-
公开(公告)号：CN102703988A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210174733.8
申请日：2012-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法，包括如下步骤：1）将石墨烯放置在Si片上，然后放入离子注入机中，用离子束轰击所述Si片上的石墨烯，使其产生缺陷；2）将步骤1）中经过离子束轰击后的有缺陷的石墨烯于合适的气氛中进行退火处理。该方法首先用离子注入技术轰击石墨烯表面，使其表面产生缺陷（空位），然后选择在合适的气体气氛中退火，完成N型或者P型掺杂，从而打开带隙。实现了石墨烯的掺杂并改善了其开关特性。
-
公开(公告)号：CN111312605B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN201811520405.2
申请日：2018-12-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种晶圆测试装置和方法，所述装置包括测试电源和测试探针，所述测试探针包括柔性电极，当在所述测试探针上加载所述测试电源时，所述柔性电极在测试晶圆上能够形成盘状。根据本发明的晶圆测试装置和方法，测试探针采用柔性电极，在测试探针上加载测试电源时，通过改变柔性电极的形状，使柔性电极与晶圆上的测试点之间形成紧密的接触，接触界面间不存在空气间隙或污染物，有效提升了测试的准确性，同时，根据本发明的晶圆测试装置和方法，柔性电极能够形成盘状而作为测试中形成电容器的一个极板，从而不需要在硅基底表面的介质层上形成导电层以作为测试用电容器，节省工艺，操作简单，减少测试时间和测试成本。
-
公开(公告)号：CN111267254A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477262.1
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B28D5/04
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片方法，所述方法包括：步骤S1：将晶棒至少部分浸没于包含电解质的电解池中，所述电解池中设置有包含一线状电极的阴极；步骤S2：调整所述晶棒与所述阴极之间的相对位置，以使所述晶棒的轴向与所述线状电极的长度方向交叉设置，并且所述晶棒与所述线状电极不接触；步骤S3：在所述晶棒和所述阴极之间接通电源的同时使所述晶棒和所述阴极上的所述线状电极做相对运动，其中，所述电源包括直流电源，所述晶棒接通所述直流电源的正极，所述阴极接通所述直流电源的负极，通过所述相对运动实现对所述晶棒的切片。根据本发明的晶棒切片方法有效减少了截口损失，同时，有效避免了机械损伤、晶圆翘曲以及接触切割产生的污染。
-
公开(公告)号：CN111267245A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811477279.7
申请日：2018-12-05
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种晶棒切片装置，所述装置包括：电源；电解池，用于存放电解质；阳极，所述阳极包括晶棒，所述晶棒与所述电源电性连接；阴极，包括至少一线状电极，所述线状电极容置于所述电解池内并与所述电源电性连接，所述线状电极的长度方向与所述晶棒的轴向交叉设置，并且所述线状电极与所述晶棒不接触，当在所述阳极和所述阴极之间接通所述电源时通过所述线状电极与所述晶棒间的相对运动实现晶棒切片；其中，所述电解池中还设置有辅助对流装置，用以增强所述电解池内的所述电解质的流动。根据本发明的晶棒切片装置，在电解池中设置辅助对流装置，增强电解质在电解池中的流动，减少了H2吸附在线状电极上而影响晶棒切割速率和切割质量。
-
公开(公告)号：CN110629283A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910899811.2
申请日：2019-09-23
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种硅单晶的生长方法，所述生长方法包括：确定设定拉速，所述设定拉速在理想拉速上下呈周期性变化；将晶体温度控制在1200℃以上，按照所述设定拉速进行提拉，以生长硅单晶。本发明提供的硅单晶的生长方法减少硅单晶中的原生缺陷，从而形成完美晶体，并且能够扩展硅单晶生长的工艺窗口。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104752309B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201310732418.7
申请日：2013-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供种剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法,包括以下步骤:S1:提供Si衬底,在其表面外延生长掺杂单晶层;所述掺杂单晶层厚度大于15 nm;S2:在所述掺杂单晶层表面外延生长单晶薄膜;S3:在所述单晶薄膜表面形成SiO层;S4:进行离子注入,使离子峰值分布在所述SiO层以下预设范围内;S5:提供表面具有绝缘层的基板与所述单晶薄膜表面的SiO层键合形成键合片,并进行退火以使所述键合片在预设位置剥离,得到绝缘体上材料。本发明利用较厚掺杂单晶层对注入离子的吸附作用,并控制注入深度,使剥离界面为所述掺杂单晶层的上表面、下表面或其中离子分布峰值处,从而达到精确控制剥离位置的目的。
-
公开(公告)号：CN105088179B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201510532604.5
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种转移石墨烯的方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge‑H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并往所述生长腔室内通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯；提供一键合基底，将所述锗催化衬底形成有石墨烯的一面与所述键合基底键合，得到键合片；微波处理所述键合片，以使所述Ge‑H键断裂，生成氢气，使得所述石墨烯从所述锗催化衬底上剥离，转移至所述键合基底表面。本发明可将石墨烯轻松转移至多种衬底上，无需经过湿法反应过程，减少了缺陷的引入，且能够最大程度保留了石墨烯的完整性，特别有利于大尺寸石墨烯的转移。锗催化衬底可重复利用，有利于节省材料，更为环保。
-
公开(公告)号：CN104517883B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201310447631.3
申请日：2013-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法，包括步骤：1）于第一衬底表面形成掺杂的单晶薄膜；2）于单晶薄膜表面形成缓冲层及顶层半导体材料；3）将杂质离子注入至单晶薄膜；4）将剥离离子注入至单晶薄膜下方第一衬底中的预设深度的位置；5）键合所述顶层半导体材料与具有绝缘层的第二衬底；6）进行退火处理，使所述第一衬底与所述缓冲层从该单晶薄膜处分离，去除所述缓冲层。本发明结合了离子共注与掺杂单晶薄膜剥离的双重作用，有效的降低了剥离剂量。注入杂质离子使单晶薄膜产生应力增加其吸附能力，H离子注入退火后实现剥离，剥离发生在超薄的单晶薄膜处，裂纹很小，可获得高质量的绝缘体上半导体材料。
-
公开(公告)号：CN106904600A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201510952655.3
申请日：2015-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
CPC classification number: C01B2204/02 , C01P2002/82 , C01P2004/03
Abstract: 本发明提供一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的连续石墨烯。本发明通过绝缘衬底上锗薄膜催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上单层连续石墨烯，克服了传统工艺采用转移方法制备绝缘体上石墨烯所带来的如污染、皱褶等影响，提高了绝缘体上石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得大面积单层连续石墨烯。本发明步骤简单，效果显著，在石墨烯制备领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN105977145A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610457787.3
申请日：2016-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/0465 , H01L21/2654 , H01L21/266 , H01L21/324 , H01L21/3245
Abstract: 本发明提供一种应变量子点的制备方法及应变量子点。所述制备方法包括以下步骤：在标的材料上形成光刻胶，在所述光刻胶上形成多个注入窗口，进行H+离子或He离子注入，去除所述光刻胶，进行退火处理，使所述标的材料中的H+离子或He离子聚集成H2或He产生气泡凸起，从而得到标的材料的应变量子点。本发明的方法新颖，制备过程简单，可操作性强，应变量可观、可调；制备过程可控性强，注入窗口的大小、形状、间距，H+离子或He离子注入的能量、剂量，退火温度、时间等工艺参数均可调；且方法可用范围广，晶体材料均可使用该方法制备应变量子点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
86
records
(took 0.07 seconds)
