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公开(公告)号：CN107561201B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201610507286.1
申请日：2016-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60
Abstract: 本发明提供一种高分离效率的硅基微气相色谱柱及其制备方法，所述制备方法包括：1）于硅衬底上制作微沟道及微流控端口；2）制作掩膜层保护所述硅衬底上的键合面；3）于所述微沟道内构筑纳米介孔氧化硅；4）将一封装盖板键合于所述硅衬底的键合面上；5）基于所需分离的组分于所述纳米介孔氧化硅表面形成相应的修饰材料。由于纳米介孔氧化硅具有较大的比表面积及孔容，且具有较好的热稳定性及机械强度，本发明将其构筑于硅基微气相色谱柱内，能极大地提高色谱柱的分离效率；纳米介孔氧化硅表面具有高密度的硅羟基（Si‑OH），可根据分离对象的不同在其表面进一步构筑具有不同分离功能的单分子层，实现所需的分离效果。
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公开(公告)号：CN104022046A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410264998.6
申请日：2014-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L21/50 , B81B1/002 , B81C1/00047 , H01L23/16
Abstract: 本发明提供一种基于带状吸气剂的混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一垫片、一衬底片及一盖片，于所述垫片中形成芯片封装腔及吸气剂腔，并形成通气孔；b）键合所述垫片及所述衬底片形成封装腔体；c）提供一待封装芯片，将所述芯片通过键合结构键合于所述衬底片；d）提供吸气剂，并固定于所述吸气剂腔中；e）激活吸气剂并键合所述盖片及所述垫片。本发明基于MEMS技术制作封装腔体，将待封装芯片置于芯片封装腔内完成真空封装，有利于保护待封装芯片上脆弱的微结构，且具有了圆片级封装的效率；设计了专门放置带状吸气剂的吸气剂腔，与吸气剂薄膜等相比较，成本较低；只对已通过测试的芯片进行真空封装，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN100439234C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510112298.6
申请日：2005-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种XeF2腐蚀过程中锚的制作方法，其特征在于将SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围，形成所需要的锚；或者直接采用XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作锚。锚结构有五种：锚由硅材料和覆盖在其周围的保护层材料构成；锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成；锚由保护层材料及填充层材料构成；锚是由保护层材料构成的柱体；锚是由保护层材料构成的薄膜。上述五种锚结构涉及六种制作工艺。本发明的优点在于：一方面可准确控制微结构锚位置，增加单个硅片单元器件的产量，降低生产成本，另一方面还可提高阵列器件(如红外焦平面阵列器件)的占空比，改进器件性能。
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公开(公告)号：CN1915796A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610030990.9
申请日：2006-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种光读出非致冷红外成像阵列器件及其制作方法，其特征在于：由硅衬底上一系列像素单元组成，每个像素单元的两个锚柱立于硅衬底上，支撑像素单元，两条绝热梁一端与锚柱相连接，另一端与“双材料梁－微镜一体化”结构相连接，像素单元与硅衬底之间的间隙构成了红外吸收共振腔；所述阵列器件的制作是首先首先在硅衬底上制作出锚柱，然后根据所选牺牲层腐蚀法用而选择是否生长保护层和选择哪种材料作保护层，然后沉积牺牲层材料和制作结构所需材料，制作出像素单元图形后，再腐蚀掉牺牲层材料，进行结构释放。通过BMB－MM结构既能实现红外敏感，又能调制和输出读出可见光信号，提高填充因子并具有较好的热－机械响应特性和噪声等效温差特性。
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公开(公告)号：CN1699939A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510026743.7
