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公开(公告)号：CN118538670A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410778408.5
申请日：2024-06-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成一对有源结构，一对有源结构之间存在间隔，一对有源结构包括一对第一有源结构和一对第二有源结构；在一对有源结构的间隔中依次形成隔离层和介电结构，隔离层包裹介电结构；基于一对第一有源结构，形成正面晶体管；去除位于一对第一有源结构的间隔中的隔离层，以形成第一凹槽；在正面晶体管的栅极区域内，形成正面晶体管的正面栅极结构，第一凹槽内存在金属材料；倒片并去除衬底，以暴露一对第二有源结构；基于形成正面晶体管的正面栅极结构相同的方法，形成背面晶体管的背面栅极结构。本申请中的正背面晶体管均为四栅器件，能够增强栅控作用。
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公开(公告)号：CN117133719B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202310987830.7
申请日：2023-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构；对有源结构填充氧化物，以形成浅槽隔离；去除浅槽隔离的第一部分，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管，第一晶体管的第一栅极结构包裹第一有源结构；在第一晶体管的顶部沉积第一绝缘层，并将第一绝缘层与载片晶圆键合；对第一晶体管进行倒片；去除衬底以及浅槽隔离的第二部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管，第二晶体管的第二栅极结构包裹第二有源结构。通过本申请，实现了多层堆叠晶体管的自对准，减小工艺深宽比，并简化工艺流程，降低制备难度。
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公开(公告)号：CN118380320A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410489812.0
申请日：2024-04-23
Applicant: 北京大学 , 北京知识产权运营管理有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本申请提供一种底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备，方法包括：在衬底上形成鳍状结构；在鳍状结构上沉积第一绝缘材料，以形成第一浅沟槽隔离层；刻蚀第一浅沟槽隔离层至牺牲层与衬底的交界处，暴露鳍状结构；在鳍状结构上形成伪栅结构；在伪栅结构和未被伪栅结构包裹的鳍状结构上沉积第一绝缘材料，形成第二浅沟槽隔离层；刻蚀第二浅沟槽隔离层至牺牲层与叠层的交界处，以暴露未被伪栅结构包裹的鳍状结构；刻蚀未被伪栅结构包裹的鳍状结构，并形成源漏结构；刻蚀第二浅沟槽隔离层至牺牲层与衬底的交界处，暴露牺牲层；去除牺牲层，在叠层、源漏结构与衬底之间形成第一间隙；在第一间隙中填充隔离材料，以形成底部介质隔离层。
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公开(公告)号：CN118352310A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410178652.8
申请日：2024-02-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L23/528 , H05K1/18
Abstract: 本申请为堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及电子设备，提供一种堆叠叉板晶体管的电源轨的连接方法、堆叠叉板晶体管、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成第一半导体结构；在第一半导体结构上形成第一电源轨；在第一电源轨上形成第一介电壁结构；去除第二牺牲层，并在第一源极结构中形成与第一电源轨连接的第一金属连通结构；在第二半导体结构和第三半导体结构上形成第一金属互连层；将第二半导体结构和第三半导体结构进行倒片；去除衬底和浅沟槽牺牲层的一部分，直至暴露出一对有源结构的第二部分；在一对有源结构的第二部分之间形成第二介电壁结构；在第四半导体结构和第五半导体结构上形成第二金属互连层。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。
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公开(公告)号：CN118352304A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410298794.8
申请日：2024-03-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：在衬底上形成有源结构；有源结构包括正面有源结构和背面有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面伪栅结构或背面栅极结构、背面源漏结构和背面层间介质层；依次对背面伪栅结构或背面栅极结构、背面源漏结构、背面有源结构、正面源漏结构、正面有源结构和正面栅极结构进行光刻，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积介电材料，以形成介质叉板结构；形成背面金属互连层；正面晶体管和背面晶体管自对准。通过本申请，可以简化工艺流程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118352296A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410305045.3
申请日：2024-03-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762 , H01L27/02
Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成有源结构；有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第二有源结构相比于第一有源结构靠近半导体衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；第一晶体管包括第一源漏结构；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；第二晶体管包括第二源漏结构；在形成第一源漏结构和/或第二源漏结构之前，形成隔离层；隔离层位于堆叠晶体管的源漏区域内，且隔离层用于电学隔离位于源漏区域内的第一源漏结构和第二源漏结构。
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公开(公告)号：CN117116858B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310987549.3
申请日：2023-08-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成有源结构，有源结构具有第一部分和第二部分；在衬底上形成浅沟槽隔离层，以覆盖第二部分；在浅沟槽隔离层之上形成刻蚀阻挡层；基于所述第一部分，形成底层晶体管；倒片并刻蚀衬底以及浅沟槽隔离层，以暴露刻蚀阻挡层以及第二部分；基于第二部分形成顶层晶体管。底层晶体管的第一栅极结构与顶层晶体管的第二栅极结构位于刻蚀阻挡层相对的两侧。
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公开(公告)号：CN118119182A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410253970.6
申请日：2024-03-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开一种垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过淀积薄膜厚度定义垂直沟道的宽度，实现超越光学光刻精度的沟道尺寸控制，并减少了定义有源区的光刻次数，实现了垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备。采用本发明提高了DRAM存储密度，为实现4F2单元提供了可能性。
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公开(公告)号：CN118016592A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410120680.4
申请日：2024-01-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L27/085
Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：对第一正面栅极结构、第一背面栅极结构、第三正面栅极结构和第三背面栅极结构进行栅极切断，以形成第一栅极切断凹槽和第二栅极切断凹槽，以及对第二背面栅极结构进行栅极切断，以形成第三栅极切断凹槽；在第一栅极切断凹槽、第二栅极切断凹槽和第三栅极切断凹槽中填充绝缘材料，以形成第一栅极切断结构、第二栅极切断结构和第三栅极切断结构；对第二栅极切断结构对应于第三背面栅极结构的部分进行光刻，以形成第四栅极切断结构和第一凹槽；在第一凹槽中填充金属材料，以形成栅极互连金属。通过本申请，可以实现半导体结构中的电学互连的灵活设计。
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公开(公告)号：CN117438470B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311397765.9
申请日：2023-10-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，其中，半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，第一有源结构是由沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转衬底并去除衬底，以暴露沟道结构的第二端，第二端与第一端为所述沟道结构相对的两端；在沟道结构的第二端外延生长第二有源结构。
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