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发明公开
一种通过调控釜体内部流场制备高质量单晶体材料的方法无效

公开(公告)号：CN103603031A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310649519.8

申请日：2013-12-06

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 刘南柳 , 毕绿燕 , 刘鹏 , 陈蛟 , 童玉珍 , 张国义

IPC: C30B7/10 , C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种通过调控釜体内部流场制备高质量单晶体材料的方法，通过在釜体配备多段独立控温系统，利用该控温系统调控使釜体内部隔板上下区域形成多等级的温度梯度，驱动内部液体形成高质量单晶体材料生长所需的对流场，调控晶种生长速度与溶质输运速度的动态平衡，抑制多晶孪晶的产生；同时，根据原材料的溶解性及晶体的结晶度，利用多段独立控温系统，在相应的区域设置不同的温度，提高原材料溶解速度和晶体生长速度；更重要的，根据需要灵活调节隔板的位置，使生长区域空间最大化，提高单炉生长的晶体数量。

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