公开(公告)号：CN115954268A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211606830.X

申请日：2017-05-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供基片处理系统、基片处理方法和基片处理装置。基片处理系统的各部分执行：步骤a，利用光学观察装置，对于具有被处理层和形成在被处理层的图案的基片，按照多个区域的每一区域测定图案的槽宽度；步骤b，按照多个区域的每一区域计算图案的槽宽度与基准值的差值；步骤c，基于被处理层的温度与在被处理层上的图案沉积的膜的膜厚的对应，使用与按照多个区域的每一区域计算出的差值对应的膜厚，按照多个区域的每一区域调节被送入处理容器内的基片的被处理层的温度；步骤d，在图案上，形成具有同图案的槽宽度与基准值的差值相当的厚度的膜；和步骤e，使用形成了膜的图案，对被处理层进行蚀刻。

公开(公告)号：CN111508827A

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202010063244.X

申请日：2020-01-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  本田昌伸 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 提供了一种用于在等离子体腔中处理基底的方法。该方法包括提供其上形成将被蚀刻的下层和掩模的基底。该方法还包括在掩模上形成保护膜。该方法还包括执行各向异性沉积以在掩模的顶部上选择性地形成沉积层。

公开(公告)号：CN107078050B

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201580060311.X

申请日：2015-11-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  胜沼隆幸 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H05H1/46

Abstract: 一个实施方式的方法包括：执行1次以上的流程的步骤；和使通过执行1次以上的流程形成的含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。1次以上的流程中的每个流程包括：通过生成包含碳氟气体但不包含氧气的处理气体的等离子体，在被处理体上形成含碳氟化合物膜的步骤；和利用含碳氟化合物膜所包含的碳氟化合物的自由基对第一区域进行蚀刻的步骤。在该方法中，交替反复执行1次以上的流程和使含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。

公开(公告)号：CN111066129A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201980004391.5

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065

Abstract: 蚀刻处理方法包括：准备化合物的步骤；和在存在所述化合物的环境下对蚀刻对象进行蚀刻的步骤。对蚀刻对象进行蚀刻的步骤包含在该蚀刻对象含有氮化硅SiN时，在氢H和氟F存在的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤，且包含在该蚀刻对象含有硅Si时，在存在氮N、氢H和氟F的环境下蚀刻该蚀刻对象的步骤。该化合物含有构成比氟化氢HF强的酸的阴离子的元素，或者含有构成比氨NH3强的碱的阳离子的元素。

公开(公告)号：CN110777361A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910665735.9

申请日：2019-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  熊仓翔 ,  本田昌伸 ,  木原嘉英

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法，实现形成在衬底上的图案的精密的尺寸控制。等离子体处理装置执行的等离子体处理方法包括第一步骤和第二步骤。在第一步骤中，等离子体处理装置在处理对象所具有的开口部的侧壁上，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第一膜。在第二步骤中，等离子体处理装置在第一步骤后实施1次以上的成膜循环，形成厚度因相对的成对侧壁彼此的间隔而不同的第二膜。

公开(公告)号：CN110010464A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811565044.3

申请日：2018-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  久松亨 ,  熊仓翔 ,  浅子竜一 ,  石川慎也 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 提供处理基板的方法。一实施方式中，提供处理基板的方法。基板具有被蚀刻区域和图案化的区域。图案化的区域设置于被蚀刻区域上。方法中，在基板的表面上形成有机膜。接着，通过处理气体的等离子体，对被蚀刻区域进行蚀刻。有机膜的形成是在腔室内的处理空间中配置有基板的状态下执行。有机膜的形成中，向基板供给包含第1有机化合物的第1气体，接着，向基板供给包含第2有机化合物的第2气体。通过第1有机化合物与第2有机化合物的聚合而生成构成有机膜的有机化合物。

公开(公告)号：CN109923648A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780068805.1

申请日：2017-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田端雅弘 ,  久松亨 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 一实施方式是一种处理被处理体的方法，该被处理体包括：含有硅氧化物的被蚀刻层、设置于被蚀刻层上的掩模和设置于掩模的使被蚀刻层露出的槽，在该方法中反复执行如下流程：生成含氮的第一处理气体的等离子体以在被蚀刻层的露出面的原子层形成包含该等离子体所含离子的混合层，生成含氟的第二处理气体的等离子体以利用该等离子体所含的自由基除去混合层，从而按原子层除去被蚀刻层，由此对被蚀刻层进行蚀刻。第二处理气体的等离子体包含自由基，该自由基能够除去含有硅氮化物的混合层。

公开(公告)号：CN109196624A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780030915.9

申请日：2017-05-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 辻晃弘 ,  本田昌伸 ,  渡边光

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种相对于由氮化硅形成的第二区域，有选择地蚀刻由氧化硅形成的第一区域的方法。该方法包括：第一步骤，在收纳有被处理体的处理容器内生成包含碳氟化合物气体、含氧气体和不活泼气体的处理气体的等离子体，并且在被处理体上形成包含碳氟化合物的堆积物；和第二步骤，使用包含于堆积物中的碳氟化合物的自由基，蚀刻第一区域，反复执行包含第一步骤和第二步骤的流程。

公开(公告)号：CN105845550B

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201610067618.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 木原嘉英 ,  久松亨 ,  大石智之 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供一种被处理体的处理方法，通过该方法，即使掩模的开口的纵横比高，也能够使形成于被处理体上的氧化硅膜的膜厚偏差降低。在一个实施方式的方法中，反复进行包括以下步骤的流程来形成氧化硅膜：(a)在等离子体处理装置的处理容器内，生成包含卤化硅气体的第一气体的等离子体，从而在被处理体上形成反应前驱体的第一步骤；(b)在第一步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第二步骤；(c)在第二步骤之后，在处理容器内生成包含氧气的第二气体的等离子体，形成氧化硅膜的第三步骤；和(d)在第三步骤之后，在处理容器内生成稀有气体的等离子体的第四步骤。

公开(公告)号：CN108504996A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810183839.1

申请日：2018-02-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 中谷理子 ,  本田昌伸

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/12 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明的目的在于提供一种以规定的堆积物填埋被处理体的凹部的成膜方法和等离子体处理装置。所述成膜方法具有：将腔室的内部保持为规定的压力，将被处理体设置于冷却为-20℃以下的极低温的台上的工序；向所述腔室的内部供给包含低蒸气压材料的气体的气体的工序；以及由供给来的、所述包含低蒸气压材料的气体的气体生成等离子体，通过该等离子体来使由所述低蒸气压材料生成的前驱体堆积于被处理体的凹部中的工序。