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公开(公告)号：CN111883644A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010719055.3
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/04 , H01L41/08 , H01L41/083 , H01L41/253 , H01L41/27 , H01L41/312
Abstract: 本发明涉及一种异质压电薄膜结构及其制备方法，该异质压电薄膜结构包括衬底层；层叠在衬底层上的介质层；层叠在介质层上的过渡层；以及，层叠在过渡层上的压电薄膜层；其中，衬底层的热膨胀系数小于压电薄膜层的热膨胀系数；过渡层与压电薄膜层的组分相同，且过渡层的晶格常数大于压电薄膜层的晶格常数；所述过渡层内具有拉应力，所述异质压电薄膜结构的晶圆bow值小于所述衬底层对应的初始衬底晶圆的晶圆bow值。本发明异质压电薄膜结构中压电薄膜层可以承受更高的退火温度而不致损坏，从而可以使该结构中经过离子注入的薄膜层中离子注入缺陷恢复的更加完全，晶格质量好，进而有利于提升基于薄膜压电材料的相关元器件的性能。
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公开(公告)号：CN111817681A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010603082.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明的薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：对压电单晶衬底的正面进行离子注入形成注入损伤层，在压电单晶衬底的正面进行金属沉积，并图案化；在衬底晶圆的正面进行刻蚀，并图案化；将压电单晶衬底的正面与衬底晶圆的正面进行键合，形成键合结构；对键合结构进行退火处理，使键合结构沿注入损伤层剥离，得到位于衬底晶圆上的压电单晶薄膜；在压电单晶薄膜的表面制作电极，得到薄膜体声波谐振器。本发明可以实现衬底晶圆上的特定厚度薄膜的转移，解决了压电单晶薄膜的厚度不均匀性的问题，本发明制备的薄膜体声波谐振器的器件性能稳定，良率高。
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公开(公告)号：CN111799368A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010602406.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/313 , H01L41/33 , H01L41/22
Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，本发明公开了一种降低薄膜剥离热应力的异质结构薄膜的制备方法，具体地，首先提供异质结构薄膜衬底，该异质结构薄膜衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面上依次沉积第一铟层和第一金层，形成第一待键合衬底；其次，提供支撑衬底；在支撑衬底的第三表面依次沉积第二铟层和第二金层，形成第二待键合衬底；将第一待键合衬底置于第二待键合衬底上，且第一金层与该第二金层接触，形成待键合衬底；最后，对该第二表面施加作用力，同时对待键合衬底进行键合、退火和剥离转移，得到异质结构薄膜。本发明提供的异质结构薄膜的制备方法具有提高剥离转移后的压电薄膜面积和不易造成薄膜裂片的特点。
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公开(公告)号：CN111740005A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010553392.X
申请日：2020-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/257 , H01L41/29 , H01L41/047
Abstract: 本发明涉及一种压电薄膜高温极化方法，包括：制备压电薄膜、热致相变材料与支撑衬底的复合结构；然后对复合结构进行高温退火，再以热致相变材料作为底电极，在压电薄膜上施加极化电场；最后对极化后的压电薄膜进行表面处理。本发明通过引入相变材料，一方面，相变材料在退火温度下金属化，作为底电极施加极化电压，可以提高压电薄膜的极化一致性；另一方面，相变材料在器件工作温度下绝缘化，可以作为高阻隔离层提升压电器件的射频性能。
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公开(公告)号：CN111722318A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010602370.8
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法，包括以下步骤：获取铌酸锂晶体；在所述铌酸锂晶体表面沉积钛层，将沉积有钛层的铌酸锂晶体进行高温扩散处理，获得钛扩散后的铌酸锂晶体；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行清洗处理，去除所述光刻处理后残留的光刻胶以及所述高温扩散处理后残余的钛层；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行区域离子注入处理，获得注入离子后的铌酸锂晶体；其中，所述区域离子注入处理中注入的离子为能够提高所述铌酸锂晶体抗光折变性的离子；对所述注入离子后的铌酸锂晶体进行退火处理。该制备方法在内扩散技术的基础上注入能够提高铌酸锂抗光折变性的离子，能够有效减小铌酸锂光波导光损伤效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111540684A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010393966.1
