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公开(公告)号：CN1807221A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510112298.6
申请日：2005-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种XeF2腐蚀过程中锚的制作方法，其特征在于将SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围，形成所需要的锚；或者直接采用XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作锚。锚结构有五种：锚由硅材料和覆盖在其周围的保护层材料构成；锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成；锚由保护层材料及填充层材料构成；锚是由保护层材料构成的柱体；锚是由保护层材料构成的薄膜。上述五种锚结构涉及六种制作工艺。本发明的优点在于：一方面可准确控制微结构锚位置，增加单个硅片单元器件的产量，降低生产成本，另一方面还可提高阵列器件(如红外焦平面阵列器件)的占空比，改进器件性能。
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公开(公告)号：CN1400486A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02136625.X
申请日：2002-08-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于光调制热成像系统的芯片及制作方法，属于微电子机械系统领域。该芯片由滤光片、半透镜和微镜阵列组成，其特征在于微镜的反射面和半透镜的反射面构成F－P腔的两个反射面，其之间的距离为入射红外辐射波长的四分之一。其制作特征是选择合适厚度的硅膜、二氧化硅膜的SOI硅片，首先光刻微镜阵列图案，腐蚀硅膜、二氧化硅膜，重新热氧化硅、蒸上铝膜，使得这二层膜的总厚度等于原来SOI硅片中二氧化硅的厚度，而后光刻并刻蚀出微镜图案，随后作一次硅－玻璃键合，把F－P腔的两个面键合在一起。本发明不但保证了F－P腔的两个反射面之间的距离满足要求，同时较为方便地制作出了符合要求的双层镜面。
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公开(公告)号：CN110248119A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201810190745.7
申请日：2018-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种图像传感器及图像检测方法，包括：多个像素点形成的像素阵列，各像素点包括可见光传感器像素元件、红外传感器像素元件及设置于红外传感器像素元件上表面的红外遮光层；连接于像素阵列的处理电路。将可见光传感器像素元件采集到的图像与红外传感器像素元件采集到的图像融合，以获得一幅对光照条件变化不敏感同时又包含丰富细节信息的融合图像。本发明获得的图像对光照条件变化不敏感同时又包含足够细节信息，可以很好的保留多幅图像的细节信息，更加便于人眼观察；同时红外图像可有效的对可见光图像进行补光，解决传统图像传感器存在的问题，增加了图像传感器的应用领域和适用范围。
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公开(公告)号：CN107226452B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201710371231.7
申请日：2017-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种共面键合结构及其制备方法，所述制备方法包括步骤：a)提供一待键合的器件结构，所述器件结构包括至少两个定义的功能区，其中，各所述功能区均具有待引出面，且至少两个所述待引出面位于不同高度的平面；b)将各所述待引出面通过绝缘层和金属层交替形成的叠层结构引出至同一高度的平面上形成各键合引出面，以得到所述共面键合结构。本发明的共面键合结构可以解决真空或气密封装中键合平面不在同一高度的问题；实现真空或气密封装内部结构与器件外部的直接垂直互连；实现键合框架的绝缘和引线焊盘的电气导通；本发明的共面键合结构只需修改掩膜版相应位置的图形，并不增加额外的工序，极大地节约制造成本、提高生产效率。
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公开(公告)号：CN105439071B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201510791836.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电磁式振动传感器及其制备方法，包括：正面设有凹槽的第一硅基底、与该第一硅基底键合以形成空腔的第二硅基底以及粘附于所述第一硅基底背面的磁铁；所述第二硅基底上依次设有第一绝缘层、第一金属线圈、第二绝缘层以及第二金属线圈，所述第一金属线圈与所述第二金属线圈在线圈内部终端贯通第二绝缘层形成接触；所述第一硅基底背面的磁铁与所述凹槽底部通过深反应离子刻蚀释放为可动结构或者所述第二硅基底以及设于该第二硅基底上的第一、二绝缘层、第一、二金属线圈通过深反应离子刻蚀释放为可动结构。本发明在没有外界交变磁场干扰条件下，传感器无零偏，采用MEMS工艺制作，体积小，适合规模化制造，且易于与信号调理电路集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105206737B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201510683899.6
