-
公开(公告)号：CN112710248A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011442908.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: G01B11/16
Abstract: 本发明提供一种基于全保偏光纤反射式双折射干涉应变传感器，传感器包括第一保偏光纤、第二保偏光纤和耦合器，第一保偏光纤旋转45°与第二保偏光纤熔接，第二保偏光纤端部涂覆有镀金层；耦合器三端分别连接起偏器、手动检偏器和第一保偏光纤端部。本发明通过错熔保偏光纤作为传感头进行应变实验，装置简单且易于制作；所发明的器件结构简单，稳定性可靠，灵敏度高；成本较低、重复性高，易于实现器件的批量加工。
-
公开(公告)号：CN112633469A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011442694.6
申请日：2020-12-08
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于卷积光神经网络的随机光栅设计方法，方法包括以下步骤：步骤a、计算衍射光栅的相位梯度；步骤b、掩膜设计；步骤c、利用CMOS工艺制备衍射光栅。本发明的有益效果是：本发明提供一种用于卷积光神经网络的随机光栅设计方法，用于深度学习光神经网络的设计及开发，增加装置的适用性。
-
公开(公告)号：CN119575729A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411820246.3
申请日：2024-12-11
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜波导串联双微环的光频梳产生装置及方法，装置包括在铌酸锂薄膜上刻蚀的第一总线波导、第一环形波导、第二环形波导及第二总线波导；其中，第一总线波导的一端为泵浦光输入端，另一端为辅助光输入端，第一总线波导与第一环形波导相互耦合，第一环形波导和第二环形波导相互耦合，第二环形波导为孤子腔，孤子腔下方设置有温度调控装置，通过对孤子腔的温度进行调控使孤子腔的谐振峰漂移，以使泵浦光进入孤子态，且辅助光对泵浦光的孤子态进行功率补偿，产生孤子光频梳。本发明结合辅助光热调，使得微腔热效应得到补偿，提升孤子稳定性，最终从孤子腔端口输出得到性能稳定且具有高相干性和高平坦度的梳状结构光谱。
-
公开(公告)号：CN118884607B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411390757.6
申请日：2024-10-08
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法，该解波复用器件在SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。本发明结构设计直观，通过聚焦方法减少光波损耗，解决了传统设计中的复杂性、损耗高和调控性不足的问题，且器件体积小、重量轻，便于集成和部署。
-
公开(公告)号：CN117748299B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311571423.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在InP衬底上制备的有源层，有源层的一个级联周期包括势垒层、第一GaInAs深势阱层、第二GaInAs深势阱层，以及制备在第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层之间的六个复合阶梯阱层；势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和0.4nm厚的AlAs层；第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层为GaInAs深势阱层，六个复合阶梯阱层为复合阶梯阱层。本发明的能带结构具有宽而平坦且具有高增益的增益谱，可应用于制备宽波段可调谐量子级联激光器。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117747691B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311563148.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管，衬底，在衬底上外延生长缓冲层、第一接触层、第一异质结、第二异质结和第二接触层，以及沿第二接触层、第二异质结、第一异质结蚀刻至第一接触层的台阶；第一接触层上形成第一金属电极，第二接触层上形成第二金属电极，并且第二接触层、第二异质结、第一异质结和第一接触层的蚀刻表面沉积钝化层；第一异质结为中波异质结，第二异质结为长波异质结；第一接触层为中波N型接触层，第二接触层为长波N型接触层。本发明具有高响应度、高光电增益、高探测率、低暗电流、低串扰等优点，实现对多个波段的探测。
-
公开(公告)号：CN117855304A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311561443.3
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供了一种InAs/GaSb红外探测器，包括GaSb衬底，以及在GaSb衬底上依次生长的GaSb缓冲层、InAs/GaSb超晶格下接触层和InAs/GaSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格上接触层和InAs盖层；其中，在InAs/GaSb超晶格上接触层和InAs/GaSb超晶格吸收层之间插入InAs/GaSb/AlSb/GaSb势垒层。本发明针对InAs/GaSb二类超晶格红外探测器暗电流较高的问题，将“M”结构应用于nBn型中波红外探测器的势垒结构，从能带设计角度实现能带的灵活调节，结合新型钝化工艺，有效实现暗电流水平的降低。
-
公开(公告)号：CN117779187A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311803238.3
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C30B29/68 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18 , G01Q60/24 , G01N23/207 , G01N23/2273 , G01N23/04 , G01N23/223
Abstract: 本发明提供了一种InAs/GaSb长波红外超晶格的制备方法包括如下方法步骤：S1、将GaSb:GaTe衬底加热到300℃除气10分钟；S2、在520℃且富Sb生长的束流下，对GaSb:GaTe衬底脱氧10分钟；S3、降低GaSb:GaTe衬底温度至440℃，在GaSb:GaTe衬底上生长500nm的GaSb缓冲层；其中，GaSb缓冲层生长过程中Sb/Ga束流比为5；S4、在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb长波红外超晶格；其中，InAs/GaSb长波红外超晶格生长过程中，生长温度保持在420℃；As/In的V/Ⅲ等效束流比为7，Sb/Ga的V/Ⅲ等效束流比为5。本发明综合多种表征技术，对InAs/GaSb长波红外超晶格全面表征，增强了对InAs/GaSb长波红外超晶格(吸收区)特性的理解，为InAs/GaSb长波红外超晶格的结构优化提供重要的信息和依据。
-
公开(公告)号：CN117748298A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311570254.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种应变平衡高势垒的中波红外大功率量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在所述InP衬底上制备的有源层，有源层包括多个级联周期，每个级联周期包括注入区和有源区；所述注入区在应变InAlAs势垒层嵌套插入AlAs高势垒层。本发明通过插入AlAs高势垒层调整注入势垒和出口势垒增强基态能级和有源区上能级E3的耦合强度以及提供足够大的微带能量宽度，从而使得有源区中低于下激射能级E2的更低能级的电子可以被有效传输到注入区的微带。将输出峰值增益提高到97以上，有效增大功率输出，而且优化过的材料组分种类更少，相比于目前报道的最大单管功率器件降低了外延生长的难度。
-
公开(公告)号：CN117748297A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311568948.2
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
Abstract: 本发明提供了一种长波红外大功率量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在InP衬底上制备的有源层；有源层包含多个级联周期，单个级联周期包括势垒层、第一深阱层、三个晶格匹配的浅阱层、三个复合阱层和第二深阱层；势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和AlAs高势垒层；三个晶格匹配的浅阱层包括第一浅阱层、第二浅阱层和第三浅阱层；三个复合阱层包括第一复合阱层、第二复合阱层和第三复合阱层。本发明引用单周期有源区设计中引入特定复合比的复合阶梯阱来实现不同波长激射的设计思想，结合晶格匹配和应变平衡体系的优点，在势垒嵌套AlAs高势垒，设计出较了高增益的能带结构，在能带方面提升长波红外量子级联激光器输出功率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.028 seconds)
