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公开(公告)号：CN110783333A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910669988.3
申请日：2019-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 都桢湖
IPC: H01L27/088 , H01L27/06 , H01L23/48 , H01L23/535 , H01L23/485 , H01L29/78 , H03K3/3562
Abstract: 提供了集成电路器件。所述器件可以包括衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域以及位于所述第一区域与所述第二区域之间的边界区域。所述第一区域和所述第二区域可以在第一水平方向上彼此间隔开。所述器件还可以包括位于所述第一区域上的第一锁存器、位于所述第二区域上的第二锁存器以及在所述第一水平方向上延伸并跨过所述边界区域的导电层。所述第一锁存器可以包括第一垂直场效应晶体管(VFET)、第二VFET、第三VFET和第四VFET。所述第二锁存器可以包括第五VFET、第六VFET、第七VFET和第八VFET。所述第一VFET和所述第七VFET可以沿着所述第一水平方向布置。所述导电层的部分可以分别包括所述第一VFET的栅电极和所述第七VFET的栅电极。
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公开(公告)号：CN110518009A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910383239.4
申请日：2019-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/535 , G06F17/50
Abstract: 本公开提供了包括马蹄足结构导电图案的集成电路。该集成电路包括标准单元。标准单元可以包括多条栅线和多个第一布线。所述多个第一布线可以包括马蹄足结构导电图案，该马蹄足结构导电图案包括彼此间隔开的第一导电图案和第二导电图案。第一导电图案和第二导电图案中的每个可以包括在第一方向上延伸的第一线图案和在垂直于第一方向的方向上从第一线图案的一端突出的第二线图案。所述多条栅线可以在第一方向上彼此间隔开第一节距，并且所述多个第二布线可以在第一方向上彼此间隔开第二节距。第一节距可以大于第二节距。
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公开(公告)号：CN109616470A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201910079668.2
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L27/118 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN105304624B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201510434904.X
申请日：2015-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种集成电路(IC)、一种半导体装置和一种标准单元库。集成电路(IC)可包括至少一个单元，所述至少一个单元包括：多条导线，沿第一方向延伸并且沿与第一方向垂直的第二方向彼此平行；第一接触件，分别设置在所述多条导线中的至少一条导线的两侧处；以及第二接触件，设置在所述至少一条导线和第一接触件上并通过电连接到所述至少一条导线和第一接触件而形成单个节点。
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公开(公告)号：CN107039417A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611023256.X
申请日：2016-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0207
Abstract: 半导体装置包含：导体，其安置于衬底上；第一触点，其安置于导体上；第二触点，其具有安置于第一触点上的第一部分以及在平行于衬底的方向上远离第一部分伸出的第二部分，其中第一和第二触点安置于绝缘层中；通孔，其安置于绝缘层和第二触点的第二部分上；以及金属线，其安置于通孔上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103872014A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310653224.8
申请日：2013-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L23/485 , H01L27/0207 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括：晶体管，设置在基底上并且包括第一掺杂区域；第一接触部，沿着第一方向从第一掺杂区域延伸；长通孔，设置在第一接触部上并且共同连接到彼此相邻的第一接触部；以及共导线，设置在长通孔上并且沿着与第一方向交叉的第二方向延伸。共导线使第一掺杂区域彼此电连接。
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公开(公告)号：CN119698067A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411693670.6
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。
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公开(公告)号：CN110211955B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN201910135780.3
申请日：2019-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括在衬底上彼此相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元、以及在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间在第一方向上延伸的混合分离结构。每个逻辑单元包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上延伸，并且在第一方向上彼此间隔开；以及栅电极，在第一方向上延伸并跨越第一有源图案和第二有源图案，并且所述多个栅电极以栅极间距间隔开。混合分离结构包括将第一逻辑单元的第一有源图案与第二逻辑单元的第一有源图案分离的第一分离结构；以及第一分离结构上的第二分离结构。第一分离结构的宽度大于栅极间距。
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公开(公告)号：CN118507481A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410548964.3
申请日：2018-04-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 提供了标准单元及包括其的集成电路。该集成电路包括：多个标准单元，每个标准单元包括在第一方向上延伸的至少一个有源区域、在第二方向上延伸的至少一个栅线以及形成在第一导电层中的至少一个图案；以及多个电源轨，沿着所述多个标准单元的边界在第一方向上延伸。所述多个电源轨中的第一电源轨包括第一图案，第一图案形成在比第一导电层高的第二导电层中并沿着所述多个标准单元中的第一标准单元的边界在第一方向上延伸。第一图案在第一方向上的长度小于第一标准单元在第一方向上的长度。
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