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公开(公告)号：CN114878734B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210314261.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60 , B01D15/10 , B01J20/281
Abstract: 本发明提供一种基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法，通过制备微色谱柱主体结构及于微色谱柱主体结构中逐层沉积介孔二氧化硅为固定相，以制备微色谱柱；其中，采用溶胶‑凝胶法制备介孔二氧化硅粉末，然后采用逐层沉积工艺将介孔二氧化硅固定相逐层沉积在微沟道内，该方法避免了采用溶胶‑凝胶法直接在微色谱柱的微沟道内表面制备介孔二氧化硅固定相时所需的高温，使得盖板上也涂有介孔二氧化硅固定相，能有效改善介孔二氧化硅固定相的涂敷均匀性，且通过控制逐层沉积的次数可以获得合适厚度的介孔二氧化硅固定相，
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公开(公告)号：CN115055173A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210593785.2
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01J20/286 , B01J20/30 , B01D53/02
Abstract: 本发明提供一种具有高深宽比的全硅微色谱柱及其制备方法，分别在第一硅衬底及第二硅衬底中形成对应的微沟道及微流控端口，而后通过硅硅键合工艺形成具有闭合微沟道及闭合微流控端口的复合硅基底，从而形成仅具有一种硅材质的全硅微色谱柱，有利于获得均匀的固定相，且可形成具有高深宽比的闭合微沟道，使待分析组分分子在固定相和流动相之间快速达到平衡，有利于提高微色谱柱的分离性能和柱容量。
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公开(公告)号：CN114878734A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210314261.5
申请日：2022-03-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N30/60 , B01D15/10 , B01J20/281
Abstract: 本发明提供一种基于逐层沉积介孔二氧化硅为固定相的微色谱柱制备方法，通过制备微色谱柱主体结构及于微色谱柱主体结构中逐层沉积介孔二氧化硅为固定相，以制备微色谱柱；其中，采用溶胶‑凝胶法制备介孔二氧化硅粉末，然后采用逐层沉积工艺将介孔二氧化硅固定相逐层沉积在微沟道内，该方法避免了采用溶胶‑凝胶法直接在微色谱柱的微沟道内表面制备介孔二氧化硅固定相时所需的高温，使得盖板上也涂有介孔二氧化硅固定相，能有效改善介孔二氧化硅固定相的涂敷均匀性，且通过控制逐层沉积的次数可以获得合适厚度的介孔二氧化硅固定相，从而可提高微色谱柱的分离性能。
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公开(公告)号：CN115055173B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202210593785.2
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01J20/286 , B01J20/30 , B01D53/02
Abstract: 本发明提供一种具有高深宽比的全硅微色谱柱及其制备方法，分别在第一硅衬底及第二硅衬底中形成对应的微沟道及微流控端口，而后通过硅硅键合工艺形成具有闭合微沟道及闭合微流控端口的复合硅基底，从而形成仅具有一种硅材质的全硅微色谱柱，有利于获得均匀的固定相，且可形成具有高深宽比的闭合微沟道，使待分析组分分子在固定相和流动相之间快速达到平衡，有利于提高微色谱柱的分离性能和柱容量。
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公开(公告)号：CN217747109U
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202221396546.X
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01J20/286 , B01J20/30 , B01D53/02
Abstract: 本实用新型提供一种具有高深宽比的全硅微色谱柱，分别在第一硅衬底及第二硅衬底中形成对应的微沟道及微流控端口，而后通过硅硅键合工艺形成具有闭合微沟道及闭合微流控端口的复合硅基底，从而形成仅具有一种硅材质的全硅微色谱柱，有利于获得均匀的固定相，且可形成具有高深宽比的闭合微沟道，使待分析组分分子在固定相和流动相之间快速达到平衡，有利于提高微色谱柱的分离性能和柱容量。
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