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公开(公告)号：CN103186682A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110449741.4
申请日：2011-12-29
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种新型的包含考虑电子产品封装的电、热及力学特性的协同环境。与传统的电子产品设计，封装方法和流程相比，极大地降低了设计的复杂度，减小了产品设计周期，提高了一次性设计成功率。其特征在于在集总的设计平台上提供了对电子产品封装的电、热、力学特性的全面、准确以及可重构的设计参数和性能、功能预测。通过协同考虑封装、热及力学特性对产品性能的作用，在产品的设计阶段，可以根据设计成本、实现的复杂度等方面考虑从产品核心设计优化、封装优化、热优化、及力学设计优化来优化产品性能。这样一方面保证产品性能的低成本的实现，另外提供了多个设计的自由度，降低了实现性能的复杂度，最重要的是在产品设计阶段能准确评估产品性能的预期，减少了设计迭代。
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公开(公告)号：CN103137670A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110395462.4
申请日：2011-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了纳米工艺下非对称MOS结构及其设计方法。其中该结构包括：对于NMOS，栅到源端STI的距离小于栅到漏端STI的距离；对于PMOS，栅到漏端STI的距离小于栅到源端STI的距离。其中该方法包括：对于NMOS，将器件的栅到源端STI的距离缩小而将其栅到漏端STI的距离增大，这样可以在不增加器件面积的情况下提高器件性能；对于PMOS，将器件的栅到漏端STI的距离缩小而保持栅到源端STI的距离不变，这样可以在减小器件面积的情况下提高器件性能。
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公开(公告)号：CN103134993A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110397748.6
申请日：2011-12-05
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/26
CPC classification number: G01R27/26 , G01R31/2648 , G01R31/2882 , H01L22/14 , H01L22/34
Abstract: 本发明提出了一种金属层间层内电容的分离方法，以有效的分离金属层间、层内电容。该分离方法主要包括：测量平行金属板结构和combmeander结构的层间电容，测量金属结构combmeander的层内电容，测量平行金属板结构和金属结构comb之间的层间电容，测量平行金属板结构和金属结构meander之间的层间电容；combmeander的层内电容乘二再加上平行金属板结构各与结构comb、meander之间的层间电容，再减去平行金属板结构和combmeander结构之间的总电容，便分离出金属结构combmeander的层内电容。这种金属层间层内电容的分离方法能够更加精确有效的分离出层内电容。
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公开(公告)号：CN103134986A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110395429.1
申请日：2011-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明提出了一种通孔电阻的测试结构和方法，该测试结构包括至少两个子测试结构，所述子测试结构是一条通孔链，所述子测试结构包括有多个通孔及连接各通孔的互连线，所述通孔连通上下两层相邻的金属层，所述互连线由位于相邻两金属层上的互连线组成，且上下两层互连线在通孔连接处有重叠区域，所述各子测试结构有相同的长度，所述各子测试结构有不同的通孔数量，且所述各子测试结构中连接各个通孔的上层（下层）互连线总长度相等。
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公开(公告)号：CN102169141A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113495.0
申请日：2010-02-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了多层互连线系统中电容测试方法，以提高电容测试的精确度，其中该方法包括步骤：依照测试信号施加方式，给多层互连线系统中各互连线均施加测试信号；在每次施加测试信号后，测试该多层互连线系统的整体电容值；根据测试出的整体电容值，以及整体电容值和待测电容值的数量关系，计算出待测电容值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102142438A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010608309.0
申请日：2010-12-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提供了小尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的小尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。
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公开(公告)号：CN102136022A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110102761.4
申请日：2011-04-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种多个晶体管模块单元测试结构的自动化布局布线方法，其中所述的引入参数的晶体管模块单元，是由若干个晶体管组成测试结构。所述自动化方法，智能地将被测试晶体管与所对应的衬垫相连接完成布局布线。所述自动化方法，大规模地降低了新工艺下晶体管测试电路与测试结构的实现复杂度，缩短了完成时间，并提高了可靠度。
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公开(公告)号：CN101861022A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010186708.2
申请日：2010-05-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供了LED驱动电源及其功率管的开启方法，以解决EMI等问题，其中LED驱动电源，包括功率管控制器、功率管及压降器，所述压降器与功率管串联，流出功率管的电流流入压降器，其特征在于，所述功率管控制器，具体包括：功率管电流采集模块，用于采集流过功率管的电流；功率管开启模块，用于在所述采集模块采集到的电流为零时，启动功率管；功率管关闭模块，用于在所述压降器上的压降达到预定值时，关闭功率管。
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公开(公告)号：CN101847632A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010113500.8
申请日：2010-02-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L27/04 , H01L23/528
Abstract: 本发明是关于一种优化的射频集成电路电感结构，具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括：多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间，其互连结构通过插塞采用多层金属并联(或串并联)形式构成，这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位(或仅中间部位)进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构，这样就减小了寄生电容的影响，扩展了电感的工作频带，以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。
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公开(公告)号：CN101806838A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910056880.3
申请日：2009-02-17
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提供了互连线测试结构及相应测试方法，以降低测试成本，该结构包括多个子测试结构，所述子测试结构包含由电阻互连线和电容互连线构成的comb meander结构，且所述电阻互连线两端均连接有子电阻测量端及测量开关，所述子电阻测量端及测量开关并联；其中各子测试结构位于不同金属层；各子测试结构中，电阻互连线两端的测量开关分别连接至两个主电阻测量端，以及各个位于奇数金属层的子测试结构的电容互连线连接至第一电容测量端，各个位于偶数金属层的子测试结构的电容互连线连接至第二电容测量端。
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