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公开(公告)号：CN107109032B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201580061365.8
申请日：2015-11-05
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 一种半导体密封用树脂组合物，其含有(A)环氧树脂、(B)酚醛树脂固化剂、(C)无机填充剂以及(D)无定型碳，所述(D)成分的无定型碳含有30原子％以上的SP3结构、55原子％以下的SP2结构。
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公开(公告)号：CN115605549B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202180035450.2
申请日：2021-05-25
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 一种树脂组合物，该树脂组合物的成型体是电磁波吸收体，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的虚部ε”和25℃条件下的体积电阻率ρv满足下述式(1)，所述虚部ε”大于1.25，20＜(logρv)×ε”＜600(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118303145A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280078113.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 京瓷株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H05K9/00 , C01B32/186 , C08K3/04 , C08L63/00
Abstract: 一种电磁干扰抑制材料，其是包含母材和粉末碳材料的电磁干扰抑制材料，所述母材含有从有机物和无机物中选出的至少一种，其中，所述粉末碳材料是从作为具有一个或两个以上的孔的中空粒子的第一壳状体、以及呈中空粒子连结而成的形状且具有复数个孔的第二壳状体中选出的至少一种，所述第一壳状体以及所述第二壳状体的壳部由平均层数为4以下的石墨烯构成。
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公开(公告)号：CN119013340A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380030777.X
申请日：2023-03-28
Applicant: 京瓷株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C08L1/02 , C01B32/194 , C08J5/06 , C08K3/04 , D01F2/00
Abstract: 一种复合材料，其为具有蜂窝结构体的复合材料，所述蜂窝结构体包含纤维素纳米纤维和碳材料，所述碳材料是从碳材料(a)和碳材料(b)中选出的至少一种，所述碳材料(a)是从第一壳状体和第二壳状体中选出的至少一种，所述第一壳状体是具有一个孔的中空粒子，所述第二壳状体呈中空粒子连接而成的形状且具有复数个孔，所述碳材料(b)是从核壳粒子和核壳连接体中选出的至少一种，所述核壳粒子在无机粒子的表面包覆有碳层，所述核壳连接体在无机粒子的连接体的表面包覆有碳层。
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公开(公告)号：CN118476319A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280086242.X
申请日：2022-12-26
Applicant: 京瓷株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种电磁干扰抑制材料，其是包含母材和碳复合材料的电磁干扰抑制材料，所述母材包含从有机物和无机物中选出的至少一种，所述碳复合材料是从在无机粒子的表面包覆有由平均层数为4以下的石墨烯构成的包覆层的核壳粒子以及在无机粒子的连结体的表面包覆有平均层数为4以下的石墨烯的包覆层的核壳连结体中选出的至少一种，电磁干扰抑制材料的体积电阻为103Ω·cm以上。
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公开(公告)号：CN115605549A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202180035450.2
申请日：2021-05-25
Applicant: 京瓷株式会社(JP)
Abstract: 一种树脂组合物，该树脂组合物的成型体是电磁波吸收体，所述成型体在25℃、10GHz条件下的复介电常数的虚部ε”和25℃条件下的体积电阻率ρv满足下述式(1)，所述虚部ε”大于1.25，20＜(logρv)×ε”＜600(1)。
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公开(公告)号：CN107109032A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580061365.8
申请日：2015-11-05
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 一种半导体密封用树脂组合物，其含有(A)环氧树脂、(B)酚醛树脂固化剂、(C)无机填充剂以及(D)无定型碳，所述(D)成分的无定型碳含有30原子％以上的SP3结构、55原子％以下的SP2结构。
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