公开(公告)号：CN112703389B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201980060628.1

申请日：2019-09-05

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 丰仓祥太

IPC: G01N21/17

Abstract: 在本观察方法中，从光学相干断层成像仪获取测量对象在与深度方向相交的平面中的多个不同位置处的测量值(S100)。在本观察方法中，对多个位置中的每个位置处的同一深度位置的测量值求平均(S104)。在本观察方法中，在深度方向上对多个深度位置中的每个深度位置处的平均值计算积分值(S105)。在本观察方法中，基于积分值来计算测量对象的收缩参数(S106)。

公开(公告)号：CN115605549B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202180035450.2

申请日：2021-05-25

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 内田健 ,  鹤见浩一

IPC: C08L101/00 ,  C08L63/00 ,  C08K3/36 ,  C08K3/22 ,  C08K3/04 ,  C08K3/34 ,  H05K9/00

Abstract: 一种树脂组合物，该树脂组合物的成型体是电磁波吸收体，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的虚部ε”和25℃条件下的体积电阻率ρv满足下述式(1)，所述虚部ε”大于1.25，20＜(logρv)×ε”＜600(1)。

公开(公告)号：CN119631252A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380052048.4

申请日：2023-07-03

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 垣野正义 ,  森田峻介 ,  池上文人 ,  挂野正识

IPC: H01R13/6473 ,  H01R12/71 ,  H01R12/91

Abstract: 本公开的连接器10具备：框状的第一绝缘体20；第二绝缘体30，和连接对象物70嵌合，相对于第一绝缘体20而配置，并相对于第一绝缘体20可相对移动；多个第一触点50，被装配在第一绝缘体20和第二绝缘体30；第一屏蔽构件60a，配置在多个第一触点50之间；第一屏蔽构件60a具有第一屏蔽部61a，第一屏蔽部61a沿着第一方向而配置，其中，第一方向是和连接对象物70与第二绝缘体30相互嵌合时的嵌合方向交叉的方向。

公开(公告)号：CN119605332A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202380059159.8

申请日：2023-08-21

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 平藤骏介 ,  山下铁平

IPC: H10F77/20 ,  H10F19/90

Abstract: 太阳能电池元件包括具有第一面以及第二面的半导体基板和第一面上的第一电极。第一电极包括沿着第一方向配置的汇流条部（311b）和在第一方向上排列的多根指状部（311f）。汇流条部（311b）包括第一方向上的位置相互不同的第一区域（A1）和第二区域（A2）。多根指状部（311f）包括与第一区域（A1）连接的多根第一指状部（311f1）和与第二区域（A2）连接的多根第二指状部（311f2）。各第一指状部（311f1）包括与第一区域（A1）连接的第一部分（P1）和与第一区域（A1）分离的第二部分（P2）。各第二指状部（311f2）包括与第二区域（A2）连接的第三部分（P3）和与第二区域（A2）分离的第四部分（P4）。第一部分（P1）的宽度比第三部分（P3）大。

公开(公告)号：CN119584147A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411691138.0

申请日：2021-10-21

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 藤代真人 ,  张香逸

IPC: H04W16/26 ,  H04W40/22 ,  H04W24/04 ,  H04W40/24

Abstract: 在蜂窝通信系统中使用根据本发明的第一方面的通信控制方法。该通信控制方法包括：从属于第一施主基站的第一中继节点向不同于第一施主基站的第二施主基站发送第一分组。该通信控制方法还包括：第二施主基站利用数据转发路径向第一施主基站转发第一分组；以及第一施主基站向网络发送第一分组。

公开(公告)号：CN119546463A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202380057088.8

申请日：2023-08-01

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 加藤谦一 ,  宫本诚

IPC: B41J2/335 ,  B41J2/345

Abstract: 热敏头具备基板（7）、接合材料（24）、导电构件（11b）、以及铝电极（19）。接合材料（24）位于基板（7）之上，且含有金及锡。导电构件（11b）位于接合材料（24）之上。铝电极（19）位于基板（7）之上，经由接合材料（24）与导电构件（11b）电连接。

公开(公告)号：CN119522541A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380053771.4

申请日：2023-07-21

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 西冈庸介 ,  南部雅树 ,  加藤敬 ,  野添惣一朗

IPC: H03H9/145 ,  H03H3/08

Abstract: 由于IDT电极微细，因此需要提高对迁移的耐功率性。具有：压电体层；电极，设置在压电体层之上；和，覆盖部，覆盖电极的侧面的至少一部分，含有氧以及氮以外的构成压电体层的元素。

公开(公告)号：CN113490995B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202080016757.3

申请日：2020-02-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 正木克明 ,  村川贤太郎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本公开的半导体元件的制造方法包含：元件形成工序(S1)，在基底基板(11)上形成半导体元件(15)，所述半导体元件(15)经由连接部(13b)而与基底基板(11)连接，并且具有相对于基底基板(11)的生长面倾斜的上表面(15a)；准备工序(S2)，准备具有与基底基板(11)对置的对置面(16c)的支承基板(16)；接合工序(S3)，将半导体元件(15)的上表面(15a)向支承基板(16)的对置面(16c)按压以及进行加热，将半导体元件(15)的上表面(15a)和支承基板(16)接合；以及剥离工序(S4)，将半导体元件(15)从基底基板(11)剥离。

公开(公告)号：CN113441770B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202010228232.8

申请日：2020-03-27

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 张展龙

IPC: B23C5/06 ,  B23C5/22

Abstract: 本发明提供了一种刀柄及具有该刀柄的切削刀具。所述刀柄包括本体、液体、刀片夹和调节螺丝；本体从后端朝着前端沿中心轴延伸，且具有设于其前端外周的凹槽和设于所述凹槽后方的型腔；液体填充所述型腔；刀片夹可安装刀片；所述刀片夹安装在所述凹槽中，与所述液体相接触，并可在所述液体的液压力作用下沿所述中心轴的方向前后移动；所述刀片夹与所述液体的接触面具有第一面积；调节螺丝一端与所述液体相接触；所述调节螺丝与所述液体的接触面具有第二面积。本发明可以方便地前后调整刀片夹的位置，以实现刀片前后位置的调整。

公开(公告)号：CN119487978A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380049765.1

申请日：2023-07-05

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 菅井广一朗 ,  岛田恭太

IPC: H05K1/02 ,  H01L23/12 ,  H01L23/36

Abstract: 本发明的基板提高导热率。基板具有基体，该基体包括第一面以及位于所述第一面的相反侧的第二面。所述基体具有至少一个凹部，至少一个所述凹部设置于所述第一面，在所述凹部的内部填充有金属部件，该金属部件具有比所述基体的导热率高的导热率。在沿与所述第一面和所述第二面正交的第一方向切断的剖面中，所述凹部的与所述第一面平行的方向上的宽度随着距所述第一面以及所述第二面中的设置有该凹部的面的距离增大而减小。