申请日：2020-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种金刚石基异质集成氮化镓薄膜与晶体管的微电子器件及其制备方法，包括以下步骤：S1，提供具有注入面的氮化镓单晶晶片；S2，从注入面向氮化镓单晶晶片进行氢离子注入，使得注入离子到达预设深度并形成注入缺陷层，上方形成氮化镓单晶薄膜；S3，将氮化镓单晶薄膜与金刚石支撑衬底键合；S4，退火处理使沿着所述注入缺陷层剥离，注入缺陷层形成损伤层；S5，表面处理以除去损伤层；以及S6，在氮化镓单晶薄膜表面进行同质外延生长制备晶体管，即得。根据本发明制备的金刚石基氮化镓晶体管在性能上大大提升，具有高电子迁移率、散热能力强的特性，可在高频率、高功率状态下长时间稳定工作，相对现有技术具有非常显著的优越性。
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公开(公告)号：CN110854062B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201911175985.0
申请日：2019-11-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/24 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种氧化镓半导体结构、MOSFET器件及制备方法，其中，氧化镓半导体结构包括硅衬底、介电层及氧化镓薄膜，通过具有高介电常数的介电层，将氧化镓单晶晶片与具有高热导率的硅衬底键合，采用该方法键合技术成熟，且介电层可阻挡电子向衬底迁移，能够有效解决高温环境下器件性能下降的问题，从而可制备具有高导热性、耐击穿电压高及高温下性能稳定的氧化镓半导体结构。本发明解决了氧化镓同质衬底导热性差、氧化镓与硅衬底耐击穿电压低及氧化镓与氧化硅衬底键合技术不成熟等问题，极大的提高了氧化镓器件的性能和设计灵活性，且采用业界最重要的硅衬底，对氧化镓器件的快速发展意义重大。
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公开(公告)号：CN111383914A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811619146.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构翘曲度的调节方法及后处理方法，翘曲度调节方法包括：提供具有第一键合面的第一衬底及具有第二键合面的第二衬底，将第一键合面与第二键合面进行键合处理，以于键合结构中产生第一热应力；对键合结构进行固键退火处理，以产生第二热应力；将键合结构降温至第一温度，以产生第三热应力，第一温度小于键合温度且大于等于室温，第一热应力、第二热应力及第三热应力三者中至少两者的方向相反，以实现异质键合结构的翘曲度的调节，本发明通过调节键合过程中、固键退火过程及冷却过程中的热应力，达到调节键合结构翘曲度的问题，并可以通过翘曲度的调节，在后续键合结构加工中获得具有低翘曲度的异质键合片。
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公开(公告)号：CN105895576B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201610527885.X
申请日：2016-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种离子注入剥离制备半导体材料厚膜的方法，包括以下步骤：提供衬底，在所述衬底内进行离子注入，离子注入的能量足以使注入离子到达所述衬底内的预设深度，并在所述预设深度处形成缺陷层；沿所述缺陷层剥离部分所述衬底，以得到厚度足以自支撑的厚膜。本发明通过高能量的离子注入，可以形成厚度足以自支撑的厚膜，不需要支撑衬底，可以从一块半导体材料上分离出多片厚膜，从而提高半导体材料的利用率，降低生产成本；同时，本发明制备的厚膜不需要键合工艺，简化了剥离制备工艺，提高了应用的可靠性。
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公开(公告)号：CN107910400B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201711101757.X
申请日：2017-11-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种调控超导纳米线的单光子探测器及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供一衬底；于所述衬底表面形成具有应力的超导纳米线；基于所述具有应力的超导纳米线制备超导纳米线单光子探测器。基于上述技术方案，本发明提供的超导纳米线单光子探测器保证器件材料层薄膜具有一定厚度的同时，可以降低器件材料的临界温度，并保证了器件材料的均一性及较小的转换温度宽度，提高器件的探测效率。
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