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公开(公告)号：CN102915929A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210425691.0
申请日：2012-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8232
Abstract: 本发明提供一种石墨烯场效应器件集成方法。该方法在衬底上形成栅电极与对准标记。接下来制备出具有高介电常数的Al2O3薄膜，并利用湿法刻蚀的方法对其进行刻蚀，露出栅电极接触及对准标记。随后将采用化学气相沉积（CVD）方法制备的的单层石墨烯薄膜转移到衬底上，并采用等离子体刻蚀系统刻蚀形成墨烯场效应管（GFET）的导电沟道。最后采用EBL的定义源极、漏极电极区域，并采用光学曝光定义金属接触，沉积金属并剥离以实现金属互连。该方法与传统CMOS制造工艺兼容，简化了器件的制备工艺，有利于提高器件的性能。该发明适用于石墨烯基电子器件及大规模碳基集成电路的加工制造工艺。
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公开(公告)号：CN102856185A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210385259.3
申请日：2012-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/283
Abstract: 本发明提供一种于石墨烯表面制备高k栅介质薄膜的方法，先将石墨烯置于氧化物分子束外延室，并使所述氧化物分子束外延室保持预设的气压及预设的温度；然后向所述氧化物分子束外延室通入金属蒸气束流与氧化剂气流，使其于所述石墨烯表面反应并沉积形成金属氧化物薄膜。本发明通过控制气压及温度，选择合适的金属及氧化剂，可在石墨烯上制备出高k栅介质单层膜或多层膜；薄膜的厚度、组分等可以从原子尺寸精确控制；可以制备出沉积均匀、高质量高k栅介质薄膜；可以作为成核层再通过如原子层沉积法等继续生长获得所需厚度的高质量高k栅介质层。
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公开(公告)号：CN114200373B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111498630.2
申请日：2021-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种小型量子电阻标准器，包括固定背板、固定槽板、芯片托槽、磁体模块、量子霍尔电阻芯片及屏蔽罩，固定槽板固定于固定背板上，固定槽板上设置有凹槽，芯片托槽位于凹槽内；芯片托槽上设置有芯片容纳槽、电性连接点及导线孔，量子霍尔电阻芯片位于芯片容纳槽内，且量子霍尔电阻芯片与电性连接点电连接；磁体模块位于固定槽板及芯片托槽上；屏蔽罩罩设于磁体模块外围，且与固定背板相固定，固定背板和固定槽板同时作为导热机构。本发明可以实现量子电阻芯片的快速更替，可以实现内部固有磁场和外部施加磁场的多方调控，大大优化简化了量子电阻的环境要求，使产品集成化而无需复杂实验室条件，有利于量子电阻标准器的推广与应用。
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公开(公告)号：CN111705359B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202010620665.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括以下步骤：S1：提供一种铜基织构薄膜衬底，将所述铜基织构薄膜衬底置于化学气相沉积系统中进行退火处理；以及S2：通入气态碳源，在所述铜基织构薄膜衬底表面外延生长石墨烯单晶晶圆。根据本发明提供的一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，解决了单晶衬底外延生长单晶石墨烯晶圆带来的高昂成本问题，有利于石墨烯单晶晶圆的规模化应用，对实现石墨烯在微电子领域中的广泛应用有着重要的意义。
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公开(公告)号：CN114200373A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111498630.2
申请日：2021-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 江苏云涌电子科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种小型量子电阻标准器，包括固定背板、固定槽板、芯片托槽、磁体模块、量子霍尔电阻芯片及屏蔽罩，固定槽板固定于固定背板上，固定槽板上设置有凹槽，芯片托槽位于凹槽内；芯片托槽上设置有芯片容纳槽、电性连接点及导线孔，量子霍尔电阻芯片位于芯片容纳槽内，且量子霍尔电阻芯片与电性连接点电连接；磁体模块位于固定槽板及芯片托槽上；屏蔽罩罩设于磁体模块外围，且与固定背板相固定，固定背板和固定槽板同时作为导热机构。本发明可以实现量子电阻芯片的快速更替，可以实现内部固有磁场和外部施加磁场的多方调控，大大优化简化了量子电阻的环境要求，使产品集成化而无需复杂实验室条件，有利于量子电阻标准器的推广与应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111705359A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010620665.8
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括以下步骤：S1：提供一种铜基织构薄膜衬底，将所述铜基织构薄膜衬底置于化学气相沉积系统中进行退火处理；以及S2：通入气态碳源，在所述铜基织构薄膜衬底表面外延生长石墨烯单晶晶圆。根据本发明提供的一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，解决了单晶衬底外延生长单晶石墨烯晶圆带来的高昂成本问题，有利于石墨烯单晶晶圆的规模化应用，对实现石墨烯在微电子领域中的广泛应用有着重要的意义。
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公开(公告)号：CN107634089B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201710890518.0
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯‑硒化铌平面超导异质结。本发明通过化学气相沉积法外延生长石墨烯‑硒化铌平面异质结，该方法不易引入杂质、工艺简单、所获得的产物尺寸易控制、产率高、成本低。可满足工业化和规模化生产要求。
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公开(公告)号：CN107634089A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710890518.0
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯-硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯-硒化铌平面超导异质结。本发明通过化学气相沉积法外延生长石墨烯-硒化铌平面异质结，该方法不易引入杂质、工艺简单、所获得的产物尺寸易控制、产率高、成本低。可满足工业化和规模化生产要求。
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公开(公告)号：CN107500277A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710890641.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构，通过上述技术方案，本发明提供一种石墨烯边界调控方法，通过调节衬底表面生长石墨烯生长过程中碳源气体和催化气体的比例，以实现石墨烯的边界可控；本发明还可以在已经形成的石墨烯的基础上，通过改变生长条件使其继续生长，改变原有的石墨烯的边界形状；还可以在具有台阶的衬底表面生长石墨烯，通过对应取向台阶优化生长条件，得到特定取向且边界整齐的石墨烯带以及控制得到较窄的石墨烯纳米带。
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公开(公告)号：CN104928649B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510189745.1
申请日：2015-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C30B25/186 , C01B32/186 , C22F1/08 , C23C14/165 , C23C14/35 , C23C14/5806 , C23C16/0227 , C23C16/0281 , C23C16/26 , C23C16/455 , C23F17/00 , C25D3/12 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D7/0614 , C25F3/22 , C30B25/12 , C30B25/165 , C30B29/02
Abstract: 本发明提供一种局域供碳装置及局域供碳制备晶圆级石墨烯单晶的方法，方法包括：提供局域供碳装置；制备镍铜合金衬底，将镍铜合金衬底置于局域供碳装置内；将放置有镍铜合金衬底的局域供碳装置置于化学气相沉积系统的腔室中，在局域供碳装置中通入气态碳源，从而在镍铜合金衬底上生长石墨烯单晶。本发明制备得到的石墨烯晶畴结晶性好，制备条件简单、成本低，生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为晶圆级石墨烯单晶在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
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