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公开(公告)号：CN111763985A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010621640.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏结构，所述热屏结构用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏结构包括外壳和隔热板，所述隔热板设于所述外壳的内部，所述外壳底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部，所述隔热板所在平面与所述外壳底部所在平面形成的夹角为锐角且所述夹角朝向所述单晶硅的外表面。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉，结构简单，通过改变热屏设计，增设隔热板将吸热板吸收到的热量传递给单晶硅，在热屏中形成热通道，实现对单晶硅的径向温度梯度进行优化，从而实现拉速的控制，进而提高单晶硅径向的质量均匀性。
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公开(公告)号：CN217922421U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202220754553.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种拉晶装置，包括保温毡和坩埚，所述保温毡呈圆柱筒状围绕所述坩埚设置，所述保温毡的上部包括分段式保温毡，所述保温毡的下部包括开孔。根据本申请的拉晶装置，其对热场重新设计以达到控制晶体中氧含量的目的，所述保温毡能够调节坩埚底部的温度，从而调节熔体与坩埚内表面的反应速度，进而调节进入熔体中的氧，最终调节了单晶产物中的氧含量。本申请的拉晶装置可以仅仅通过改变保温毡的结构以生长满足不同氧含量要求的单晶，且成本低、调试简单。
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公开(公告)号：CN119725100A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311251139.9
申请日：2023-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/50
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及半导体工艺方法，方法包括：将异质硅基的第一衬底与第二衬底进行预键合，得到键合结构；对得到的键合结构进行预退火；在第一衬底和第二衬底之间的键合界面插入尖锐物，打开键合界面以去除键合界面的气泡；抽出尖锐物，使键合界面再次键合；对去除气泡后的键合结构进行退火以加固键合。本发明通过对预键合的键合界面插入尖锐物去除异质硅衬底之间键合界面的气泡，在不影响半导体结构性能的前提下得到无气泡的键合界面，提高异质键合结构的键合率，流程设备简单易操作，对其他工艺没有影响，键合强度不受影响；另外，利用多次重复预退火并递增温度，在排净气泡的同时减少能量消耗。
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公开(公告)号：CN115714136A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211362139.1
申请日：2022-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L21/762 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种叠层SOI器件结构及制备方法。该器件结构自上而下依次包括：顶层硅层、隔离层A、配置层、隔离层B、衬底硅层，所述器件结构还包括顶硅层有源区、位于所述顶硅层有源区外端的浅沟槽隔离区、位于所述配置层外端的有源区、依次贯穿所述浅沟槽隔离区和隔离层A的通孔、依次贯穿所述浅沟槽隔离区、隔离层A以及配置层的深沟槽隔离区，所述顶硅层有源区包括：位于所述顶层硅层上方的栅极、栅介质层，位于所述顶层硅层横向两端的源极和漏极，位于所述配置层外端的有源区包括：位于通孔下方的第一P型区，位于漏极左侧的N型区，位于N型区左侧的第二P型区。该器件结构能够避免背栅偏压过补偿对器件其他性能的影响。
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公开(公告)号：CN103943547B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310024414.3
申请日：2013-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76256
Abstract: 本发明提供一种基于增强吸附来制备绝缘体上材料的方法。根据本发明的方法，先在第一衬底上依次外延生长一掺杂的超晶格结构的单晶薄膜、中间层、缓冲层以及顶层薄膜；随后，对形成了顶层薄膜的结构进行低剂量离子注入，使离子注入到所述掺杂的超晶格结构的单晶薄膜上表面之上或下表面之下；接着再将具有绝缘层的第二衬底与已进行离子注入的结构键合，并进行退火处理，使掺杂的超晶格结构的单晶薄膜处产生微裂纹来实现原子级的剥离。本发明采用增强吸附来实现键合片的有效剥离。剥离后的表面平整，粗糙度低，并且顶层薄膜晶体质量高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103204455B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210008150.8
申请日：2012-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种可控石墨烯阵列的制备方法，采用晶向相同的两硅衬底进行小角度键合形成方形网格状的螺旋位错，由于位错引起硅表面应力分布不均，利用应力选择性腐蚀，对位错线影响的垂向对应的区域进行刻蚀，形成正方形网格状的图形化硅岛，采用电子束外延形成具有偏析特性的金属纳米颗粒，最后采用化学气相沉积法与偏析方法制备出所述石墨烯阵列。采用本发明制备的石墨烯阵列具有很高的可控性和可靠性，石墨烯阵列的分布通过硅硅小角度键合进行控制，可达到较高的精度。本发明制备方法工艺简单，效果显著，且兼容于一般的半导体工艺，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN102693900B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210174632.0
申请日：2012-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有周期结构的半导体及其制备方法，首先提供一的AAO模板，所述AAO模板包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层，于各该孔道内填充光刻胶，并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层，然后去除所述铝基底，接着去除各该孔道的底部以使所述孔道形成通孔，接着键合一半导体衬底及所述氧化铝层，并去除光刻胶，接着于所述通孔内填充半导体材料，最后去除所述氧化铝层，以完成所述具有周期结构的半导体的制备。本发明利用AAO模板实现了半导体周期结构的制备，工艺简单，成本低、可靠性和重复性好、且与半导体工艺兼容，采用本方法可制备出具有纳米级周期结构的半导体，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN102386123B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110215676.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种制备具有均匀厚度器件层的衬底的方法，包括如下步骤：提供外延衬底和支撑衬底，所述外延衬底的材料为半导体材料；在所述外延衬底表面外延生长器件层；在所述支撑衬底和/或器件层的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将外延衬底和支撑衬底键合在一起：采用选择性腐蚀工艺腐蚀外延衬底至器件层与外延衬底的界面处。本发明的优点在于，外延的器件层边缘区域比中心区域厚，这正好抵消了自掺杂效应对自停止腐蚀工艺的影响，从而获得了具有均匀厚度的器件层。
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公开(公告)号：CN103208413A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210008202.1
申请日：2012-01-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种可控硅纳米线阵列的制备方法，采用晶向相同的两硅衬底，进行小角度键合形成方形网格状分布的螺旋位错，由于位错引起硅表面应力分布不均，所以利用应力优先刻蚀，对这种网格分布的螺旋位错线所影响的垂向对应的区域进行刻蚀，形成正方形网格状的图形化硅岛，最后采用银催化化学腐蚀在这一图形化衬底上制备纳米线阵列。采用本发明制备的硅纳米线阵列具有很高的可控性和可靠性，纳米线阵列的分布通过硅硅小角度键合进行控制，可达到较高的精度。本发明制备方法工艺简单，效果显著，且兼容于一般的半导体工艺，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN103021818A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210593568.X
申请日：2012-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者BOE溶液将所述埋氧层进行腐蚀，直至所述微结构中间图形微米带部分完全悬空，且所述两端区域以下仍有部分未被完全腐蚀掉的埋氧层，形成固定结，最后提供一基板与所述微结构相接触，并迅速提起基板以将所述微结构转移到所述基板上。本发明的微结构保角性转移方法利用简易的端点固定图形化设计，对微结构纳米薄膜进行固定，实现完全保角性转移，大大的降低了保角性转移工艺的复杂度，降低了工艺成本。
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