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公开(公告)号：CN107869873A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710878870.2
申请日：2017-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F25D23/126 , F25D23/02 , F25D23/028 , F25D2323/122 , F25D2331/806 , F25D11/02
Abstract: 一种冰箱，包括具有储藏室的主体，打开或关闭所述储藏室的门、以及分配器、所述分配器设置在所述门上，并且配置为将水供应到所述主体的外部，其中所述门包括门板和门帽，所述门帽联接到所述门板的下端部分，并且具有水收集部件，以收集所述分配器的残留水。
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公开(公告)号：CN107850369A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680039629.4
申请日：2016-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: F25D23/028 , F25D23/02 , F25D29/008 , F25D2323/02 , F25D2400/361 , H04R5/02
Abstract: 本发明公开了一种冰箱，该冰箱包括：主体，该主体具有开口，并且在主体中包括储藏室；门，配置为打开或关闭开口；以及扬声器组件，设置在门的底部，并被构造成将声音输出到外部。利用这种配置，可以使扬声器的暴露最小化，从而减少外部环境的影响。
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公开(公告)号：CN1638125B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200410082270.8
申请日：2004-12-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C13/0004 , H01L27/10852 , H01L27/112 , H01L27/115 , H01L27/2436 , H01L28/40 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的电容器、包括该电容器的半导体存储器件和该半导体存储器件的工作方法。该电容器包括：下电极；层叠在该下电极上并包括相变层的介电层，该相变层在其绝缘性质被改变后显示出两种显著不同的电阻特性；以及层叠在该介电层上的上电极。包括该电容器的半导体存储器件在工作中与动态随机存取存储器一样快且具有与快闪存储器件相同的非易失性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101834188A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010176927.2
申请日：2010-02-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , G11C16/0483 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法。提供了具有垂直折叠结构的非易失性存储器件和制造该非易失性存储器件的方法。半导体结构包括基本上垂直的第一部分和第二部分。多个存储单元沿半导体结构的第一部分和第二部分布置并串联连接。
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公开(公告)号：CN100463181C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510076258.0
申请日：2005-05-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108 , H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN100438035C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410043078.8
申请日：2004-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11C11/16 , H01F10/3254 , H01F41/307 , H01L27/228
Abstract: 提供一种包含由不同的方法形成的中间氧化层的磁性随机存取存储器(MRAM)及其制造方法。MRAM包含由一下磁性层，一防氧化层，一隧穿氧化层，及一上磁性层形成的一磁性隧道结(MTJ)。隧穿氧化层由原子层淀积(ALD)法形成，其它材料层，尤其是防氧化层由与原子层淀积法不同的方法形成。
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公开(公告)号：CN101217157A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810001510.5
申请日：2008-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/04 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/28537 , H01L27/1021 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供了一种包含多晶硅(poly－Si)的半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括TaNx材料层以及形成在TaNx材料层上的poly－Si层。可通过如下步骤来制造包含poly－Si的半导体器件：形成TaNx材料层；通过在TaNx材料层上沉积硅并对硅进行退火来形成poly－Si层。
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公开(公告)号：CN100397644C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410090304.8
申请日：2004-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/105
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L21/31645 , H01L21/31691
Abstract: 本发明提供了一种半导体设备的电容器以及包括同样电容器的存储器设备。电容器包括下部电极、具有多个带隙并且形成于下部电极上的介电层、以及上部电极。介电层包括具有第一带隙并且形成于下部电极上的第一介电层、具有第二带隙并且形成于第一介电层上的第二介电层、以及具有第三带隙并且形成于第二介电层上的第三介电层。并且第一至第三带隙满足：第二带隙＜第一带隙＜第三带隙。在另一实施例中，第一至第三带隙满足：第二带隙＜第三带隙＜第一带隙。
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