公开(公告)号：CN1254859C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN03160332.7

申请日：2003-09-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 五十岚优助 ,  水原秀树 ,  坂本则明

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H05K3/205 ,  H01L21/566 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/538 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/185 ,  H05K1/187 ,  H05K3/062 ,  H05K3/108 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/098 ,  Y10T29/49146 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T29/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电路装置的制造方法，目前开发了：以具有导电图案的挠性板为支承衬底、在其上安装半导体元件并进行整体模装的半导体装置。这种情况下，会产生不能形成多层配线结构的问题及制造工序中绝缘树脂板的挠曲明显的问题。本发明的电路装置的制造方法中，用设有具有斜面13S的开口部13的光致抗蚀剂层PR覆盖第一导电膜11和第二导电膜12层积而成的层积板10，在该开口部电解镀敷形成导电配线层14，形成反向倾斜面14R，然后，在用密封树脂层21进行覆盖时，将密封树脂层21咬入反向倾斜面14R，使其具有锚固效应，从而加强密封树脂层21和导电配线层14的结合。

公开(公告)号：CN1677652A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510062816.8

申请日：2005-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 臼井良辅 ,  中村岳史 ,  水原秀树

IPC: H01L23/12 ,  H05K1/03 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/49894 ,  H01L21/4857 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/287 ,  H05K3/4602 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种元件搭载基板以及使用该基板的半导体装置，在基材的上面具有顺次层积绝缘树脂膜、光致抗焊剂膜而得的结构。另外，在基材的下面具有顺次层积绝缘树脂膜、光致抗焊剂膜而得的结构。光致抗焊剂膜具有卡尔多型聚合物。

公开(公告)号：CN1497690A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03160332.7

申请日：2003-09-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  关东三洋半导体股份有限公司

Inventor： 五十岚优助 ,  水原秀树 ,  坂本则明

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

CPC classification number: H05K3/205 ,  H01L21/566 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/538 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/185 ,  H05K1/187 ,  H05K3/062 ,  H05K3/108 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/098 ,  Y10T29/49146 ,  Y10T29/49156 ,  Y10T29/49169 ,  Y10T29/49171 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电路装置的制造方法，目前开发了：以具有导电图案的挠性板为支承衬底、在其上安装半导体元件并进行整体模装的半导体装置。这种情况下，会产生不能形成多层配线结构的问题及制造工序中绝缘树脂板的挠曲明显的问题。本发明的电路装置的制造方法中，用设有具有斜面13S的开口部13的光致抗蚀剂层PR覆盖第一导电膜11和第二导电膜12层积而成的层积板10，在该开口部电解镀敷形成导电配线层14，形成反向倾斜面14R，然后，在用密封树脂层21进行覆盖时，将密封树脂层21咬入反向倾斜面14R，使其具有锚固效应，从而加强密封树脂层21和导电配线层14的结合。

公开(公告)号：CN1423327A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02156135.4

申请日：2002-12-09

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松原直辉 ,  水原秀树 ,  后藤隆

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 得到能够边减少相邻的第1布线层间的电容、边抑制起因于来自第1绝缘膜的水分放出而使导电性插头电阻值升高、断路故障等情况的半导体器件。这种半导体器件具备在半导体基片上隔开规定的间隔形成的多个第1布线层,埋入多个第1布线层、且具有到达第1布线层的开口部的第1绝缘膜,以及填入第1绝缘膜的开口部内、且与第1布线层接触的导电性插头。在第1绝缘膜的第1布线层与导电性插头的接触面附近的第1区域,通过选择性地注入杂质对第1绝缘膜的第1区域进行有选择地改性。

公开(公告)号：CN1180925A

公开(公告)日：1998-05-06

申请号：CN97120672.4

申请日：1997-09-06

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 水原秀树 ,  渡辺裕之 ,  児岛则章

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76859 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/7685 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提高有两层结构的绝缘膜之间的粘接强度,改善平面化和膜特性的半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法中,在半导体衬底上形成至少有上下层的两层结构的绝缘膜。以后,在杂质至少到达上下绝缘膜之间的界面的条件下给上层绝缘膜引入杂质。使上下绝缘膜之间的粘接强度提高,上层绝缘膜不易剥离。