公开(公告)号：CN104835840B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201510131442.4

申请日：2015-03-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  吴春蕾 ,  黄芊芊 ,  樊捷闻 ,  王阳元

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供了一种超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿场效应晶体管采用具有芯‑多层壳的纳米线结构，该结构中的多壳层部分的材料禁带宽度沿纳米线半径方向连续增大。本发明可以有效抑制器件转移特性中亚阈斜率退化现象，同时显著降低隧穿场效应晶体管的平均亚阈斜率，并保持了较陡直的最小亚阈斜率。

公开(公告)号：CN106531681A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201510578208.6

申请日：2015-09-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  杨远程 ,  樊捷闻 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/762 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种实现集成电路中半导体器件隔离的方法，该方法结合热氧化与淀积技术，先形成半导体器件的有源区；然后填充高深宽比间隙形成窄STI隔离；最后再填充低深宽比间隙形成宽STI隔离。本发明的优点如下：无论对于微米尺度的间隙还是技术节点为亚45nm的高深宽比间隙，都具有优异的间隙填充能力，填充质量好，不会产生空洞和裂缝；填充速率快，且稳定可控；不存在HDP-CVD对衬底的刻蚀损伤；对间隙的截面形貌没有依赖性；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。

公开(公告)号：CN106328806A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201610751139.9

申请日：2016-08-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  樊捷闻 ,  黄如

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供一种基于磁阻效应的电子器件开关，该开关包括有源层、隔离层和控制线；其中，有源层包括源电极、漏电极以及连接二者的导电沟道；隔离层覆盖有源层；在隔离层上形成与导电沟道方向一致的控制线。当控制线中无电流流过时，不激发磁场，有源层中的电流从源电极流经导电沟道，从漏电极流出，导电沟道中的电子不受洛伦兹力影响，无磁阻现象，开关处于开态；当控制线中有电流流过时，激发出环形磁场，此时导电沟道中的电子受到洛伦兹力的影响，发生偏转而与沟道表面间的散射加剧，致使载流子沿沟道方向的速度损失，出现磁阻现象，有源层中的电流被关断，开关处于关态。与现有技术相比，本发明具有良好的抗辐射性、开关效率高。

公开(公告)号：CN105374752A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510701681.9

申请日：2015-10-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  杨远程 ,  陈珙 ,  樊捷闻 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823885 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了一种垂直纳米线晶体管的集成方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法结合图形化外延和侧壁替代栅以实现垂直纳米线晶体管集成，与现有的通过刻蚀形成垂直纳米线沟道的方法相比，能够精确地控制器件沟道的截面积大小和形貌，提高器件的特性的一致性；避免了现有方法中沟道形成过程中的刻蚀损伤，提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN104835840A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510131442.4

申请日：2015-03-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  吴春蕾 ,  黄芊芊 ,  樊捷闻 ,  王阳元

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/7391 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66356

Abstract: 本发明提供了一种超陡平均亚阈摆幅纳米线隧穿场效应晶体管及制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该隧穿场效应晶体管采用具有芯-多层壳的纳米线结构，该结构中的多壳层部分的材料禁带宽度沿纳米线半径方向连续增大。本发明可以有效抑制器件转移特性中亚阈斜率退化现象，同时显著降低隧穿场效应晶体管的平均亚阈斜率，并保持了较陡直的最小亚阈斜率。

公开(公告)号：CN103151269B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201310103543.1

申请日：2013-03-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  樊捷闻 ,  李佳 ,  许晓燕 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明公布了一种制备源漏准SOI多栅结构器件的方法，包括：形成Fin条形状的有源区；形成STI氧化隔离层；形成多晶硅假栅结构；形成源漏延伸区结构；形成源漏准SOI结构；形成高k金属栅结构。本发明所述方案可以通过与传统体硅CMOS兼容的工艺方法实现，能够很容易地整合到工艺流程中，并且在较短沟道长度条件下，仍然能够保持较小的泄漏电流，从而降低器件的功耗。

公开(公告)号：CN103681355A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310697719.0

申请日：2013-12-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  樊捷闻 ,  黎明 ,  杨远程 ,  宣浩然

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02271 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31105 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/12 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/66553 ,  H01L21/02318

Abstract: 本发明公开一种制备准SOI源漏场效应晶体管器件的方法，包括如下步骤：形成器件的有源区；形成器件的栅叠层结构；形成源漏延伸区的掺杂，并在栅叠层两侧形成第一层侧墙；形成凹陷的源漏结构；形成准SOI源漏隔离层；原位掺杂外延第二半导体材料源漏，并进行退火激活；若采用后栅工艺则去掉之前的假栅，重新进行高k金属栅的淀积；形成接触和金属互联。本发明所述方法能很好地与现有CMOS工艺兼容，具有工艺简单、热预算较小的特点，相比传统的场效应晶体管，依据本发明所述方法制备的准SOI源漏场效应晶体管器件能有效降低泄漏电流，减小器件的功耗。

公开(公告)号：CN103151269A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310103543.1

申请日：2013-03-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  樊捷闻 ,  李佳 ,  许晓燕 ,  黄如

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明公布了一种制备源漏准SOI多栅结构器件的方法，包括：形成Fin条形状的有源区；形成STI氧化隔离层；形成多晶硅假栅结构；形成源漏延伸区结构；形成源漏准SOI结构；形成高k金属栅结构。本发明所述方案可以通过与传统体硅CMOS兼容的工艺方法实现，能够很容易地整合到工艺流程中，并且在较短沟道长度条件下，仍然能够保持较小的泄漏电流，从而降低器件的功耗。

公开(公告)号：CN102074577B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201010506129.1

申请日：2010-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  郝志华 ,  黄如 ,  浦双双 ,  樊捷闻 ,  孙帅 ,  王润声 ,  许晓燕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/7827 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管的沟道区为一垂直于衬底上的圆环形Si台；源端为多晶硅，位于圆环形Si台的上端；漏端位于圆环形Si台下端的外侧；栅位于圆环形Si台的外侧面；在圆环形Si台的内部填充有介质材料。与常规的垂直结构Si台场效应晶体管相比，本发明的圆环结构场效应晶体管可有效抑制短沟效应，达到改善器件性能的目的。

公开(公告)号：CN102097296B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010506128.7

申请日：2010-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  郝志华 ,  黄如 ,  浦双双 ,  樊捷闻 ,  孙帅 ,  王润声 ,  安霞

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。本发明采用微米尺寸的光刻设备和微米尺寸的圆形掩膜制备出纳米尺寸的圆环形结构，克服了对先进光刻技术的依赖，从而有效降低了圆环形纳米结构的制备成本。