公开(公告)号：CN110858563A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910782648.1

申请日：2019-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋炫升 ,  李斗铉 ,  李允逸 ,  张在兰

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源鳍；栅结构，在第二方向上延伸以与有源鳍相交；有源鳍上的源/漏区；源/漏区上的金属硅化物层；金属硅化物层上的填充绝缘部分，填充绝缘部分具有与金属硅化物层的一部分相连接的接触孔；金属硅化物层与填充绝缘部分之间的保护阻挡层；以及接触孔中的接触插塞，电连接到金属硅化物层的所述部分。

公开(公告)号：CN101159139B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200710136235.3

申请日：2007-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  尹成龙 ,  孙镇昇 ,  李丙圭

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/82 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/65 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法。该磁记录介质包括：基底；软磁下层，形成在基底上；纹理层，形成在软磁下层上，并包括均匀的图案；记录层，包括磁性颗粒和将磁性颗粒隔离的非磁边界区域。记录层的磁性颗粒和非磁边界区域根据纹理层的规则的图案通过分离形成规则的粒状结构。因此，可在记录层上形成规则的粒状结构，而不需要例如对记录层进行蚀刻的工艺，从而可显著地提高磁记录介质的记录密度。

公开(公告)号：CN101201538B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200710194762.X

申请日：2007-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵恩亨 ,  左圣熏 ,  孙镇昇 ,  李斗铉 ,  金海成

IPC: G03F1/42 ,  G03F7/00 ,  G03F9/00 ,  H01L23/544

CPC classification number: G03F9/7084 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种图案模板及其制造方法，该图案模板包括柔性基底、形成在柔性基底上并包括图案的模板模子和对准标记，对准标记的折射率大于模板模子的折射率。通过提供包括图案区的主模板、在图案区涂覆用于模子的树脂、通过在用于模子的树脂上安装柔性板并通过照射UV射线固化用于模子的树脂来形成模板模子、将模板模子与主模板分离、在模板模子上涂覆薄的金属膜并在模板模子的两侧均形成对准标记，来制造该图案模板。

公开(公告)号：CN101159139A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710136235.3

申请日：2007-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗铉 ,  尹成龙 ,  孙镇昇 ,  李丙圭

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/84

CPC classification number: G11B5/82 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/65 ,  G11B5/743 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明提供一种磁记录介质以及制造该磁记录介质的方法。该磁记录介质包括：基底；软磁下层，形成在基底上；纹理层，形成在软磁下层上，并包括均匀的图案；记录层，包括磁性颗粒和将磁性颗粒隔离的非磁边界区域。记录层的磁性颗粒和非磁边界区域根据纹理层的规则的图案通过分离形成规则的粒状结构。因此，可在记录层上形成规则的粒状结构，而不需要例如对记录层进行蚀刻的工艺，从而可显著地提高磁记录介质的记录密度。