851923B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202111217165.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及激光器封装技术领域，尤指一种激光器TO封装结构，包括管座、罩设于管座的管壳、设置在管座上的管舌、激光器芯片及过渡热沉；激光器芯片通过过渡热沉与管舌连接；管舌的外表面设有相变材料层。本发明可以通过管舌上的相变材料层进行相变潜热散热，提高了激光器的散热能力；另外由于激光器芯片与管舌之间通过过渡热沉连接，过渡热沉可以消除温度变化过快而导致产生应力的情况发生，使系统保持稳定工作状态。
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公开(公告)号：CN110491811B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201910886765.2
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置，包括剥离室和激光器，剥离室顶部设有光学窗口，剥离室底部设有样品托盘装置，还包括光强调节装置，光强调节装置装设于剥离室内，光强调节装置位于样品托盘装置上方，激光剥离时，激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室，进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后，再照射至样品托盘装置的待剥离样品，进行激光剥离，本发明通过调整激光光强，形成光强的强弱分布，实现样品表面光强可调，有效控制激光剥离过程，避免样品炸裂。
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公开(公告)号：CN111394792B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202010053354.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B28/14 , C30B29/04 , C30B29/64 , C23C16/27 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，具体涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法，本发明的样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽，样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹，若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带，本发明的样品托采用非对称式底部花纹，利用非均匀的底部散热来补偿由于等离子体球倾斜或偏移所导致的金刚石生长衬底的受热不均匀，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长；本发明的生长方法，采用上述结构的样品托进行生长，工艺简单，容易生长，可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长。
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公开(公告)号：CN116206946A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211096206.X
申请日：2022-09-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L23/367 , H01L23/373 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/56 , C30B25/18 , C23C14/48 , C23C16/01
Abstract: 本发明公开一种大尺寸高热导率衬底的制备方法，包括以下步骤：准备基础衬底和高导热衬底；在基础衬底上进行离子注入，将基础衬底依次分为功能衬底薄层、离子掩埋层和分离层；在功能衬底薄层上键合第一SiO2介质层；在高导热衬底上键合第二SiO2介质层；将基础衬底的第一SiO2介质层面和高导热衬底的第二SiO2介质层面键合，形成键合体；对键合体进行加热处理，将功能衬底薄层从基础衬底上分离，形成功能衬底薄层/SiO2介质层/高导热衬底的复合衬底。本发明实现大尺寸均匀复合衬底材料制备，解决现有氮化物光电器件散热及复合衬底应力过高的问题。
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公开(公告)号：CN115928204A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211727679.5
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供了一种用于气相外延生长的防返流气体输运装置及方法，该装置呈喷头结构，至少包括多路管道进气口、多路气体输运管道、多路管道出气口、喷口多路管道出气口、一内置反应室、及多处变径防返流板。通过在多路管道出气口处设置防返流板，形成类漏斗式结构，避免因多路管道出气口横截面积小、流速大、压强小而导致出气管口受周围气体影响形成湍流乃至导致流体返流。本发明通过调控喷口多路管道出气口压强差的方法，避免喷口因单一管道出气口流速过大而出现虹吸返流现象。调控气流层流输运，可以有效减少预反应产生的颗粒，进而提高晶体质量。本发明结构简单，易于制造且实用性较强，具有极高的商业价值。
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