申请日：2005-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种室温F－P红外探测器阵列及制作方法，其特征在于硅基底和可动微镜之间构成了红外谐振腔，可动微镜和带有高反膜的玻璃之间构成F－P腔。其制作特征在于采用普通硅片，首先通过腐蚀硅确定F－P腔的长度，通过制作牺牲层确定红外谐振腔的长度，在牺牲层上淀积氮化硅、铝或金薄膜，光刻并刻蚀出微镜图案，随后去掉牺牲层材料，释放可动微镜，最后在真空中作硅－玻璃键合，形成F－P腔。本发明的优点在于：采用体硅与表面牺牲层技术相结合的工艺，可方便的制作出符合要求的红外谐振腔和F－P腔，提高了器件的红外探测性能，同时在工艺过程即实现了红外探测器阵列的真空封装，不需要专门的真空封装，简化了工艺，保证了器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117783402B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311814821.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/66
Abstract: 本发明提供一种具有片上惠斯通电桥的微热导检测器及其制备方法，在基板中集成了导电连接件，用于替代外接引线，减少了外接引线产生的接触电阻，减少了检测器的噪声干扰，提高了检测器的信噪比，从而降低了检测器的检测限，且对外仅提供四个焊盘接口，方便器件的使用。
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公开(公告)号：CN110203877B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN201910545104.3
申请日：2019-06-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法，制备包括：提供衬底，制备凹槽结构；制备若干个微柱结构，相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置；制备微流控端口，与所述凹槽结构相连通；及提供一盖板，并将所述盖板制备于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧，且所述盖板至少覆盖所述凹槽结构。本发明通过在凹槽结构形成的腔体内设计嵌套设置的微柱结构阵列，可以获得大的表面积，并使得流场均匀分布，且延长气体流路路径，进而提高吸附材料的均匀性，提高吸附气体的富集率，另外，通过在腔体内表面构筑一层高比面积的硅纳米线阵列，可极大地增加腔体内的内表面积，提高吸附材料的承载量，提高基于硅纳米线阵列的微富集器芯片的富集率。
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公开(公告)号：CN115055173B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202210593785.2
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01J20/286 , B01J20/30 , B01D53/02
Abstract: 本发明提供一种具有高深宽比的全硅微色谱柱及其制备方法，分别在第一硅衬底及第二硅衬底中形成对应的微沟道及微流控端口，而后通过硅硅键合工艺形成具有闭合微沟道及闭合微流控端口的复合硅基底，从而形成仅具有一种硅材质的全硅微色谱柱，有利于获得均匀的固定相，且可形成具有高深宽比的闭合微沟道，使待分析组分分子在固定相和流动相之间快速达到平衡，有利于提高微色谱柱的分离性能和柱容量。
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公开(公告)号：CN115993406B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202211257197.8
申请日：2022-10-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于生物医药技术领域，公开了代谢标志物在制备检测慢性肾脏病临床分期的产品中的用途。一种预测慢性肾脏病临床分期的标志物，所述标志物选自正辛烷、4‑庚酮、正十二烷、邻二甲苯、乙苯、间二甲苯和正庚烷中的一种或多种。本发明采用呼出气中挥发性有机物作为标志物来预测慢性肾脏病的临床分期，具有方便多次采集且更易于前处理的优势综合，因此具有重要临床应用价值。
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公开(公告)号：CN113311096B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110719416.9
申请日：2021-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/68
Abstract: 本发明提供一种氦离子化检测器及其制备方法，包括衬底、激发电极对、进气管、偏置电极及收集电极；衬底中具有腔室，腔室包括激发电极沟道、进气沟道及出气沟道，激发电极沟道与出气沟道相连通构成第一交汇区，进气沟道与出气沟道相连通构成第二交汇区；激发电极对的激发电极区位于第一交汇区；进气管为具有相同形貌且相向设置的第一进气管及第二进气管，可向第二交汇区提供具有相同压强的辅助载气及样品载气；偏置电极及收集电极位于出气沟道中，且设置于第二交汇区外侧远离第一交汇区处。本发明可在腔室中形成高压“准零流速区”，有利于激发氦等离子体，且此区域氦气流速极低，有利于稳定氦等离子体基团，进而可降低基线噪声。
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