申请日：2015-10-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于体硅加工工艺的微型热电能量采集器的制备方法，所述制备方法包括：器件层的制备，先在P型硅上刻蚀深孔，再在深孔中填充热电材料，并通过顶部电连接层实现热电偶对之间的串联，之后通过键合将器件层转移到顶部衬底片，减薄器件层底部的P型硅，制作底部互联，释放器件层P型硅，得到热电偶阵列，最后黏附底部衬底片，即得到微型热电能量采集器。本发明的方法制备的热电能量采集器与传统平面结构的采集器相比，其垂直结构的热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率；同时，相比垂直结构分立的热电偶臂阵列，可以进一步提高器件的集成度。该方法成本低，可以实现批量化生产。
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公开(公告)号：CN105988090A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510051986.X
申请日：2015-01-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/028 , B81B3/00
Abstract: 本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子和依次形成于所述谐振振子表面上的绝缘层及至少一层金属线圈。本发明采用S型折叠梁实现弹性梁和锚点的连接，保证了谐振振子谐振时是沿垂直于谐振振子的方向移动，相比于一般的双端固支梁的组成的方环形而言，大大提高了谐振梁所围成面积单位时间内的变化量，进而增加了金属线圈内磁通量的变化，进一步增大了磁场的灵敏度。同时，在金属线圈的绝缘层下添加接地铝层，可有效避免谐振振子的信号耦合到金属线圈。本发明结构简单，不需要在金属线圈上通入电流，降低了器件的功耗；同时通过测量金属线圈两端的感应电动势来测量磁场大小，因此受温度影响小。
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公开(公告)号：CN105439071A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510791836.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: B81B3/0021 , B81C1/0019 , G01H11/00
Abstract: 本发明提供一种电磁式振动传感器及其制备方法，包括：正面设有凹槽的第一硅基底、与该第一硅基底键合以形成空腔的第二硅基底以及粘附于所述第一硅基底背面的磁铁；所述第二硅基底上依次设有第一绝缘层、第一金属线圈、第二绝缘层以及第二金属线圈，所述第一金属线圈与所述第二金属线圈在线圈内部终端贯通第二绝缘层形成接触；所述第一硅基底背面的磁铁与所述凹槽底部通过深反应离子刻蚀释放为可动结构或者所述第二硅基底以及设于该第二硅基底上的第一、二绝缘层、第一、二金属线圈通过深反应离子刻蚀释放为可动结构。本发明在没有外界交变磁场干扰条件下，传感器无零偏，采用MEMS工艺制作，体积小，适合规模化制造，且易于与信号调理电路集成。
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公开(公告)号：CN105245198A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510780724.7
申请日：2015-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微机械硅谐振器的温度补偿结构及其制作方法，包括微机械谐振器结构；设有空腔并用于支撑所述微机械谐振器结构的底层基底以及位于所述微机械谐振器结构与所述底层基底之间的绝缘层；所述微机械谐振器结构包括具有第一温度系数的结构层，所述结构层上具有周期分布的凹槽；填充满所述凹槽的具有第二温度系数的补偿材料；所述第一温度系数和所述第二温度系数相反。本发明通过在微机械振动谐振器中引入结构材料温度系数相反的另一种材料来对其进行温度补偿，能够有效控制谐振器的温度漂移；采用该温度补偿结构，可以大大提高微机械谐振器的温度稳定性，同时减少外部补偿电路的复杂性。
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公开(公告)号：CN105206737A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510683899.6
申请日：2015-10-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于体硅加工工艺的微型热电能量采集器的制备方法，所述制备方法包括：器件层的制备，先在P型硅上刻蚀深孔，再在深孔中填充热电材料，并通过顶部电连接层实现热电偶对之间的串联，之后通过键合将器件层转移到顶部衬底片，减薄器件层底部的P型硅，制作底部互联，释放器件层P型硅，得到热电偶阵列，最后黏附底部衬底片，即得到微型热电能量采集器。本发明的方法制备的热电能量采集器与传统平面结构的采集器相比，其垂直结构的热电偶臂端面与导热板之间具有较大的接触面积，可以降低接触热阻和接触电阻，提高器件的温差利用率和发电功率；同时，相比垂直结构分立的热电偶臂阵列，可以进一步提高器件的集成度。该方法成本低，可以实现批量化生产。
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